銷(xiāo)售維修電容真空計(jì) PCR 280

型號(hào)： PCR 280

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

品牌德國(guó) Pfeiffer

--- 產(chǎn)品詳情 ---

因產(chǎn)品配置不同, 價(jià)格貨期需要電議, 圖片僅供參考, 一切以實(shí)際成交合同為準(zhǔn)
皮拉尼 / 電容真空計(jì) PCR 280
上海伯東德國(guó) Pfeiffer 皮拉尼 / 電容真空計(jì) PCR 280, 內(nèi)置皮拉尼和電容式膜片, 此款真空計(jì)測(cè)量精度不受氣體類(lèi)型的影響, 真空度范圍 5X10-5 至 1500 hPa, 直流電壓: 15-30 V, 輸出信號(hào): 1.2 - 8.68 V, 可搭配真空計(jì)顯示器共同使用.
Pfeiffer 皮拉尼 / 電容真空計(jì) PCR 280 技術(shù)參數(shù)

型號(hào)	接口	測(cè)量范圍 hPa	烘烤溫度	測(cè)量精度	極限壓力	重量 g
PCR 280	DN 16 ISO-KF DN 16 CF-F	5X10-5 至 1500	80 °C	5X10-4 至 1X10-3 hPa: ± 50 % 1X10-3 至 100 hPa: ± 15 % 100 至 950 hPa: ± 5 % 950 至 1100 hPa: ± 2.5 %	5,000 hPa	120

Pfeiffer 皮拉尼 / 電容真空計(jì) PCR 280 尺寸圖

Pfeiffer 皮拉尼 / 電容真空計(jì) PCR 280 目前在售型號(hào)
真空計(jì) PCR 280 80 °C DN 16 ISO-KF
真空計(jì) PCR 280 80 °C DN 16 CF-F
若您需要進(jìn)一步了解詳細(xì)信息, 請(qǐng)聯(lián)絡(luò)上海伯東葉女士分機(jī) 107

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產(chǎn)品型號(hào)：Sigma M10 產(chǎn)地：美國(guó) 寬溫度范圍：-185°C 至 500°C 腔室體積：10 L
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產(chǎn)品型號(hào)：Sigma 品牌：inTEST 產(chǎn)地：美國(guó) 溫度范圍：-185°至 +500°C
普發(fā)分流式分子泵 SplitFlow2023-07-11 10:13

產(chǎn)品型號(hào)：SplitFlow 產(chǎn)地：德國(guó)
普發(fā)分子泵 HiPace 80 Neo2023-07-11 10:09

產(chǎn)品型號(hào)：HiPace 80 Neo 產(chǎn)地：德國(guó)

Gel-Pak VRP 可變黏度防靜電真空釋放盒2024-10-18 14:19

上海伯東美國(guó) Gel-Pak VRP 真空釋放盒相對(duì)于傳統(tǒng)的真空釋放 Vacuum Release 芯片盒, 有著優(yōu)異的防靜電性能, 但在使用中發(fā)現(xiàn), VRP 的最低黏度 EH02 （對(duì)標(biāo) VR 的 XL 黏度）在一些特定的應(yīng)用中存在黏度偏高的問(wèn)題, Gel-Pak 針對(duì)這個(gè)問(wèn)題提出了 VRP 防靜電真空釋放盒可變黏度的解決方法, 滿足高寬深比器件, 微機(jī)電

VRP 芯片防靜電
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氦質(zhì)譜檢漏儀 ASM 340W 鋰電池蓋帽(蓋板)檢漏系統(tǒng)2024-09-13 10:53

上海伯東氦質(zhì)譜檢漏儀 ASM 340W 適用于動(dòng)力電池行業(yè)和汽車(chē)行業(yè)的檢漏系統(tǒng), 提供鋰電池蓋帽(蓋板)檢漏, 汽車(chē)壓縮機(jī)真空檢漏解決方案.

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KRi 霍爾離子源 EH 2000 望遠(yuǎn)鏡鏡片光學(xué)鍍膜應(yīng)用2024-09-13 10:38

上海伯東美國(guó) KRi 大尺寸霍爾離子源 EH 2000 安裝于高性能電子束光學(xué)鍍膜機(jī), 實(shí)現(xiàn) 300 mm 望遠(yuǎn)鏡鏡片鍍膜.

