LED芯片核心部位特寫(xiě)照

　　如上圖所示，用電子顯微鏡所拍攝的LED芯片核心部位特寫(xiě)照。類似用嵌入式工藝將電極和陰極連接起來(lái)，其他一部分則與陽(yáng)極連接起來(lái)。

　　每個(gè)LED芯片核心部件雖然都很小，但是大部分都用于支撐材料。斜對(duì)角線的刻痕劃分隔開(kāi)了雙襯底，在天藍(lán)色的基板上，可以看到有一層很薄的氮化鎵（GaN），大約只有7μm薄。藍(lán)寶石襯底主要是注入了GaN生長(zhǎng)介質(zhì)。

　　在襯底隆起的圖樣，降低了GaN的位錯(cuò)密度，在襯底基質(zhì)起到機(jī)械性支持和散熱片的作用。在GaN底部6μm處通常不起作用。結(jié)晶體會(huì)逐漸干涉滲透到1μm處，這時(shí)，光發(fā)射極區(qū)域便確定了。光發(fā)射區(qū)要小到一定的數(shù)量級(jí)，達(dá)到納米（nm）級(jí)范圍內(nèi)，最后植入在上表面下的約100nm處。