動(dòng)態(tài)

• 發(fā)布了文章 2026-03-10 14:36

  云鎵半導(dǎo)體將參加 ISPSD 2026 國(guó)際功率器件與功率集成電路大會(huì)

  

  云鎵半導(dǎo)體研究創(chuàng)新|云鎵半導(dǎo)體六篇研究成果被ISPSD2026錄用在剛剛結(jié)束的ISPSD2026征稿評(píng)比中，云鎵半導(dǎo)體（CloudSemi）在GaN和ICDSession的六篇投稿獲得組委會(huì)錄用接收，成為連續(xù)三年登陸ISPSD國(guó)際大舞臺(tái)的GaN中國(guó)公司（其中兩篇口頭報(bào)告），再次印證云鎵團(tuán)隊(duì)的技術(shù)水平與創(chuàng)新能力，證明了中國(guó)的GaN初創(chuàng)企業(yè)的創(chuàng)新能力，具備超車(chē)國(guó)

  功率器件 半導(dǎo)體 集成電路

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• 發(fā)布了文章 2026-02-05 17:38

  650V 雙向E-mode GaN(MBDS) Buck型AC/AC轉(zhuǎn)換器評(píng)估板

  

  云鎵半導(dǎo)體650V雙向E-modeGaN(MBDS)的應(yīng)用1.MBDS器件介紹云鎵半導(dǎo)體推出了650VE-modeGaN雙向器件MBDS(MonolithicBi-DirectionalSwitch,MBDS)。這種GaN半導(dǎo)體器件使用GaN工藝制造平臺(tái)，在無(wú)需工藝調(diào)整和MASK變動(dòng)的前提下，通過(guò)合并漂移區(qū)和漏極以及雙柵控制，即可以實(shí)現(xiàn)單片集成的氮化鎵雙向器

  GaN 評(píng)估板 轉(zhuǎn)換器

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• 發(fā)布了文章 2026-01-13 16:24

  E-mode GaN助力4.5kW對(duì)稱(chēng)半橋LLC諧振變換器突破99%最高效率

  

  云鎵半導(dǎo)體650VE-modeGaN的應(yīng)用1.背景隨著AI大數(shù)據(jù)模型的興起，對(duì)高效率、高功率密度的電源需求逐步加強(qiáng)。世界能源短缺的加劇導(dǎo)致了其他領(lǐng)域?qū)﹄娫吹母咝市枨?，各產(chǎn)業(yè)迫切希望技術(shù)進(jìn)步推動(dòng)能源供應(yīng)性能提升。與此相對(duì)應(yīng)的一個(gè)變化是關(guān)鍵性的半導(dǎo)體和器件已經(jīng)出現(xiàn)了明顯的國(guó)產(chǎn)化率迅速提升的趨勢(shì)。寬禁帶半導(dǎo)體材料（如氮化鎵、碳化硅）的應(yīng)用顯著降低了開(kāi)關(guān)損耗，同時(shí)

  GaN LLC 諧振變換器

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• 發(fā)布了文章 2026-01-13 14:33

  最高效率突破99%的4.5kW對(duì)稱(chēng)半橋LLC諧振變換器

  

  云鎵半導(dǎo)體650VEmodeGaN的應(yīng)用1.背景隨著AI大數(shù)據(jù)模型的興起，對(duì)高效率、高功率密度的電源需求逐步加強(qiáng)。世界能源短缺的加劇導(dǎo)致了其他領(lǐng)域?qū)﹄娫吹母咝市枨?，各產(chǎn)業(yè)迫切希望技術(shù)進(jìn)步推動(dòng)能源供應(yīng)性能提升。與此相對(duì)應(yīng)的一個(gè)變化是關(guān)鍵性的半導(dǎo)體和器件已經(jīng)出現(xiàn)了明顯的國(guó)產(chǎn)化率迅速提升的趨勢(shì)。寬禁帶半導(dǎo)體材料（如氮化鎵、碳化硅）的應(yīng)用顯著降低了開(kāi)關(guān)損耗，同時(shí)數(shù)

  LLC 電源 諧振變換器

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• 發(fā)布了文章 2025-12-12 16:30

  云鎵半導(dǎo)體發(fā)布 2kW 雙向開(kāi)關(guān) (GaN BDS) 前置升壓 APFC 評(píng)估板

  

