型號 SI2324DS-T1-GE3
絲印 VB1102M
品牌 VBsemi
詳細參數(shù)說明
- 類型 N溝道MOSFET
- 最大耐壓 100V
- 最大電流 2A
- 導通電阻 246mΩ @10V, 260mΩ @4.5V
- 門源電壓 20Vgs
- 門閾電壓 2Vth
- 封裝 SOT23
應用簡介
SI2324DS-T1-GE3是一款N溝道MOSFET，適用于需要開關高電壓和大電流的電路。其最大耐壓為100V，最大電流為2A，具有低導通電阻，可支持高功率傳輸。
該器件具有快速開關速度和低開關損耗，適用于多種應用領域，包括但不限于
1. 電源管理模塊 可用于開關電源中的電流控制和功率開關。
2. 電機驅(qū)動模塊 可用于驅(qū)動小型直流電機或步進電機。
3. 照明模塊 可用于LED驅(qū)動和調(diào)光控制。
總之，SI2324DS-T1-GE3適用于需要高電壓和大電流的應用領域的模塊設計，如電源管理、電機驅(qū)動和照明控制等。
