--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package SOP8
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 30V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
- ID 13A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介:
**IRF7811ATRPBF-VB** 是一款高效能的單N溝道MOSFET,采用SOP8封裝,基于Trench技術(shù)設(shè)計(jì)。它具有30V的最大漏源電壓(VDS)和±20V的柵源電壓(VGS),以及1.7V的閾值電壓(Vth)。這款MOSFET 的導(dǎo)通電阻非常低,分別為11mΩ(@VGS=4.5V)和8mΩ(@VGS=10V),確保了優(yōu)異的導(dǎo)電性能和低功耗。其最大漏極電流(ID)為13A,適用于需要高效開關(guān)和高電流處理的應(yīng)用場(chǎng)景。IRF7811ATRPBF-VB 的設(shè)計(jì)使其非常適合在高頻率和高負(fù)載條件下工作。
### 二、詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明:
- **封裝類型**:SOP8
- **配置**:?jiǎn)蜰溝道MOSFET
- **漏源電壓(VDS)**:30V
- **柵源電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:1.7V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
- @VGS = 4.5V: 11mΩ
- @VGS = 10V: 8mΩ
- **最大漏極電流(ID)**:13A
- **技術(shù)類型**:Trench(溝槽型)
- **功率耗散**:2.5W
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 150°C
### 三、應(yīng)用領(lǐng)域與模塊說(shuō)明:
1. **電源管理與DC-DC轉(zhuǎn)換器**:
IRF7811ATRPBF-VB 在電源管理系統(tǒng)和DC-DC轉(zhuǎn)換器中表現(xiàn)優(yōu)異。其低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力使其能夠有效地處理大電流,同時(shí)減少功耗和熱量。適用于計(jì)算機(jī)電源、工業(yè)電源和通信設(shè)備中的高效能轉(zhuǎn)換器。
2. **負(fù)載開關(guān)與電源分配**:
該MOSFET 由于其高開關(guān)效率和低RDS(ON)值,特別適用于負(fù)載開關(guān)應(yīng)用,如自動(dòng)化設(shè)備、家用電器和電池管理系統(tǒng)。它能夠在高負(fù)載情況下提供穩(wěn)定的開關(guān)性能,減少能量損耗并提高系統(tǒng)的可靠性。
3. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:
IRF7811ATRPBF-VB 適用于電動(dòng)工具、電動(dòng)玩具及其他電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻使其能夠高效驅(qū)動(dòng)電機(jī),確保平穩(wěn)和可靠的操作,同時(shí)提高整體系統(tǒng)效率。
4. **汽車電子**:
在汽車電子系統(tǒng)中,這款MOSFET 可用于各種開關(guān)控制模塊,包括電池管理、電源切換和負(fù)載控制。它的高效率和穩(wěn)定性使其在汽車環(huán)境中能夠應(yīng)對(duì)高負(fù)載需求,確保車輛電子系統(tǒng)的正常運(yùn)行和長(zhǎng)期可靠性。
IRF7811ATRPBF-VB 的設(shè)計(jì)和性能使其在多個(gè)領(lǐng)域中提供高效、可靠的開關(guān)解決方案,特別適合高電流、高效能的應(yīng)用。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