運(yùn)行中的電容器，其有功損耗包括介質(zhì)損耗、極板和載流部分的電阻損耗，以及由集膚效應(yīng)產(chǎn)生的附加損耗。通常，介質(zhì)損耗占電容器總有功損耗的98％以上，介質(zhì)損耗的大小，與介質(zhì)的性能和狀態(tài)有關(guān)，一般可按下式計算：
Ps=Q*tgδ*1000=2πfc*U*U*tgδ*1000000，瓦
式中Q為電容器的無功功率，千乏；
tgδ為介質(zhì)損耗角正切值；
U為電容器運(yùn)行電壓，伏；
c為電容量，微法；
f為電壓頻率，Hz。
必須指出，介質(zhì)損耗的大小直接影響電容器的溫升。隨著tgδ的增大，介質(zhì)損耗增大，電容器內(nèi)部絕緣發(fā)熱溫度升高，從而加速絕緣老化，降低絕緣壽命。
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