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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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RES070N03-VB一款SOP8封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): RES070N03-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package SOP8
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
  • ID 13A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### RES070N03-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

RES070N03-VB 是一款高效能單N通道MOSFET,采用SOP8封裝,專為低電壓和高效率應(yīng)用設(shè)計(jì)。其額定漏極電壓為30V,適合多種電力電子設(shè)備。該MOSFET具有極低的導(dǎo)通電阻(RDS(ON)為11mΩ @ VGS=4.5V,8mΩ @ VGS=10V),在高電流條件下能有效降低熱損耗,提升系統(tǒng)效率。憑借其先進(jìn)的Trench技術(shù),RES070N03-VB廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、汽車電子及工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域,特別適合對(duì)功率和熱管理有嚴(yán)格要求的場(chǎng)合。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**:RES070N03-VB
- **封裝**:SOP8
- **配置**:?jiǎn)蜰通道
- **漏極電壓(VDS)**:30V
- **柵極電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:1.7V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:11mΩ @ VGS=4.5V  
 8mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流(ID)**:13A
- **技術(shù)**:Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例

1. **DC-DC轉(zhuǎn)換器**:
  RES070N03-VB非常適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換器,其低導(dǎo)通電阻有助于提高轉(zhuǎn)換效率,適用于電池供電的設(shè)備,如便攜式電子產(chǎn)品和充電器。

2. **電源管理**:
  在電源管理模塊中,該MOSFET能夠有效控制電流流動(dòng),確保系統(tǒng)穩(wěn)定性,廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)電源、LED驅(qū)動(dòng)和工業(yè)電源管理。

3. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:
  RES070N03-VB可用于小型電機(jī)控制應(yīng)用,提供高效的開(kāi)關(guān)性能,適合于電動(dòng)工具和家用電器中的電機(jī)驅(qū)動(dòng),提升工作效率。

4. **汽車電子**:
  此MOSFET也適用于汽車電子系統(tǒng),如電源管理和電動(dòng)窗控制,能夠在較高的環(huán)境溫度下可靠工作,確保安全和穩(wěn)定的性能。

綜上所述,RES070N03-VB憑借其優(yōu)越的電氣特性和廣泛的適用性,成為電源管理和開(kāi)關(guān)應(yīng)用中的關(guān)鍵組件,滿足多種行業(yè)需求。

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