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離子束刻蝕機(jī)物理量傳感器 MEMS 刻蝕應(yīng)用2024-09-12 13:31

口離子束刻蝕機(jī) IBE 可以很好的解決傳感器 MEMS 的刻蝕難題, 射頻角度可以任意調(diào)整, 蝕刻可以根據(jù)需要做垂直, 斜面等等加工形狀, 刻蝕那些很難刻蝕的硬質(zhì)或惰性材料.

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氦質(zhì)譜檢漏儀應(yīng)用于半導(dǎo)體新材料和設(shè)備管道檢漏2023-11-09 15:31

上海伯東提供半導(dǎo)體新材料和設(shè)備管道檢漏解決方案, 助力企業(yè)生產(chǎn)高質(zhì)量的六氯乙硅烷 Si?Cl?. 六氯乙硅烷廣泛應(yīng)用于有機(jī)硅化合物的合成, 電子半導(dǎo)體材料制造.

半導(dǎo)體新材料設(shè)備
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氦質(zhì)譜檢漏儀應(yīng)用于真空鍍膜生產(chǎn)線2023-08-07 14:35

Si3?N4 氮化硅鍍膜系統(tǒng). 在某次維護(hù)之后, 抽真空時(shí)只能達(dá)到 80 mbar 的壓力. 為了在如此高的工作壓力之下依然能夠進(jìn)行檢漏, 推薦選用上海伯東氦質(zhì)譜檢漏儀 ASM 340. ASM 340 檢漏儀特有的定性大漏檢測(cè)模式 ( 在 100 hPa 即可進(jìn)行大漏測(cè)試 ) , 借助此模式即可定位存在的漏點(diǎn).

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Gel-Pak VR真空釋放盒應(yīng)用于50V GaN HEMT 芯片2023-08-07 14:28

50V GaN HMET 芯片采用上海伯東美國(guó) Gel-Pak VR 真空釋放盒進(jìn)行包裝, Gel-Pak 采用了無(wú)殘膠的膜技術(shù), 可以將芯片牢固地固定住, 避免在運(yùn)輸和儲(chǔ)存過(guò)程中因?yàn)榕鲎驳仍斐尚酒膿p害.

GaN SiC 芯片
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inTEST熱流儀邏輯芯片 FPGA高低溫沖擊測(cè)試2023-08-07 14:21

FPGA 芯片需要按照 JED22-A104 標(biāo)準(zhǔn)做溫度循環(huán) TC 測(cè)試, 讓其經(jīng)受極端高溫和低溫之間的快速轉(zhuǎn)換. 一般在?-55℃~150℃ 進(jìn)行測(cè)試, 傳統(tǒng)的環(huán)境箱因?yàn)樯禍厮俣仁芟? 無(wú)法滿足研發(fā)的快速循環(huán)測(cè)試需求. 上海伯東美國(guó) inTEST 熱流儀 ATS-710E 變溫速率約 10 s, 實(shí)現(xiàn) FPGA 芯片極端高溫和低溫之間的快速轉(zhuǎn)換測(cè)

FPGA 測(cè)試芯片高低溫測(cè)試機(jī)
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上海伯東分子泵應(yīng)用于 LED 芯片退火合金爐2023-08-07 14:14

LED 芯片退火合金爐屬于真空爐的一種, 需要在真空環(huán)境下實(shí)現(xiàn) LED 芯片的退火, 合金, 濕氧氧化, 歐姆電極燒結(jié)等工藝. 腔體真空度一般在 10-3 至 10-6 hPa 之間, 上海伯東德國(guó) Pfeiffer 分子泵憑借大抽速,高穩(wěn)定性廣泛應(yīng)用于退火合金爐設(shè)備.

led 真空泵芯片
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Aston Impact 高靈敏度質(zhì)譜分析儀 CVD 清洗終點(diǎn)優(yōu)化2024-10-18 13:42

上海伯東日本 Atonarp Aston Impact 高靈敏度質(zhì)譜分析儀, 基于四級(jí)桿的質(zhì)量分離, Aston 質(zhì)譜分析儀設(shè)計(jì)緊湊, 適用于氣體分析和過(guò)程氣體監(jiān)測(cè), 滿足半導(dǎo)體工藝過(guò)程中, 沉積, 刻蝕, 光刻等氣體分析.

