--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 類型 1個N溝道
- 漏源電壓(Vdss) 150V
- 連續(xù)漏極電流(Id) 99A
- 導通電阻(RDS(o 9mΩ@10V,20A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
總體說明
AGM15T13F 結合了先進的溝槽式 MOSFET 技術和低電阻封裝,以實現(xiàn)極低的導通電阻 RDS(ON) 。
該器件非常適合用于負載開關和電池保護應用。
特性
- 先進的高單元密度溝槽技術
- 低導通電阻 RDS(ON),將傳導損耗降至最低
- 低柵極電荷,實現(xiàn)快速開關
- 低熱阻
- 100% 經(jīng)過雪崩測試
- 100% 經(jīng)過動態(tài)雪崩電壓應力(DVDS)測試
應用
- 內(nèi)存 / 顯卡核心電壓(MB/VGA Vcore)
- 開關電源(SMPS)二次側同步整流器
- 負載點(POL)應用
- 無刷直流(BLDC)電機驅動器
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