1. 前言

云鎵半導體在工業(yè)級GaN產(chǎn)品上不斷耕耘，推出系列化GaN功率器件以及驅(qū)動器產(chǎn)品。在應用DEMO上陸續(xù)展示了鈦金3000W服務器電源及600W微型逆變器。本文從器件參數(shù)、系統(tǒng)DEMO及驅(qū)動器角度全方位解讀云鎵工業(yè)級GaN產(chǎn)品系列。

2. 云鎵工業(yè)級 GaN 產(chǎn)品參數(shù)優(yōu)勢

聚焦數(shù)據(jù)中心與再生能源等應用，云鎵半導體陸續(xù)推出適合不同功率段的GaN器件，形態(tài)覆蓋DFN8*8、TOLL和TOLT等，更有 650V/150A 超大電流的 GaN 管芯。

通過器件設計與工藝平臺的共同優(yōu)化，將GaN關鍵性能參數(shù) Ron,max*Qg 以及 Ron,max*Qoss大幅優(yōu)化，很好解決了導通損耗與驅(qū)動損耗、開關損耗的trade-off問題。同時基于更優(yōu)化的走線方案以及工藝升級，管芯面積較業(yè)界同行大幅縮減，在DFN8*8封裝里可以實現(xiàn)極低內(nèi)阻 50m?。

在器件參數(shù)上，以650V/30m?器件為例，云鎵半導體GaN產(chǎn)品在柵電荷Qg、輸出電荷Qoss、輸出電容存儲能量Eoss均領先于國內(nèi)同行，與國際頭部廠商持平。在電源應用中表現(xiàn)出更快的驅(qū)動速度（更低的驅(qū)動損耗）、更快的開關速度（更低的開關損耗）、更低的輸出電容損耗，從而實現(xiàn)更高的開關頻率，更小的電源體積，更高的電源密度。單片集成的 ESD防護電路提供了2kV HBM 等級，確保 GaN 器件在 PCB 生產(chǎn)組裝環(huán)節(jié)更加安全可靠。詳細參數(shù)，可以訪問云鎵官網(wǎng)獲取規(guī)格書。

3. 鈦金 3000W 服務器電源應用

基于自研的650V/30m? CG65030TAD，云鎵實現(xiàn)3000W 服務器電源DEMO，實物圖如下。電源拓撲為PFC + LLC（PFC 與 LLC 子板各 4 顆 30m? GaN）。在溫升與效率對比上，使用廠商Vendor-B 的同規(guī)格TOLL器件進行測試對比。

如下為 PFC 側(cè) GaN 器件測試波形，PFC最高開關頻率達到將近 500kHz。

在與國內(nèi)廠商Vendor-B的溫升與效率對比實驗中，半載效率上，CG65030TAD相較于同規(guī)格友商的TOLL器件效率高0.5%，溫升較友商低~10攝氏度。

4. GaN專用驅(qū)動器與DrGaN

E-mode GaN器件的驅(qū)動電壓一般在5~7V，若采用傳統(tǒng) SiMOSFET驅(qū)動器，需增加額外的R/C元件，造成一定的驅(qū)動復雜度以及可靠度問題，在消費電子應用尚可，在工業(yè)電源推廣風險極大。另一種解決方案——限制驅(qū)動器的供電電壓在6V附近，又要額外引入穩(wěn)壓電路，給電源設計工作者造成諸多不便。

基于上述問題，云鎵推出針對E-mode GaN的專用驅(qū)動器CGC02201，其是一款針對GaN 的單通道Low-Side柵極驅(qū)動器，拉電流能力強，峰值拉電流可達4A，適合Boost-PFC，Totem-pole PFC和LLC等電路拓撲，如下為典型應用電路：

產(chǎn)品主要特點：

寬供電電壓范圍VCC

集成線性穩(wěn)壓器，供電電壓最高達18V，內(nèi)置穩(wěn)壓電路可提供穩(wěn)定的6V末級供電，確保GaN器件柵極能穩(wěn)定接受6V的驅(qū)動信號。

寬PWM輸入幅度

輸入PWM幅值最高達18V，兼容傳統(tǒng)硅基器件控制器，為電源設計提供極大便捷。

獨立的SGND與PGND設計

采用獨立的SGND和PGND設計，實現(xiàn)輸出和輸入間的信號隔離，提升系統(tǒng)可靠度。

獨立的柵極開啟與關斷回路設計

采用獨立的OUT+ 和OUT- 設計，實現(xiàn)獨立可調(diào)的開啟和關斷速度。

靈活可調(diào)dV/dt

通過調(diào)整外接Rg大小，靈活調(diào)整turn-on slew rate，提供足夠的EMI調(diào)整空間。

產(chǎn)品組合上，云鎵推出DrGaN產(chǎn)品系列：“Dr+LS”單邊合封、“Dr+HB”半橋合封產(chǎn)品。