中科微電 ZK60G003LG

型號(hào)： ZK60G003LG

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

N/P N
Vdss 60V
ID 300A
Vgs ±20V
Rds-on 0.67mΩ

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

ZK60G003LG.pdf

--- 產(chǎn)品詳情 ---

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產(chǎn)品文章資料

中科微電ZK30N100G2025-10-17 10:46

產(chǎn)品型號(hào)：ZK30N100G V DSS：30 V GS (th)_：1.5 典型導(dǎo)通電阻：3.8
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產(chǎn)品型號(hào)：ZK30N100T 耐壓：280V 輸入邏輯兼容：5V、3.3V 封裝：SOP8
中科微電ZK21312025-10-17 10:10

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中科微電MOS管ZK30N100G 30V 90A2025-10-15 17:55

產(chǎn)品型號(hào)：ZK30N100G BVdss：30V ID：90A Typ：3.4 Vgs：±20
中科微電ZK30N140T 30V 140A2025-10-15 17:45

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中科微電mos管ZK60N20DG2025-09-30 11:20

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中科微電mos管ZK30N100Q2025-09-30 11:13

產(chǎn)品型號(hào)：ZK30N100Q BVdss：30V ID：90A Vgs：±20 Typ：3.6
中科微電MOS管ZK60N20DS2025-09-30 10:59

產(chǎn)品型號(hào)：ZK60N20DS BVdss：60V ID：20A Vgs：±20 Typ：29
中科微電ZK60G270G CLIP SGT車規(guī)級(jí)2025-09-25 09:30

產(chǎn)品型號(hào)：ZK60G270G 封裝：PDFN5x6 批次：2025+ BVDSS：60V Id：270A
中科微電ZK100G325TL2025-09-22 14:17

產(chǎn)品型號(hào)：ZK100G325TL BVdss：100 ID：411 Vgs：±20 電阻：0.98

MOSFET：電子世界的“開(kāi)關(guān)大師”與技術(shù)演進(jìn)2025-11-27 15:48

在現(xiàn)代電子設(shè)備的核心部件中，金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）無(wú)疑是當(dāng)之無(wú)愧的“開(kāi)關(guān)大師”。從智能手機(jī)的芯片到新能源汽車的動(dòng)力控制系統(tǒng)，從光伏逆變器到工業(yè)機(jī)器人，MOSFET以其高效的開(kāi)關(guān)特性和穩(wěn)定的控制性能，支撐著整個(gè)電子信息產(chǎn)業(yè)的運(yùn)轉(zhuǎn)。對(duì)于電子工程相關(guān)專業(yè)的學(xué)生和行業(yè)從業(yè)者而言，深入理解MOSFET的技術(shù)本質(zhì)、發(fā)展脈絡(luò)與應(yīng)用邏輯，既是夯實(shí)專

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ZK3080T：低壓大電流場(chǎng)景下的功率器件標(biāo)桿2025-11-25 14:38

在功率電子技術(shù)飛速發(fā)展的今天，元器件的性能直接決定了電子設(shè)備的可靠性、效率與安全性。ZK3080T作為一款在低壓大電流領(lǐng)域表現(xiàn)突出的功率器件，其“30V/80A”的核心參數(shù)組合、TO-252封裝設(shè)計(jì)以及±20%的參數(shù)精度控制，使其成為消費(fèi)電子、汽車電子、工業(yè)控制等領(lǐng)域的優(yōu)選元器件。深入剖析ZK3080T的技術(shù)特性、應(yīng)用價(jià)值與使用要點(diǎn)，對(duì)于電子工程師優(yōu)化電路設(shè)

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中科微電ZK40N100G：Trench工藝+緊湊封裝，中低壓大電流場(chǎng)景新標(biāo)桿2025-11-17 11:19

在功率半導(dǎo)體器件向“高效化、小型化、高可靠性”轉(zhuǎn)型的趨勢(shì)下，中科微電推出的N溝道MOS管ZK40N100G，憑借40V耐壓、90A大電流的硬核參數(shù)，搭配Trench（溝槽）工藝與PDFN5x6-8L緊湊封裝，精準(zhǔn)破解中低壓場(chǎng)景下“大電流承載、低能耗、小體積”的核心痛點(diǎn)，成為消費(fèi)電子、工業(yè)控制、汽車電子等領(lǐng)域的優(yōu)選解決方案。本文將從參數(shù)解析、技術(shù)優(yōu)勢(shì)、場(chǎng)景落地

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低壓大電流新選擇：ZK40N190G MOSFET的技術(shù)優(yōu)勢(shì)與應(yīng)用價(jià)值2025-11-07 17:27

