型號(hào) STD10NF10T4絲印 VBE1101M品牌 VBsemi詳細(xì)參數(shù)說明 類型 N溝道MOSFET 最大耐壓 100V 最大電流 18A 導(dǎo)通電阻 115mΩ@10V, 121mΩ@4.5V 門源電壓 20Vgs (±V) 門閾電壓 1.6Vth 封裝 TO252應(yīng)用簡(jiǎn)介 STD10NF10T4是一款N溝道MOSFET，適用于高電壓和大電流的應(yīng)用。其最大耐壓為100V，最大電流為18A，具有低導(dǎo)通電阻和高性能。該器件適用于多個(gè)領(lǐng)域的模塊設(shè)計(jì)，主要包括 1. 電源管理模塊 適用于高壓電源開關(guān)和DCDC變換器等。2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊 可用于驅(qū)動(dòng)大功率電機(jī)和機(jī)器人控制系統(tǒng)。3. 高壓負(fù)載開關(guān)模塊 適用于高壓負(fù)載開關(guān)和電源控制器?？傊?，STD10NF10T4適用于高電壓和大電流應(yīng)用領(lǐng)域的模塊設(shè)計(jì)，包括電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和高壓負(fù)載開關(guān)模塊等。
--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 類型 N溝道
- 最大耐壓 100V
- 最大電流 18A
- 導(dǎo)通電阻 115mΩ@10V, 121mΩ@4.5V
- 門閾電壓 1.6Vth
- 封裝 TO252
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
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VBE2610N：重塑P溝道功率方案，以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天，為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案，已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF，微碧半導(dǎo)體（VBsemi）推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代，而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