### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
NTD85N02R-001-VB是一款高性能N溝道MOSFET，采用TO252封裝，適合各種功率應(yīng)用，具有極低的導(dǎo)通電阻和高電流承載能力，能夠有效提升系統(tǒng)效率和熱管理性能。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝**：TO252
- **配置**：Single-N-Channel
- **最大漏源電壓（VDS）**：20V
- **柵源電壓（VGS）**：±20V
- **閾值電壓（Vth）**：0.5~1.5V
- **導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）**：6mΩ @ VGS=2.5V，4.5mΩ @ VGS=4.5V
- **最大漏電流（ID）**：100A
- **技術(shù)**：Trench技術(shù)
### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊
NTD85N02R-001-VB廣泛應(yīng)用于電源管理系統(tǒng)，如DC-DC變換器和電機(jī)控制器，尤其適用于低電壓和高電流的場(chǎng)合。它也適合在快速開關(guān)應(yīng)用中使用，比如消費(fèi)電子產(chǎn)品和電池管理系統(tǒng)，以提高能效和延長(zhǎng)設(shè)備壽命。
