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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>

模擬技術(shù)

電子發(fā)燒友網(wǎng)為用戶提供了專業(yè)的模擬技術(shù)文章和模擬電子技術(shù)應(yīng)用資料等;是值得收藏和分享的模擬技術(shù)與電子技術(shù)欄目。
關(guān)于半導(dǎo)體“源極橋式電路-開爾文接法(Kelvin connection)”的詳解

關(guān)于半導(dǎo)體“源極橋式電路-開爾文接法(Kelvin connection)”的詳解

故事源于威廉·湯姆森在1862年利用單臂電橋測(cè)量小電阻時(shí),遇到的一些問題。他發(fā)現(xiàn)引線電阻和連接點(diǎn)處的接觸電阻超過(guò)了被測(cè)電阻值,導(dǎo)致測(cè)量結(jié)果誤差非常大。然后,他發(fā)明了一種橋式電路...

2026-04-12 標(biāo)簽:電路半導(dǎo)體半導(dǎo)體開爾文原理開爾文檢測(cè)電路 1738

基于STM32F103驅(qū)動(dòng)AD9954 高速DDS信號(hào)發(fā)生器模塊輸出波形信號(hào)

基于STM32F103驅(qū)動(dòng)AD9954 高速DDS信號(hào)發(fā)生器模塊輸出波形信號(hào)

AD9954是一款高性能直接數(shù)字頻率合成器(DDS)芯片,支持150MHz正弦波和120MHz方波輸出,頻率分辨率達(dá)0.01Hz ,支持線性掃頻、相位調(diào)節(jié)(0.022°步進(jìn))和多種時(shí)鐘源選擇,通過(guò)SPI接口編程,提供雙通道差...

2026-04-02 標(biāo)簽:DDS信號(hào)發(fā)生器STM32F103 8588

基本半導(dǎo)體碳化硅功率器件在有源濾波器APF中的應(yīng)用

基本半導(dǎo)體碳化硅功率器件在有源濾波器APF中的應(yīng)用

在有源電力濾波器(APF)系統(tǒng)中,功率器件的選擇直接影響整機(jī)的濾波性能、效率與可靠性。隨著電網(wǎng)電能質(zhì)量要求日益提高,APF需要具備更高的開關(guān)頻率、更低的損耗以及更強(qiáng)的過(guò)載能力。碳...

2026-03-26 標(biāo)簽:功率器件碳化硅功率器件有源濾波器碳化硅 7722

瑞薩RA系列FSP庫(kù)開發(fā)實(shí)戰(zhàn)指南之ADC簡(jiǎn)介和結(jié)構(gòu)框圖

瑞薩RA系列FSP庫(kù)開發(fā)實(shí)戰(zhàn)指南之ADC簡(jiǎn)介和結(jié)構(gòu)框圖

ADC即模擬-數(shù)字轉(zhuǎn)換器(Analog-to-digital converter),是一種用于將連續(xù)的模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為離散的數(shù)字信號(hào)的器件。就比如我們可以將我們生活中的溫度、壓力、聲音這樣的模擬信號(hào)通過(guò)ADC轉(zhuǎn)化為可...

2026-04-01 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器adc瑞薩數(shù)字信號(hào) 7471

利用SiC CJFET替代超結(jié)MOSFET以及開關(guān)電源應(yīng)用

利用SiC CJFET替代超結(jié)MOSFET以及開關(guān)電源應(yīng)用

碳化硅(SiC)憑借其優(yōu)異的材料特性,在服務(wù)器、工業(yè)電源等關(guān)鍵領(lǐng)域掀起技術(shù)變革浪潮。本教程聚焦 SiC 尤其是 SiC JFET 系列器件,從碳化硅如何重構(gòu)電源設(shè)計(jì)邏輯出發(fā),剖析其在工業(yè)與服務(wù)器...

2026-04-15 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源碳化硅MOSFET開關(guān)電源碳化硅緩沖電路 50

瑞薩RA系列FSP庫(kù)開發(fā)實(shí)戰(zhàn)指南之使用DAC輸出正弦波信號(hào)實(shí)驗(yàn)

瑞薩RA系列FSP庫(kù)開發(fā)實(shí)戰(zhàn)指南之使用DAC輸出正弦波信號(hào)實(shí)驗(yàn)

野火啟明6M5開發(fā)板的引出引腳電路圖如圖所示。...

