總體說明
AGM065N10F 將先進的溝槽式 MOSFET 技術與低電阻封裝相結合，能夠實現(xiàn)極低的導通電阻 RDS(ON) 。
該器件非常適合用于負載開關和電池保護應用場景。
特性
- 先進的高單元密度溝槽技術
- 低導通電阻 RDS(ON)，可將傳導損耗降至最低
- 低柵極電荷，實現(xiàn)快速開關
- 低熱阻
應用
- 內存 / 顯卡核心電壓（MB/VGA Vcore）
- 開關電源（SMPS）二次側同步整流器
- 負載點（POL）應用
- 無刷直流（BLDC）電機驅動器
--- 產品參數(shù) ---
- 類型 1個N溝道
- 漏源電壓(Vdss) 100V
- 連續(xù)漏極電流(Id) 100A
- 導通電阻(RDS(o 6.2mΩ@10V,15A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產品詳情 ---
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