  云鎵半導(dǎo)體2kW雙向開(kāi)關(guān)(GaNBDS)前置升壓APFC評(píng)估板CG-EVB-BDS-PFC-2KW1.雙向開(kāi)關(guān)前置升壓APFC由來(lái)雙向開(kāi)關(guān)前置升壓APFC是無(wú)橋APFC拓?fù)渲械囊环N，從拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)上來(lái)說(shuō)實(shí)際就是Boost電路的變形，只是交流輸入的正負(fù)半周各自對(duì)應(yīng)不同的電路，此拓?fù)涫∪チ苏鳂虻膽?yīng)用。2.Boost型APFC和雙向開(kāi)關(guān)前置升壓APFC的工作對(duì)比下表

  APFC 半導(dǎo)體 雙向開(kāi)關(guān) 評(píng)估板

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• 上傳了資料 2025-11-30 22:00

  CG65140DAA_datasheet_V1

  GaN功率器件 GaN器件 GaN晶圓 氮化鎵

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2025-11-26 09:32

  CG65140DAA增強(qiáng)型氮化鎵功率器件650V140mR封裝形式DFN8*8用于PD快充開(kāi)關(guān)電源

  

  產(chǎn)品型號(hào)：CG65140DAA VDS耐壓：700 內(nèi)阻：140mR 最小包裝：2500PCS

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• 發(fā)布了文章 2025-11-11 13:45

  云鎵大功率 GaN 產(chǎn)品 | 技術(shù)參數(shù)解讀 鈦金服務(wù)器電源 DEMO

  

  云鎵半導(dǎo)體云鎵工業(yè)級(jí)GaN產(chǎn)品器件參數(shù)解讀&3kW服務(wù)器電源DEMO1.前言云鎵半導(dǎo)體在工業(yè)級(jí)GaN產(chǎn)品上不斷耕耘，推出系列化GaN功率器件以及驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品。在應(yīng)用DEMO上陸續(xù)展示了鈦金3000W服務(wù)器電源及600W微型逆變器。本文從器件參數(shù)、系統(tǒng)DEMO及驅(qū)動(dòng)器角度全方位解讀云鎵工業(yè)級(jí)GaN產(chǎn)品系列。2.云鎵工業(yè)級(jí)GaN產(chǎn)品參數(shù)優(yōu)勢(shì)聚焦數(shù)據(jù)中心與再生能源等

  demo板 GaN 服務(wù)器電源

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• 發(fā)布了文章 2025-11-11 13:45

  應(yīng)用指導(dǎo) | CGAN003: GaN switching behavior analysis

  

  云鎵半導(dǎo)體應(yīng)用指導(dǎo)CGAN003:GaNswitchingbehavioranalysis眾所周知，GaN功率器件具有傳統(tǒng)功率器件無(wú)可比擬的性能優(yōu)勢(shì)，如大幅提升的開(kāi)關(guān)速度和顯著降低的開(kāi)關(guān)損耗，從而提供更優(yōu)的整體效率，這使得GaN器件在高頻、高效率的應(yīng)用中展現(xiàn)出明顯優(yōu)勢(shì)。我們的應(yīng)用指導(dǎo)將幫助客戶(hù)更好得使用云鎵的GaN器件，更大限度去挖掘云鎵的GaN器件的能力。

  GaN 功率器件 半導(dǎo)體

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• 發(fā)布了文章 2025-11-11 13:44

  應(yīng)用指導(dǎo) | CGAN004: GaN FET loss calculation (Boost converter)

  

  云鎵半導(dǎo)體應(yīng)用指導(dǎo)CGAN004:GaNFETlosscalculation(Boostconverter)眾所周知，GaN功率器件具有傳統(tǒng)功率器件無(wú)可比擬的性能優(yōu)勢(shì)，如大幅提升的開(kāi)關(guān)速度和顯著降低的開(kāi)關(guān)損耗，從而提供更優(yōu)的整體效率，這使得GaN器件在高頻、高效率的應(yīng)用中展現(xiàn)出明顯優(yōu)勢(shì)。我們的應(yīng)用指導(dǎo)將幫助客戶(hù)更好地使用云鎵的GaN器件，更大限度去挖掘云鎵的

  FET GaN 功率器件

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