2026-04-14 標(biāo)簽:電路圖正弦波dac開發(fā)板 1408

川土微電子推出CA-IS1200C系列全新一代通用隔離式運(yùn)放

川土微電子推出CA-IS1200C系列全新一代通用隔離式運(yùn)放

川土微電子全新一代CA-IS1200C系列通用隔離式運(yùn)放,在繼承CA-IS1200經(jīng)典性能基礎(chǔ)上,實(shí)現(xiàn)了從精度、功耗到集成度的全面進(jìn)化。...

2026-04-14 標(biāo)簽:運(yùn)放川土微電子 283

如何通過(guò)高抑制比設(shè)計(jì)優(yōu)化射頻轉(zhuǎn)換器性能

如何通過(guò)高抑制比設(shè)計(jì)優(yōu)化射頻轉(zhuǎn)換器性能

本期為大家?guī)?lái)的是《雷達(dá)應(yīng)用中射頻轉(zhuǎn)換器的無(wú)雜波電源(第 2 部分)》,介紹了本文闡述了電源噪聲通過(guò) ADC 內(nèi)部電路耦合對(duì)系統(tǒng)性能的負(fù)面影響,并重點(diǎn)分析了電源抑制比(PSRR)在其中的...

2026-04-14 標(biāo)簽:射頻adc電源抑制比adcADC射頻電源噪聲電源抑制比 301

低壓GaN DC/DC轉(zhuǎn)換器柵極驅(qū)動(dòng)器電源測(cè)量方案

低壓GaN DC/DC轉(zhuǎn)換器柵極驅(qū)動(dòng)器電源測(cè)量方案

圖1顯示了一個(gè)12 V降壓型轉(zhuǎn)換器,它基于LTC7891同步控制器,用于驅(qū)動(dòng)100 V GaN FET。以500 kHz頻率運(yùn)行時(shí),在20 A負(fù)載和48 V輸入下,它可實(shí)現(xiàn)97%的效率。這比目前的100 V硅FET效率高出約2%,功率損耗減...

2026-04-14 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器晶體管GaN柵極驅(qū)動(dòng)器 344

上海貝嶺高精度SAR ADC芯片108X系列斬獲CITE 2026創(chuàng)新獎(jiǎng)

上海貝嶺高精度SAR ADC芯片108X系列斬獲CITE 2026創(chuàng)新獎(jiǎng)

2026年4月9日,第十四屆中國(guó)電子信息博覽會(huì)(CITE 2026)在深圳會(huì)展中心盛大開幕。作為亞洲規(guī)模宏大、產(chǎn)業(yè)鏈最全的電子信息行業(yè)盛會(huì),CITE 2026不僅匯聚了全球超1000家領(lǐng)軍企業(yè),更在同期隆重...

2026-04-13 標(biāo)簽:電子信息adc上海貝嶺 551

領(lǐng)慧立芯推出LHA7879-2/4全新同步采樣24位ΣΔ ADC

領(lǐng)慧立芯推出LHA7879-2/4全新同步采樣24位ΣΔ ADC

LHA7879-2/4是一款2/4通道同步采樣24位ΣΔ ADC,具備寬動(dòng)態(tài)范圍、低功耗以及專為電能測(cè)量?jī)?yōu)化的特性。...

2026-04-13 標(biāo)簽:放大器adc 350

瑞薩RA系列FSP庫(kù)開發(fā)實(shí)戰(zhàn)指南之DAC簡(jiǎn)介和結(jié)構(gòu)框圖

瑞薩RA系列FSP庫(kù)開發(fā)實(shí)戰(zhàn)指南之DAC簡(jiǎn)介和結(jié)構(gòu)框圖

DAC為數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換模塊,它的作用就是把輸入的數(shù)字編碼,轉(zhuǎn)換成對(duì)應(yīng)的模擬電壓輸出,它的功能與ADC相反。在常見的數(shù)字信號(hào)系統(tǒng)中,大部分傳感器信號(hào)被轉(zhuǎn)化成電壓信號(hào),而ADC把電壓模擬...

2026-04-11 標(biāo)簽:正弦波dac瑞薩引腳 5248

安森美SiC Cascode JFET與SiC Combo JFET深度解析

安森美SiC Cascode JFET與SiC Combo JFET深度解析

碳化硅(SiC)憑借其優(yōu)異的材料特性,在服務(wù)器、工業(yè)電源等關(guān)鍵領(lǐng)域掀起技術(shù)變革浪潮。本教程聚焦 SiC 尤其是 SiC JFET 系列器件,從碳化硅如何重構(gòu)電源設(shè)計(jì)邏輯出發(fā),剖析其在工業(yè)與服務(wù)器...

