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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IRF2804L-VB一款TO262封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): IRF2804L-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO262
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 40V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 2.5V
  • RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
  • ID 100A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

**IRF2804L-VB** 是一款高性能單極N溝道MOSFET,封裝為T(mén)O262,采用Trench技術(shù)。這款MOSFET設(shè)計(jì)用于高電流和高效率的應(yīng)用,具有較低的導(dǎo)通電阻和穩(wěn)定的開(kāi)關(guān)特性。其最大漏極源極電壓為40V,最大漏極電流可達(dá)100A。IRF2804L-VB 的低導(dǎo)通電阻(RDS(ON) = 5mΩ @ VGS=10V)和適中的閾值電壓(Vth = 2.5V)使其在高功率電源和開(kāi)關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異,特別適合需要高電流處理能力的電子設(shè)備。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **封裝**: TO262
- **配置**: 單極N溝道
- **漏極源極電壓 (VDS)**: 40V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 2.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 5mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 100A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

**IRF2804L-VB** MOSFET 在以下領(lǐng)域和模塊中具有廣泛應(yīng)用:

1. **電源管理**: 在高功率電源轉(zhuǎn)換器中,IRF2804L-VB 的低導(dǎo)通電阻和高電流能力使其成為理想的開(kāi)關(guān)元件。它可以用于DC-DC轉(zhuǎn)換器和高效開(kāi)關(guān)電源中,幫助提高轉(zhuǎn)換效率,減少能量損失,并確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性。

2. **電動(dòng)汽車(chē)**: 在電動(dòng)汽車(chē)的電池管理系統(tǒng)和電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊中,這款MOSFET能夠處理大電流,提供穩(wěn)定可靠的開(kāi)關(guān)性能。它的高電流能力和低功耗特性對(duì)于電動(dòng)汽車(chē)的高功率需求至關(guān)重要。

3. **高功率LED驅(qū)動(dòng)**: IRF2804L-VB 適用于高功率LED照明系統(tǒng)中,作為驅(qū)動(dòng)電路中的開(kāi)關(guān)元件。其低導(dǎo)通電阻有助于降低功耗,減少熱量生成,提高LED系統(tǒng)的整體效率和可靠性。

4. **工業(yè)自動(dòng)化**: 在工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中,如電機(jī)控制和電源開(kāi)關(guān),這款MOSFET的高電流處理能力和穩(wěn)定的開(kāi)關(guān)特性使其能夠可靠地支持高負(fù)荷操作,從而提高系統(tǒng)的性能和耐用性。

5. **電池供電設(shè)備**: 在需要大電流和高效率的電池供電設(shè)備中,IRF2804L-VB 可以用于電池保護(hù)電路和功率管理模塊,確保電池的安全和高效運(yùn)行。

綜上所述,IRF2804L-VB MOSFET 的高性能和低功耗特性使其適用于各種高電流和高功率的電子應(yīng)用,滿足現(xiàn)代設(shè)備對(duì)可靠性和效率的要求。

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