動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2026-04-13 18:04

  「納米光柵無損檢測」告別破壞性表征，光譜橢偏儀實現(xiàn)99.97%精度無損測量

  

  隨著半導(dǎo)體技術(shù)的持續(xù)演進，器件特征尺寸不斷縮減，而量產(chǎn)化的工藝需求卻日益提高，納米壓印技術(shù)因此應(yīng)運而生。納米壓印（NIL）的基本原理是將模具上的圖形直接轉(zhuǎn)移至襯底，從而實現(xiàn)批量化復(fù)制。與傳統(tǒng)光刻工藝相比，納米壓印還具有工藝簡單、分辨率高、生產(chǎn)效率高、成本低等顯著優(yōu)勢，已成為半導(dǎo)體加工工藝中最重要的技術(shù)路線之一。在納米壓印工藝過程中，模板和器件的關(guān)鍵尺寸（CD

  儀器 光譜 測量

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• 發(fā)布了文章 2026-04-10 18:04

  磁控濺射SiO?薄膜工藝優(yōu)化：臺階儀在膜厚與粗糙度表征中的應(yīng)用

  

  氧化硅（SiO?）薄膜作為典型的功能薄膜材料，具有優(yōu)良的光學(xué)、電學(xué)及機械性能，在液晶顯示、太陽能電池、建筑玻璃及汽車玻璃等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。其低折射率和高透光特性，使其在光學(xué)減反射膜和表面保護層中具有重要作用。在太陽能電池中，氧化硅薄膜不僅可作為隔離層抑制載流子復(fù)合，還可作為抗反射層提升光吸收效率，從而改善器件整體性能與穩(wěn)定性。隨著高性能薄膜需求的不斷提升，

  儀器 材料 薄膜

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• 發(fā)布了文章 2026-04-08 18:05

  橢偏儀薄膜測試解決方案：半導(dǎo)體、聚合物與生物傳感的高精度表征

  

  近年來，隨著材料科學(xué)的快速發(fā)展，薄膜制備技術(shù)及表界面研究逐漸成為研究熱點。納米加工技術(shù)的不斷成熟，使得器件性能要求持續(xù)提高，相應(yīng)地，各類微納表征技術(shù)也得到了快速發(fā)展。SEM、AFM及TEM等方法雖具備高空間分辨率與良好的可視化能力，但普遍存在對樣品造成不可逆損傷的問題，且難以實現(xiàn)原位檢測。相比之下，橢圓偏振光譜（SpectroscopicEllipsomet

  半導(dǎo)體 測試 薄膜

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• 發(fā)布了文章 2026-04-03 18:01

  臺階儀在薄膜晶體管的應(yīng)用 | 精準(zhǔn)表征有源層厚度均勻性

  

  在薄膜晶體管（TFT）的研發(fā)與性能優(yōu)化中，有源層（即半導(dǎo)體溝道層）的厚度是決定器件電學(xué)特性（如閾值電壓、開關(guān)比、遷移率）的核心參數(shù)之一。本文聚焦于互補型薄膜晶體管（CTFT）的工藝優(yōu)化，系統(tǒng)探究了P型SnO、Te及N型SnO?薄膜的厚度對最終器件性能的影響。為確保實驗結(jié)論的可靠性，精確控制并驗證薄膜的實際沉積厚度成為前提條件。本研究采用Flexfilm費曼儀

  儀器 晶體管 薄膜

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• 發(fā)布了文章 2026-04-01 18:05

  光譜橢偏法對大面積室溫直流濺射AZO薄膜均勻性的表征研究

  

  鋁摻雜氧化鋅（Al:ZnO，AZO）兼具高透明度與高導(dǎo)電性，且組成元素儲量豐富、無毒，適用于多種大面積光電器件。光譜橢偏法通過引入振蕩子模型，可以同時提取薄膜的多個光學(xué)和電學(xué)參數(shù)，是評估大面積沉積質(zhì)量的有效手段。本研究用該方法對沉積在15cm×15cm玻璃襯底上的AZO薄膜進行多點測量，獲取方塊電阻和可見光透過率的空間分布。對照測量（分光光度法和四探針法）顯

  光譜 測量 薄膜

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• 發(fā)布了文章 2026-03-30 18:02

