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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IRF3007S-VB一款TO263封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): IRF3007S-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO263
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 80V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 6mΩ@VGS=10V
  • ID 120A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### IRF3007S-VB MOSFET 詳細(xì)產(chǎn)品信息

#### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

IRF3007S-VB 是一款高性能 N-Channel MOSFET,采用 TO263 封裝,專為需要高電流和低導(dǎo)通電阻的應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該 MOSFET 具有 80V 的最大漏極源極電壓 (V_DS) 和 ±20V 的柵源極電壓 (V_GS),適合用于中高壓的電源和負(fù)載控制。其柵源極閾值電壓 (V_th) 為 3V,確保低電壓下也能穩(wěn)定導(dǎo)通。在 4.5V 和 10V 的柵源電壓下,導(dǎo)通電阻 (R_DS(on)) 分別為 10mΩ 和 6mΩ,提供高效的功率傳輸。最大持續(xù)電流 (I_D) 為 120A,使其在處理高電流時(shí)具備優(yōu)異的性能。

#### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**: TO263
- **配置**: Single-N-Channel
- **最大漏極源極電壓 (V_DS)**: 80V
- **最大柵源極電壓 (V_GS)**: ±20V
- **柵源極閾值電壓 (V_th)**: 3V
- **導(dǎo)通電阻 (R_DS(on))**:
 - 10mΩ @ V_GS = 4.5V
 - 6mΩ @ V_GS = 10V
- **最大持續(xù)電流 (I_D)**: 120A
- **技術(shù)**: Trench

#### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

1. **高效電源轉(zhuǎn)換**: IRF3007S-VB 的低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力使其非常適合用于高效的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電源管理模塊。其低功耗特性幫助提升電源系統(tǒng)的整體效率,減少熱量產(chǎn)生。

2. **電動(dòng)汽車**: 在電動(dòng)汽車的動(dòng)力系統(tǒng)和電池管理模塊中,這款 MOSFET 能有效處理高電流,確保高效的功率轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電源供應(yīng)。其高電流能力和低導(dǎo)通電阻有助于提高電動(dòng)汽車的性能和續(xù)航能力。

3. **工業(yè)自動(dòng)化**: 在工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中,IRF3007S-VB 可以用作大功率電機(jī)的開關(guān)和驅(qū)動(dòng)控制。其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻使其能夠在嚴(yán)苛的工業(yè)環(huán)境中穩(wěn)定工作。

4. **功率放大器**: 在功率放大器設(shè)計(jì)中,這款 MOSFET 適合用于高功率輸出階段。其極低的導(dǎo)通電阻有助于減少功率損耗,提升音響系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。

5. **開關(guān)電源**: IRF3007S-VB 的高電流能力和低導(dǎo)通電阻使其成為開關(guān)電源設(shè)計(jì)中的理想選擇。它可以有效地控制大電流開關(guān),確保電源系統(tǒng)的高效運(yùn)行和穩(wěn)定性。

這些應(yīng)用示例展示了 IRF3007S-VB 在高電流和高效率要求的應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì),使其在電源管理、工業(yè)自動(dòng)化和功率放大器等領(lǐng)域中發(fā)揮重要作用。

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