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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K2018-01-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K2018-01-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 73mΩ@VGS=10V
  • ID 18A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### K2018-01-VB 產(chǎn)品簡介

K2018-01-VB 是一款高效能 N 溝道 MOSFET,采用 TO252 封裝,專為低電壓、高電流應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該器件的最大漏源電壓 (VDS) 為 60V,柵極電壓 (VGS) 支持 ±20V,具有良好的開關(guān)特性和低導(dǎo)通電阻,能夠有效降低功耗。其導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 在 VGS 為 4.5V 時為 85mΩ,在 VGS 為 10V 時為 73mΩ,最大漏極電流為 18A。K2018-01-VB 采用先進(jìn)的 Trench 技術(shù),確保了卓越的電性能和可靠性,適用于各種苛刻的工作條件。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號**:K2018-01-VB
- **封裝類型**:TO252
- **配置**:Single-N-Channel
- **最大漏源電壓 (VDS)**:60V
- **柵極-源電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 85mΩ @ VGS=4.5V
 - 73mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**:18A
- **技術(shù)**:Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例

1. **DC-DC 轉(zhuǎn)換器**:
  - K2018-01-VB 可廣泛應(yīng)用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中,作為開關(guān)元件進(jìn)行電壓轉(zhuǎn)換和功率管理。其低導(dǎo)通電阻能夠提高轉(zhuǎn)換效率,減少熱量產(chǎn)生,延長設(shè)備使用壽命。

2. **電源管理系統(tǒng)**:
  - 該 MOSFET 適用于各種電源管理模塊,如電池管理系統(tǒng) (BMS) 和穩(wěn)壓器,能夠在低電壓和高電流條件下高效工作,保證電源的穩(wěn)定性和可靠性。

3. **電動汽車**:
  - 在電動汽車的驅(qū)動控制系統(tǒng)中,K2018-01-VB 能夠有效地管理電動機(jī)的驅(qū)動電流,提高能效并延長電池續(xù)航時間,適應(yīng)快速響應(yīng)的需求。

4. **通信設(shè)備**:
  - K2018-01-VB 可以用于通信基站和設(shè)備中,負(fù)責(zé)高頻信號的開關(guān)與調(diào)制,確保信號處理的快速與穩(wěn)定,提高通信質(zhì)量。

5. **工業(yè)控制系統(tǒng)**:
  - 在工業(yè)自動化與控制系統(tǒng)中,該器件可以用于電機(jī)控制和自動化設(shè)備中,保證在各種工況下的可靠操作,提升系統(tǒng)整體性能。

綜上所述,K2018-01-VB 的優(yōu)越電性能和廣泛適用性使其成為多個領(lǐng)域中的理想選擇,能夠滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對高效率和高可靠性的需求。

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