  臺階儀在Mo?C薄膜測量中的應(yīng)用 | 粗糙化比率>1的薄膜材料

  

  在薄膜科學(xué)與技術(shù)領(lǐng)域，表面粗糙度是評價薄膜質(zhì)量、理解生長機制的重要指標(biāo)。Flexfilm費曼儀器探針式臺階儀可以實現(xiàn)表面微觀特征的精準(zhǔn)表征與關(guān)鍵參數(shù)的定量測量，精確測定樣品的表面臺階高度與膜厚，為材料質(zhì)量把控和生產(chǎn)效率提升提供數(shù)據(jù)支撐。本文基于臺階儀對Mo?C薄膜表面粗糙度的測量結(jié)果，結(jié)合晶粒邊界修正，系統(tǒng)分析了其快速粗糙化現(xiàn)象，并對常規(guī)粗糙化理論難以解釋的

  測量 薄膜 薄膜材料

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• 發(fā)布了文章 2026-03-27 18:02

  基于橢偏儀的大尺寸MPALD氧化鋁薄膜厚度均勻性與n、k值表征

  

  隨著半導(dǎo)體制造工藝不斷向更小線寬和更高精度演進，原子層沉積技術(shù)因其原子級厚度可控性及優(yōu)異的均勻性、保形性，在集成電路制造領(lǐng)域獲得廣泛應(yīng)用。然而，傳統(tǒng)熱驅(qū)動原子層沉積工藝受限于配體交換反應(yīng)的溫度要求，難以滿足熱敏感基底的低溫沉積需求。為此，等離子體增強原子層沉積技術(shù)通過引入高活性自由基替代熱反應(yīng)，有效拓寬了材料范圍并降低了沉積溫度。在各類等離子體源中，微波等離

  儀器 半導(dǎo)體制造 薄膜

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• 發(fā)布了文章 2026-03-23 18:03

  AlN薄膜表征難點解析：橢偏儀從光學(xué)常數(shù)到附著性能的系統(tǒng)表征

  

  氮化鋁（AlN）作為Al-N二元體系中唯一的穩(wěn)定相，具有六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)，是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，禁帶寬度達6.2eV。其具備高電阻率、低熱膨脹系數(shù)、高硬度、良好的化學(xué)穩(wěn)定性以及優(yōu)異的熱導(dǎo)率（3.2W/cm·K），在可見光至紅外波段也表現(xiàn)出較高的光學(xué)透過率。這些特性使AlN薄膜在微電子器件、光電器件以及防護涂層等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。Flexfilm費曼儀器

  光學(xué) 測試儀 薄膜

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• 發(fā)布了文章 2026-03-20 18:05

  臺階儀在集成電路制造中的應(yīng)用：高端光刻膠材料純化研究進展

  

  隨著集成電路制程節(jié)點不斷向納米尺度邁進，光刻技術(shù)已從紫外全譜（g線、i線）發(fā)展到深紫外（KrF、ArF）乃至極紫外（EUV）光源。光刻膠作為光刻工藝的核心材料，其純度直接影響光刻圖案的分辨率與芯片良率。尤其在EUV光刻時代，對光刻膠中金屬雜質(zhì)和顆粒物的控制要求已趨極致，因此光刻膠原料及成品的純化處理成為決定光刻技術(shù)水平的關(guān)鍵環(huán)節(jié)之一。Flexfilm費曼儀器

  光刻膠 材料 集成電路

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• 發(fā)布了文章 2026-03-18 18:02

  光譜橢偏儀在AR衍射光波導(dǎo)工藝表征中的應(yīng)用研究

  

  增強現(xiàn)實顯示技術(shù)通過將虛擬信息與真實場景無縫融合，為用戶提供全新的視覺體驗，在娛樂、教育、醫(yī)療、設(shè)計及導(dǎo)航等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。AR近眼顯示設(shè)備作為下一代顯示技術(shù)的代表，正逐步從軍用領(lǐng)域向消費電子領(lǐng)域拓展。其核心挑戰(zhàn)在于如何在輕薄化的設(shè)備中實現(xiàn)高畫質(zhì)、大視場角和高光效的圖像傳輸。Flexfilm費曼儀器全光譜橢偏儀可以非接觸對薄膜的厚度與折射率的高精度表

  Ar 光波 光譜

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