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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IRF1104S-VB一款TO263封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): IRF1104S-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO263
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 40V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 2.5V
  • RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
  • ID 100A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### IRF1104S-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

**IRF1104S-VB** 是一款高電流、高導(dǎo)通能力的 N 通道 MOSFET,采用 TO263 封裝。它使用 Trench 技術(shù),在 40V 的漏極-源極電壓下,能夠處理高達(dá) 100A 的漏極電流。該 MOSFET 以其極低的導(dǎo)通電阻和適中的閾值電壓,適用于高效能量管理和功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用,特別是在需要處理大電流和高頻率的場(chǎng)合。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**: IRF1104S-VB
- **封裝**: TO263
- **配置**: 單極 N 通道
- **最大漏極-源極電壓 (VDS)**: 40V
- **最大柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 2.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 6mΩ (VGS=4.5V)
 - 5mΩ (VGS=10V)
- **最大漏極電流 (ID)**: 100A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊示例

**1. 高功率開(kāi)關(guān)**

IRF1104S-VB 非常適用于高功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用,如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和功率管理系統(tǒng)。在這些應(yīng)用中,其低導(dǎo)通電阻和高電流能力幫助實(shí)現(xiàn)高效能量轉(zhuǎn)換,減少功率損耗,并提高系統(tǒng)的整體效率和穩(wěn)定性。

**2. 電動(dòng)汽車(chē)電源**

在電動(dòng)汽車(chē)中,該 MOSFET 可以用作電池管理系統(tǒng)和電機(jī)驅(qū)動(dòng)的開(kāi)關(guān)元件。其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻使其能夠處理電動(dòng)汽車(chē)中的高功率負(fù)載,提升電動(dòng)汽車(chē)的能效和性能。

**3. 計(jì)算機(jī)和通信設(shè)備電源**

IRF1104S-VB 適用于計(jì)算機(jī)和通信設(shè)備中的電源管理和保護(hù)電路。其高電流能力和低導(dǎo)通電阻確保了電源的穩(wěn)定性和高效性,適合于計(jì)算機(jī)電源供應(yīng)和通信設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。

**4. 工業(yè)電機(jī)控制**

在工業(yè)電機(jī)控制系統(tǒng)中,IRF1104S-VB 的高電流承載能力使其能夠有效驅(qū)動(dòng)大型電機(jī)。其低導(dǎo)通電阻減少了熱量產(chǎn)生和功耗,從而提高了電機(jī)控制系統(tǒng)的可靠性和效率。

這些應(yīng)用示例展示了 IRF1104S-VB 在處理高電流和低導(dǎo)通電阻的場(chǎng)景中的廣泛適用性,特別是在需要高效能量轉(zhuǎn)換和可靠功率管理的領(lǐng)域。

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