在新能源、工業(yè)控制、汽車電子等領(lǐng)域的快速發(fā)展中，低壓大電流場(chǎng)景對(duì)功率器件的承載能力、散熱性能和可靠性提出了越來(lái)越高的要求。ZK40N190G作為一款采用Trench溝槽工藝的N溝道MOSFET，以40V耐壓、190A超大電流承載能力及PDFN5x6-8L封裝優(yōu)勢(shì)，精準(zhǔn)匹配低壓大電流功率變換需求，成為眾多高功率密度設(shè)備的核心功率器件選擇。

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能量調(diào)控的精巧使者：ZK68N80T MOSFET的特性與價(jià)值2025-11-06 16:52

在電力電子系統(tǒng)的精密架構(gòu)中，MOSFET（金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）始終占據(jù)著核心地位，它們?nèi)缤芰苛鬓D(zhuǎn)的“閘門(mén)”，精準(zhǔn)控制著電流的通斷與強(qiáng)弱。ZK68N80T這款N溝道MOSFET，以其明確的性能標(biāo)識(shí)、優(yōu)化的封裝設(shè)計(jì)和先進(jìn)的制造工藝，成為眾多設(shè)備中不可或缺的“能量調(diào)控使者”，在方寸之間演繹著高效與可靠的雙重?fù)?dān)當(dāng)。

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功率器件MOS管中的實(shí)干家：ZK100G120B的性能優(yōu)勢(shì)與場(chǎng)景賦能2025-11-06 16:25

在布滿精密元件的電路板上，功率器件就像“能量調(diào)度官”，負(fù)責(zé)電能的高效傳輸與精準(zhǔn)控制。ZK100G120B這款標(biāo)注著“100V、120A、SGT、TO-263-2L”的器件，沒(méi)有華麗的外觀，卻以扎實(shí)的參數(shù)配置和可靠的性能表現(xiàn)，在中低壓功率場(chǎng)景中占據(jù)重要地位。當(dāng)我們深入解讀它的各項(xiàng)參數(shù)密碼，便能發(fā)現(xiàn)它成為眾多工程師首選的核心原因。

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中科微電ZK40P80G：小封裝大能量的P溝道MOS管新選擇2025-11-06 14:49

中科微電推出的ZK40P80G P溝道MOS管，突破性地將-80A大電流、-40V高耐壓與PDFN5x6-8L緊湊封裝相結(jié)合，搭配1.5mΩ低導(dǎo)通電阻與成熟Trench工藝，為小型化、高功率密度設(shè)備提供了理想的功率解決方案。

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ZK40P80T：P溝道MOS管中的高功率性能擔(dān)當(dāng)2025-11-06 14:35

中科微電深耕功率器件領(lǐng)域，針對(duì)P溝道器件的應(yīng)用痛點(diǎn)，推出了ZK40P80T這款高性能P溝道MOS管，以-40V耐壓、-80A電流的強(qiáng)勁參數(shù)，搭配1.5mΩ低導(dǎo)通電阻與成熟Trench工藝，為反向電壓控制、電池管理等場(chǎng)景提供了高效可靠的解決方案，重新定義了中低壓P溝道MOS管的性能標(biāo)準(zhǔn)。

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中科微電ZK150G002P：高耐壓大電流N溝槽MOS管的性能突破2025-11-06 13:44

在功率半導(dǎo)體器件的迭代浪潮中，N溝槽MOS管憑借其優(yōu)異的開(kāi)關(guān)特性與電流控制能力，成為高功率電子系統(tǒng)的核心組成部分。當(dāng)市場(chǎng)對(duì)器件的耐壓等級(jí)、電流承載能力提出更高要求時(shí)，一款兼具150V高耐壓、200A大電流與3.5毫歐低導(dǎo)通電阻的N溝槽MOS管——ZK150G002P應(yīng)運(yùn)而生。它不僅精準(zhǔn)契合了新能源、工業(yè)控制等領(lǐng)域的嚴(yán)苛需求，更以硬核參數(shù)彰顯了功率半導(dǎo)體技術(shù)的

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ZK40N100G：PDFN封裝賦能的中低壓大電流MOS管標(biāo)桿2025-11-05 16:30

在中低壓功率電子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)中，MOS管的電流承載能力、封裝尺寸與能效表現(xiàn)，是決定產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力的核心要素。ZK40N100G作為一款高性能N溝道MOS管，以40V耐壓、90A大電流、PDFN5x6-8L緊湊封裝及Trench工藝加持，精準(zhǔn)適配消費(fèi)電子、新能源、工業(yè)控制等領(lǐng)域的大功率需求，成為兼顧“強(qiáng)性能、小體積、高效率”的優(yōu)選器件，為電路設(shè)計(jì)突破空間與能效瓶頸提

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