2026-04-10 標(biāo)簽:半導(dǎo)體安森美SiCJFETSiC半導(dǎo)體安森美 915

介紹三種替代Si和SiC MOSFET的方案

介紹三種替代Si和SiC MOSFET的方案

碳化硅(SiC)憑借其優(yōu)異的材料特性,在服務(wù)器、工業(yè)電源等關(guān)鍵領(lǐng)域掀起技術(shù)變革浪潮。本教程聚焦 SiC 尤其是 SiC JFET 系列器件,從碳化硅如何重構(gòu)電源設(shè)計(jì)邏輯出發(fā),剖析其在工業(yè)與服務(wù)器...

2026-04-08 標(biāo)簽:MOSFET安森美JFETSiC 1398

巨霖科技暢談高速接口SI Signoff仿真對(duì)SPICE的挑戰(zhàn)

巨霖科技暢談高速接口SI Signoff仿真對(duì)SPICE的挑戰(zhàn)

做過(guò) PCIe Gen6/7 或 DDR5 Signoff 的工程師,大多遇到過(guò)同一個(gè)困境:沒有一個(gè)所有人都認(rèn)可的標(biāo)準(zhǔn)流程。有的團(tuán)隊(duì)遵循 JEDEC 規(guī)范,有的依靠長(zhǎng)期工程經(jīng)驗(yàn)給出裕量估算,整體而言仍處于"各憑經(jīng)...

2026-04-02 標(biāo)簽:仿真eda高速接口 2072

IGBT與SiC MOSFET功率模塊的失效機(jī)理、診斷方法與防護(hù)策略

IGBT與SiC MOSFET功率模塊的失效機(jī)理、診斷方法與防護(hù)策略

本文系統(tǒng)性對(duì)比了絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)與碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(SiC MOSFET)功率模塊的失效機(jī)理、診斷方法與防護(hù)策略。...

2026-04-01 標(biāo)簽:MOSFETIGBT晶體管功率模塊 8196

潤(rùn)石科技榮登2026中國(guó)IC設(shè)計(jì)Fabless100排行榜TOP10模擬芯片公司

潤(rùn)石科技榮登2026中國(guó)IC設(shè)計(jì)Fabless100排行榜TOP10模擬芯片公司

今日,全球電子工程領(lǐng)域權(quán)威技術(shù)媒體機(jī)構(gòu) AspenCore重磅揭曉了2026中國(guó)IC設(shè)計(jì)Fabless100排行榜,榜單覆蓋MCU、AI芯片、電源管理(PMIC)、功率器件、存儲(chǔ)器、處理器、無(wú)線連接、射頻與通信網(wǎng)絡(luò)、傳感器...

2026-04-01 標(biāo)簽:半導(dǎo)體IC設(shè)計(jì)模擬芯片 1859

ARK(方舟微)耗盡型MOSFET產(chǎn)品在英飛凌PD快充方案的應(yīng)用

ARK(方舟微)耗盡型MOSFET產(chǎn)品在英飛凌PD快充方案的應(yīng)用

隨著USB PD 3.1協(xié)議的逐步普及,快充電源正向著更高功率密度持續(xù)演進(jìn)。USB PD 3.1標(biāo)準(zhǔn)將擴(kuò)展功率范圍(EPR)提升至最高240W(48V/5A),使USB-C接口的應(yīng)用場(chǎng)景從消費(fèi)電子延伸至高性能筆記本電腦、...

2026-03-30 標(biāo)簽:MOSFETusb氮化鎵 2356

數(shù)明半導(dǎo)體推出SiLM208x系列200V高壓高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)芯片

數(shù)明半導(dǎo)體推出SiLM208x系列200V高壓高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)芯片

在工業(yè)電力電子蓬勃發(fā)展的當(dāng)下,設(shè)備性能與穩(wěn)定性的要求愈發(fā)嚴(yán)格。三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)憑借其廣泛且深入的應(yīng)用,滲透至各類關(guān)鍵場(chǎng)景。在工業(yè)生產(chǎn)領(lǐng)域,它助力精密加工實(shí)現(xiàn)高精度運(yùn)作,推動(dòng)自...

