太陽能部分多晶硅材料小知識及技術(shù)要求

A、太陽能級多晶硅料

技術(shù)要求：

總體要求：硅含量99.9999%
含硼量：<0.20ppba
含磷量：<0.90ppba
含碳量：<1.00ppba
金屬含量：<30.00ppba
金屬表面含量：<30.00ppba
尺寸大小要求：25mm---250mm
多晶種類：P型
電阻率：>0.50Ohmcm
B、破碎半導(dǎo)體級硅片

技術(shù)要求：

半導(dǎo)體級碎硅片
片子形狀為圓弧形碎片
硅片厚度>=400um
型號為P型
電阻率：>0.50Ohmcm
C、小多晶硅

技術(shù)要求

1. 型號為N型，電阻率大于50ohmcn，碳含量小于5*1016/cm3，氟含量小于 5*1017/cm3

2. 塊狀為4mm

3. 不能有氧化物夾層和不熔物，最好為免洗料

D、直拉多晶硅

技術(shù)要求

1.磷檢為N型，電阻率大于100ohmcm， 硼檢為P型，電阻率大于1000ohmcm.少婁載流子壽命大100um，碳含量小于1016cm3，氧含量小于1017 cm3

2. 塊狀小于30mm

3. 不能有氧化物夾層和不熔物，最好為免洗料

E、區(qū)熔頭尾料

技術(shù)要求

1. N型，電阻率大于50chmom 少數(shù)載流子壽命大于100μm

2. 塊狀大于 30mm

3. 區(qū)熔頭尾料不能有氣泡，不能有與線圈接觸所造成的沾污，更不能有區(qū)熔過程的流硅或不熔物。

4. 最好為免洗料

F、直拉頭尾料（IC料），最好為免洗料

1. N型，電阻率大于10ohmom

2. P型，電阻率大于 0.5ohmom

3. 塊狀大于30mm，片厚大于0.5mm

4. 直拉頭尾料不能氣泡，更不能有不熔物