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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IRF1405S-VB一款TO263封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號: IRF1405S-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO263
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 3.2mΩ@VGS=10V
  • ID 210A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### IRF1405S-VB 產(chǎn)品簡介

**IRF1405S-VB** 是一款高性能的 N-Channel MOSFET,采用 TO263 封裝。它基于 Trench 技術(shù)制造,具有出色的電導(dǎo)性能和低導(dǎo)通電阻,適用于高電流和高開關(guān)頻率的應(yīng)用。該 MOSFET 具有 60V 的最大漏極到源極電壓(VDS),適合在中等電壓范圍內(nèi)進行高效開關(guān)。它的低 RDS(ON) 值使得在開啟狀態(tài)下的功率損耗最小化,從而提高了整體效率和熱管理性能。

### 詳細參數(shù)說明

- **型號**: IRF1405S-VB
- **封裝**: TO263
- **配置**: 單一 N-Channel
- **最大漏極到源極電壓 (VDS)**: 60V
- **最大柵極到源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 12mΩ(VGS = 4.5V)
 - 3.2mΩ(VGS = 10V)
- **最大漏極電流 (ID)**: 210A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **電源管理**
  - 在電源轉(zhuǎn)換器和開關(guān)電源中,IRF1405S-VB 的低 RDS(ON) 值減少了功率損耗,提高了轉(zhuǎn)換效率。它的高電流能力使其適用于需要高負載電流的應(yīng)用,如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電源模塊。

2. **電動汽車(EV)**
  - 在電動汽車的驅(qū)動系統(tǒng)和電池管理系統(tǒng)中,IRF1405S-VB 能夠承受高電流并提供低導(dǎo)通電阻,從而有效管理電動機的電流流動,提升電動汽車的整體性能和效率。

3. **消費電子產(chǎn)品**
  - 用于高功率消費電子產(chǎn)品,如高效能音響系統(tǒng)和計算機電源供應(yīng)器中,IRF1405S-VB 提供了穩(wěn)定的開關(guān)控制和低功耗操作,改善了設(shè)備的能效和運行穩(wěn)定性。

4. **工業(yè)自動化**
  - 在工業(yè)自動化設(shè)備中,IRF1405S-VB 的高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻使其適用于高功率開關(guān)應(yīng)用,如電機控制和加熱器驅(qū)動。

5. **電池管理系統(tǒng)**
  - 在電池管理系統(tǒng)中,IRF1405S-VB 可以有效控制電池的充放電過程,其低 RDS(ON) 確保了電池的高效能量傳輸和長壽命。

這款 MOSFET 的高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻使其成為各種高性能電子和電氣應(yīng)用中的理想選擇。

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