根據(jù)多層互連基板的結(jié)構(gòu)和工藝技術(shù)的不同，MCM大體上可分為三類：①層壓介質(zhì)MCM(MCM-L)；②陶瓷或玻璃瓷MCM(MCM-C)；③硅或介質(zhì)材料上的淀積布線MCM(MCM-D)。表1給出MCM三種基本類型的結(jié)構(gòu)、材料和性能。

MCM-L是采用多層印制電路板做成的MCM，制造工藝較成熟，生產(chǎn)成本較低，但因芯片的安裝方式和基板的結(jié)構(gòu)所限，高密度布線困難，因此電性能較差，主要用于30MHz以下的產(chǎn)品。

MCM-C是采用高密度多層布線陶瓷基板制成的MCM，結(jié)構(gòu)和制造工藝都與先進IC極為相似，其優(yōu)點是布線層數(shù)多，布線密度、封裝效率和性能均較高，主要用于工作頻率(30-50)MHz的高可靠產(chǎn)品。它的制造過程可分為高溫共燒陶瓷法(HTCC)和低溫共燒陶瓷法(LTCC)，由于低溫下可采用Ag、Au、Cu等金屬和一些特殊的非傳導性材料，近年來，低溫共燒陶瓷法占主導地位。

MCM-D是采用薄膜多層布線基板制成的MCM，其基體材料又分為MCM-D／C(陶瓷基體薄膜多層布線基板的MCM)、MCM-D／M(金屬基體薄膜多層布線基板的MCM)、MCM-D／Si(硅基薄膜多層布線基板的MCM)等三種，MCM-D的組裝密度很高，主要用于500MHz以上的產(chǎn)品。