--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package SOP8
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 30V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
- ID 13A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介:
**IRF7823TRPBF-VB** 是一款高效的單N溝道MOSFET,采用SOP8封裝,基于先進(jìn)的Trench技術(shù)。該MOSFET 的最大漏源電壓(VDS)為30V,最大柵源電壓(VGS)為±20V,具有1.7V的閾值電壓(Vth)。它的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))非常低,分別為11mΩ(@VGS=4.5V)和8mΩ(@VGS=10V),可以有效降低功耗并提高電路的效率。最大漏極電流(ID)為13A,使其適用于高電流應(yīng)用。IRF7823TRPBF-VB 是高性能開(kāi)關(guān)應(yīng)用的理想選擇,能夠在苛刻條件下提供可靠的性能。
### 二、詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明:
- **封裝類型**:SOP8
- **配置**:?jiǎn)蜰溝道MOSFET
- **漏源電壓(VDS)**:30V
- **柵源電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:1.7V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
- @VGS = 4.5V: 11mΩ
- @VGS = 10V: 8mΩ
- **最大漏極電流(ID)**:13A
- **技術(shù)類型**:Trench(溝槽型)
- **功率耗散**:2.5W
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 150°C
### 三、應(yīng)用領(lǐng)域與模塊說(shuō)明:
1. **電源管理與DC-DC轉(zhuǎn)換器**:
IRF7823TRPBF-VB 是電源管理和DC-DC轉(zhuǎn)換器中的關(guān)鍵組件。由于其極低的導(dǎo)通電阻和高電流承載能力,它能夠有效地降低功耗并提高電源轉(zhuǎn)換效率。此MOSFET 適合用于計(jì)算機(jī)電源、服務(wù)器電源和工業(yè)電源模塊中,以確保高效的電力轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電源輸出。
2. **負(fù)載開(kāi)關(guān)與電源分配**:
在負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用中,IRF7823TRPBF-VB 的高開(kāi)關(guān)效率和低RDS(ON) 特性使其能夠高效控制各種負(fù)載,包括家用電器和工業(yè)控制系統(tǒng)中的電流。其可靠性和低功耗特性使其在電源分配和負(fù)載控制模塊中表現(xiàn)出色。
3. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:
這款MOSFET 特別適合用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用,如電動(dòng)工具和電動(dòng)玩具。其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻能夠確保平穩(wěn)可靠的電機(jī)驅(qū)動(dòng),減少熱量產(chǎn)生,提高電機(jī)效率,延長(zhǎng)設(shè)備使用壽命。
4. **汽車電子**:
IRF7823TRPBF-VB 在汽車電子系統(tǒng)中,尤其適用于電池管理系統(tǒng)、電源切換和負(fù)載控制模塊。其高效能和穩(wěn)定性在汽車環(huán)境中能夠應(yīng)對(duì)高負(fù)載需求,確保車輛電子系統(tǒng)的長(zhǎng)期可靠性和穩(wěn)定運(yùn)行。
IRF7823TRPBF-VB 的高效開(kāi)關(guān)性能和低功耗特性,使其在多個(gè)領(lǐng)域中提供卓越的解決方案,特別適合需要高電流和高效率的應(yīng)用場(chǎng)合。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