CVD 分析儀半導(dǎo)體質(zhì)譜分析
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Aston 質(zhì)譜儀等離子體刻蝕過(guò)程及終點(diǎn)監(jiān)測(cè)2024-10-18 13:33

刻蝕是半導(dǎo)體制造中最常用的工藝之一, 上海伯東日本 Atonarp Aston 質(zhì)譜儀適用于等離子體刻蝕過(guò)程及終點(diǎn)監(jiān)測(cè) (干法刻蝕終點(diǎn)檢測(cè)), 通過(guò)持續(xù)監(jiān)控腔室工藝化學(xué)氣體, 確保半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)的高產(chǎn)量和最大吞吐量.

分析儀半導(dǎo)體監(jiān)測(cè) 質(zhì)譜分析
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Aston 質(zhì)譜分析儀搭配 Scrubber 半導(dǎo)體尾氣處理設(shè)備進(jìn)行氣體檢測(cè)2024-10-18 13:24

半導(dǎo)體工藝一般會(huì)產(chǎn)生各種工藝氣體和顆粒材料副產(chǎn)品, 有害氣體需要以受控方式進(jìn)行處理. 上海伯東日本 Atonarp Aston 質(zhì)譜分析儀與 Scrubber 半導(dǎo)體尾氣處理設(shè)備聯(lián)用, 對(duì)處理完的氣體在線監(jiān)測(cè)分析, 并對(duì)分析數(shù)據(jù)進(jìn)行監(jiān)控和記錄, 使其符合環(huán)境法規(guī).

分析儀半導(dǎo)體氣體檢測(cè)
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鈮酸鋰 LiNbO3 薄膜 IBE 離子束刻蝕2024-09-13 10:59

隨著基于鈮酸鋰 LN 的光源, 光調(diào)制, 光探測(cè)等重要器件的實(shí)現(xiàn), 鈮酸鋰 LN 光子集成芯片有望像硅基集成電路一樣, 成為高速率, 高容量, 低能耗光學(xué)信息處理的重要平臺(tái), LiNbO3 薄膜刻蝕成特定的圖形才能用于芯片, 因 LiNbO3 惰性特性, 使用 ICP 或 RIE 工藝無(wú)法完成刻蝕, 上海伯東 IBE 離子束刻蝕機(jī)為鈮酸鋰 LiNbO3 薄膜刻蝕提供解決方案

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VCSEL 芯片
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美國(guó)進(jìn)口 KRi 考夫曼離子源 KDC 160 硅片刻蝕清潔案例2024-09-13 10:10

上海伯東美國(guó) KRi 大尺寸考夫曼離子源 KDC 160 適用于 2-4英寸的硅片刻蝕和清潔應(yīng)用, KRi KDC 160 是直流柵網(wǎng)離子源, 高輸出離子束電流超過(guò) 1000mA. 高功率光束無(wú)需對(duì)離子源進(jìn)行水冷卻即可實(shí)現(xiàn). KDC 160 配備了雙燈絲. 在標(biāo)準(zhǔn)配置下, KDC 160 典型離子能量范圍為 100 至 1200eV, 離子電流可超過(guò) 800mA.

電流硅片離子束
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inTEST 熱流儀車(chē)載顯示器高低溫光學(xué)測(cè)量應(yīng)用2024-09-12 14:17

通過(guò)美國(guó) inTEST ATS-545 熱流儀給車(chē)載顯示器升溫或降溫, 測(cè)量其在不同溫度下任意點(diǎn)的光學(xué)特性, 實(shí)現(xiàn)高低溫環(huán)境 -40 至 100℃ 下產(chǎn)品的亮度, 色度, 響應(yīng)時(shí)間和可視角度測(cè)試.

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HiCube 80 Eco 分子泵組搭配低溫阻抗測(cè)試儀應(yīng)用2023-12-08 14:29

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儀表密度繼電器繼電器
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IGBT 新能源汽車(chē) 測(cè)試
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