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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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B286L-VB TO220一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): B286L-VB TO220
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO220
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

**型號(hào)**: B286L-VB  
**封裝**: TO220  
**配置**: 單極性N溝道MOSFET  
**耐壓**: 80V  
**門(mén)源電壓**: ±20V  
**閾值電壓**: 3V  
**導(dǎo)通電阻**:  
- 9mΩ @ V_GS = 4.5V  
- 7mΩ @ V_GS = 10V  
**最大漏電流**: 100A  
**技術(shù)**: 溝槽型

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**: B286L-VB  
- **封裝類(lèi)型**: TO220  
- **配置**: 單N溝道MOSFET  
- **漏極-源極耐壓 (V_DS)**: 80V  
- **柵極-源極最大電壓 (V_GS)**: ±20V  
- **閾值電壓 (V_th)**: 3V  
- **導(dǎo)通電阻 (R_DS(ON))**:
 - 9mΩ @ V_GS = 4.5V
 - 7mΩ @ V_GS = 10V  
- **最大漏電流 (I_D)**: 100A  
- **技術(shù)類(lèi)型**: 溝槽型技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例

1. **電源開(kāi)關(guān)模塊**  
  B286L-VB 的低導(dǎo)通電阻和高電流能力使其適用于電源開(kāi)關(guān)模塊,能有效處理高電流和高功率,提升系統(tǒng)效率并降低熱損耗。

2. **電動(dòng)汽車(chē)充電器**  
  由于其高耐壓和穩(wěn)定的開(kāi)關(guān)性能,該MOSFET 適合用于電動(dòng)汽車(chē)充電器中,提供可靠的功率開(kāi)關(guān)和電流控制,確保充電過(guò)程的安全和高效。

3. **工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)**  
  在工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,B286L-VB 能夠處理大電流負(fù)載,提供高效的開(kāi)關(guān)功能和優(yōu)良的電流控制,支持電機(jī)的穩(wěn)定運(yùn)行和高性能。

4. **大功率LED驅(qū)動(dòng)**  
  適用于大功率LED驅(qū)動(dòng)電路中,通過(guò)低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力,確保LED的高效照明和長(zhǎng)壽命,廣泛應(yīng)用于照明和顯示系統(tǒng)。

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