ADS41B25 作為 ADS4xxx 模數(shù)轉(zhuǎn)換器 （ADC） 系列成員，采用集成模擬輸入緩沖器。 該器件運用創(chuàng)新的設計技術以實現(xiàn)高動態(tài)性能，且功耗極低 。 其模擬輸入引腳采用緩沖器，具有跨寬頻率范圍的恒量性能和輸入阻抗優(yōu)勢。 這類器件非常適合于 PA l線性化等多載波、大帶寬通信應用。

ADS41B25 具有數(shù)字增益和偏移校正等功能。 該增益選項可用于在較低的滿量程輸入范圍 （特別是高輸入頻率條件）下改善 SFDR 性能。 集成的 dc 偏移校正環(huán)路可用于評估和消除 ADC 偏移。 在較低的采樣速率條件下， ADC 的操作功耗將自動減低，而沒有性能損失。

該器件支持雙數(shù)據(jù)速率 （DDR） 、低電壓差動信號 （LVDS） 和 CMOS 數(shù)字輸出接口。 DDR LVDS 接口（最大 500MBPS）的低數(shù)據(jù)速率實現(xiàn)了對基于現(xiàn)場可編程門陣列 （FPGA） 的低成本接收器的采用。 該器件具有可用于進一步降低功耗的低擺幅 LVDS 模式。 可提高 LVDS 輸出緩沖器的強度來支持 50Ω 差分終端電阻。器件采用緊湊型 QFN-48 封裝，而且其技術規(guī)格是針對工業(yè)溫度范圍（–40°C 至 +85°C）擬訂的。

特性

? 分辨率：12 位 125MSPS

? 集成高阻抗

模擬輸入緩沖器：

? dc 輸入電容：3.5pF

? dc 輸入電阻：10kΩ

? 最高采樣速率：125MSPS

? 超低功耗：

? 1.8V 模擬功耗：114mW

? 3.3V 緩沖功耗：96mW

? I/O 功耗：100mW （DDR LVDS）

? 高動態(tài)性能：

? SNR： 68.3dBFS （170MHz 時）

? SFDR： 87dBc（170MHz 時）

? 輸出接口：

? 支持可編程擺幅和強度的雙倍數(shù)據(jù)速率 （DDR） LVDS：

? 標準擺幅：350mV

? 低擺幅：200mV

? 默認強度：100Ω 終端電阻

? 2 倍強度：50Ω 終端電阻

? 也支持 1.8V 并行 CMOS 接口

? 可編程增益支持 SNR/SFDR 平衡

? DC 偏移校正

? 支持低輸入時鐘幅度

? 封裝： QFN-48 （7mm × 7mm）

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