鰭式場效應(yīng)晶體管工藝流程（FinFET）
從22nm 節(jié)點(diǎn)開始，Intel公司率先成功使用了鰭式場效應(yīng)晶體管(FinFET)，其制造工藝流程如圖所示。
圖中的工序1由工序1’替代，以形成鰭（Fin）。
淺槽隔離和形成鰭的過程如下所述：
首先沉積鰭軸( Mandrel)和硬掩模層，掩模圖形化鰭軸并刻蝕，形成第一側(cè)墻；
去除鰭軸，刻蝕硬掩模，去除光刻膠; 刻蝕硅 （120~150nm），氧化硅填充間隙，化學(xué)機(jī)械拋光，退火(鰭與鰭之間的淺槽隔離）；
掩模（開 SDB 區(qū)域，以切除鰭)，刻蝕硅/氧化硅(深度為 50-80nm)），氧化硅填充 SDB 間隙、化學(xué)機(jī)械拋光（鰭中間的淺槽隔離)；
刻蝕氧化硅（深度為 30~50pm），以呈現(xiàn)出鰭的高度。?
審核編輯：劉清