特性
- 64 千比特鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（F - RAM），邏輯上組織為 8K×8
- 高達(dá) 100 萬億次（\(10^{14}\)）讀 / 寫耐久性
- 151 年的數(shù)據(jù)保存期限（詳見 “數(shù)據(jù)保存期限和耐久性表”）
- NoDelay? 寫入技術(shù)
- 先進(jìn)的高可靠性鐵電工藝
- 非常快速的串行外設(shè)接口（SPI）
- 最高 20 兆赫茲頻率
- 可直接硬件替換串行閃存和電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）
- 支持 SPI 模式 0（0, 0）和模式 3（1, 1）
- 復(fù)雜的寫保護(hù)方案
- 通過寫保護(hù)（\(\overline{WP}\)）引腳進(jìn)行硬件保護(hù)
- 使用寫禁止指令進(jìn)行軟件保護(hù)
- 可對(duì) 1/4、1/2 或整個(gè)陣列進(jìn)行軟件塊保護(hù)
- 低功耗
- 1 兆赫茲時(shí)，工作電流為 200 微安
- 典型待機(jī)電流為 3 微安
- 低電壓工作：電源電壓\(V_{DD}\)為 2.7V 至 3.65V
- 工業(yè)溫度范圍：-40°C 至 + 85°C
- 封裝形式
- 8 引腳小外形集成電路（SOIC）封裝
- 8 引腳薄型無引腳雙列扁平（DFN）封裝
功能描述
FM25CL64B 是一款 64 千比特的非易失性存儲(chǔ)器，采用先進(jìn)的鐵電工藝。鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（F - RAM）屬于非易失性存儲(chǔ)器，其讀寫操作類似于隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）。它可實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)達(dá) 151 年的數(shù)據(jù)可靠保存，同時(shí)避免了串行閃存、電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）以及其他非易失性存儲(chǔ)器所帶來的復(fù)雜性、額外開銷和系統(tǒng)級(jí)可靠性問題。
與串行閃存和 EEPROM 不同，F(xiàn)M25CL64B 以總線速度執(zhí)行寫入操作，不會(huì)產(chǎn)生寫入延遲。每字節(jié)數(shù)據(jù)成功傳輸后，會(huì)立即寫入存儲(chǔ)陣列。下一個(gè)總線周期可直接開始，無需進(jìn)行數(shù)據(jù)輪詢。此外，與其他非易失性存儲(chǔ)器相比，該產(chǎn)品具有極高的寫入耐久性，能夠支持\(10^{14}\)次讀 / 寫周期，寫入周期數(shù)是 EEPROM 的 1 億倍。
這些特性使 FM25CL64B 非常適合用于需要頻繁或快速寫入的非易失性存儲(chǔ)應(yīng)用場(chǎng)景。比如數(shù)據(jù)采集，寫入周期數(shù)量可能至關(guān)重要；還有要求嚴(yán)苛的工業(yè)控制領(lǐng)域，串行閃存或 EEPROM 較長(zhǎng)的寫入時(shí)間可能會(huì)導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失 。
FM25CL64B 為用戶提供了顯著優(yōu)于串行 EEPROM 的優(yōu)勢(shì)，可直接進(jìn)行硬件替換。該產(chǎn)品使用高速 SPI 總線，增強(qiáng)了 F - RAM 技術(shù)的高速寫入能力。其工作規(guī)格適用于 - 40°C 至 + 85°C 的工業(yè)溫度范圍。
