產(chǎn)品
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RA4M1—適用于 HMI 的 32 位微控制器，帶有 LCD 控制器和電容式觸控2022-03-23 15:55
產(chǎn)品型號(hào)：RA4M1 內(nèi)核：Arm® Cortex®-M4 閃存：256kB SRAM：32kB 數(shù)據(jù)閃存：8kB 的與EEPROM 存儲(chǔ)數(shù)據(jù)功能類似 -
RA4M3—用于工業(yè)和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用、具有高集成度和豐富連接性的高性能微控處理器2022-03-23 15:45
產(chǎn)品型號(hào)：RA4M3 內(nèi)核：Arm® Cortex®-M33 閃存：512kB - 1MB SRAM：64kB 支持奇偶校驗(yàn) 以及 64kB ECC 數(shù)據(jù)閃存：8KB 提供與 EEPROM 類似的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)功能 -
RA6T1—用于電機(jī)控制和基于 AI 的端點(diǎn)預(yù)測(cè)性維護(hù)2022-03-23 15:30
產(chǎn)品型號(hào)：RA6T1 內(nèi)核：Arm® Cortex®-M4 閃存：256kB – 512kB SRAM：64kB 數(shù)據(jù)閃存：8KB 提供與 EEPROM 類似的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)功能 -
RA6M2—帶有 120 MHz 中型以太網(wǎng)存儲(chǔ)器集成的 32 位微控制器2022-03-23 15:22
產(chǎn)品型號(hào)：RA6M2 內(nèi)核：Arm® Cortex®-M4 閃存：512kB - 1MB SRAM：384kB 數(shù)據(jù)閃存：32kB 與 EEPROM 存儲(chǔ)數(shù)據(jù)功能類似 -
RA6M3 — 帶有 USB 高速、以太網(wǎng)和 TFT 控制器的 120 MHz 32 位微控制器2022-03-23 15:14
產(chǎn)品型號(hào)：RA6M3 內(nèi)核：Arm® Cortex®-M4 閃存：1MB - 2MB SRAM：640kB 數(shù)據(jù)閃存：64kB 與 EEPROM 存儲(chǔ)數(shù)據(jù)功能類似 -
RA6M5產(chǎn)品群讓Arm Cortex M33內(nèi)核RA6系列主流MCU產(chǎn)品線趨于完整2022-03-23 15:02
產(chǎn)品型號(hào)：RA6M5 內(nèi)核：Arm® Cortex®-M33 閃存：1MB - 2MB SRAM：448KB 支持奇偶校驗(yàn) 和 64KB ECC 數(shù)據(jù)閃存：8KB 提供與 EEPROM 類似的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)功能 -
瑞薩電子推出RA6T2 MCU，適用于變頻設(shè)備、樓宇自動(dòng)化和工業(yè)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中的下一代電機(jī)控制2022-03-23 14:52
產(chǎn)品型號(hào)：RA6T2 內(nèi)核：Arm®Cortex®-M33 閃存：256KB -512KB SRAM： 64KB 具有 ECC 數(shù)據(jù)閃存：16KB 提供與 EEPROM 類似的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)功能 -
RA6E1 -- 瑞薩超高性能入門級(jí)MCU2022-03-23 14:39
產(chǎn)品型號(hào)：RA6E1 內(nèi)核：Arm® Cortex®-M33 閃存：512kB – 1MB SRAM：256kB 數(shù)據(jù)閃存：8KB 提供與 EEPROM 類似的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)功能 -
瑞薩RA6M4 MCU產(chǎn)品群，為物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用提供卓越性能和先進(jìn)安全性2022-03-23 14:30
產(chǎn)品型號(hào)：RA6M4 內(nèi)核：Arm® Cortex®-M33 閃存：512kB - 1MB SRAM：192kB支持奇偶校驗(yàn)以及64kb ECC 數(shù)據(jù)閃存：8KB 提供與 EEPROM 類似的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)功能 -
RA4入門級(jí)產(chǎn)品群RA4E1，通過平衡的低功耗性能和功能集成提供卓越價(jià)值2022-03-23 14:19
產(chǎn)品型號(hào)：RA4E1 內(nèi)核：Arm® Cortex®-M33 閃存：256kB - 512kB SRAM：128kB 數(shù)據(jù)閃存：8KB 提供與 EEPROM 類似的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)功能