2026-03-27 標(biāo)簽:MOSFETIGBT驅(qū)動(dòng)芯片數(shù)明半導(dǎo)體 2749

基于瑞薩R7FA2L1AB2DFL單片機(jī)的水位檢測(cè)器制作方案

基于瑞薩R7FA2L1AB2DFL單片機(jī)的水位檢測(cè)器制作方案

文章主要介紹如何使用e2studio靈活軟件包(FSP)對(duì)瑞薩R7FA2L1AB2DFL單片機(jī)開發(fā)板進(jìn)行ADC單通道采集電壓,評(píng)估AD功能,以及制作水位檢測(cè)器。其中重點(diǎn)介紹了使用EZ-CUBE3仿真器對(duì)RA-Eco-RA2L1-48PIN開發(fā)...

2026-03-26 標(biāo)簽:單片機(jī)adc 5670

華潤(rùn)微電子重磅推出第五代SGT MOSFET產(chǎn)品CRSZ014N08N5Z

華潤(rùn)微電子重磅推出第五代SGT MOSFET產(chǎn)品CRSZ014N08N5Z

瞄準(zhǔn)這一高速增長(zhǎng)的市場(chǎng)領(lǐng)域,華潤(rùn)微電子功率集成事業(yè)群(PIBG)重磅推出第五代SGT MOSFET——CRSZ014N08N5Z,為全球BMS市場(chǎng)帶來(lái)突破性的技術(shù)升級(jí)和產(chǎn)品體驗(yàn)。...

2026-03-26 標(biāo)簽:MOSFETbms華潤(rùn)微電子 2301

安森美SiC JFET驅(qū)動(dòng)工業(yè)與服務(wù)器電源革新

安森美SiC JFET驅(qū)動(dòng)工業(yè)與服務(wù)器電源革新

碳化硅(SiC)憑借其優(yōu)異的材料特性,在服務(wù)器、工業(yè)電源等關(guān)鍵領(lǐng)域掀起技術(shù)變革浪潮。本教程聚焦 SiC 尤其是 SiC JFET 系列器件,從碳化硅如何重構(gòu)電源設(shè)計(jì)邏輯出發(fā),剖析其在工業(yè)與服務(wù)器...

2026-03-25 標(biāo)簽:安森美JFET服務(wù)器SiC 1183

一種基于低噪聲電源管理架構(gòu)的射頻采樣系統(tǒng)設(shè)計(jì)方案

一種基于低噪聲電源管理架構(gòu)的射頻采樣系統(tǒng)設(shè)計(jì)方案

本期為大家?guī)?lái)的是《雷達(dá)應(yīng)用中射頻轉(zhuǎn)換器的無(wú)雜波電源(第 1 部分)》,介紹了一種基于低噪聲電源管理架構(gòu)的射頻采樣系統(tǒng)設(shè)計(jì)方案,以解決相控陣?yán)走_(dá)和 5G 通信應(yīng)用中因開關(guān)電源噪聲...

2026-03-25 標(biāo)簽:射頻電源管理adcadcADC射頻模數(shù)轉(zhuǎn)換器電源管理采樣系統(tǒng) 2841

使用德州儀器ADS9813 ADC突破PMU測(cè)量瓶頸

使用德州儀器ADS9813 ADC突破PMU測(cè)量瓶頸

自動(dòng)化測(cè)試設(shè)備 (ATE) 機(jī)架包含各種電子子系統(tǒng)(例如電壓-電流 (VI) 源卡),可用于進(jìn)行半導(dǎo)體測(cè)試。VI 卡的功能是提供精確穩(wěn)定的電壓和電流源以及測(cè)量來(lái)測(cè)試半導(dǎo)體器件的電氣特性。參數(shù)測(cè)...

2026-03-25 標(biāo)簽:半導(dǎo)體adcadcADC半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備 6417

帝奧微推出全新光模塊模擬前端芯片DIO10904

帝奧微推出全新光模塊模擬前端芯片DIO10904

模擬前端(AFE)芯片是光模塊中承擔(dān)信號(hào)調(diào)理、放大與監(jiān)測(cè)等關(guān)鍵功能的模擬芯片,直接影響鏈路性能和功耗水平。在高速率傳輸中,它需要輸出極低的噪聲以確保激光器輸出的信號(hào)不受干擾,...

2026-03-24 標(biāo)簽:模擬前端光模塊帝奧微電子 31013

理想二極管是什么二極管?深度解析內(nèi)部實(shí)現(xiàn)邏輯

理想二極管是什么二極管?深度解析內(nèi)部實(shí)現(xiàn)邏輯

? 大家好啊,想必大家一定見過(guò)下圖的這個(gè)經(jīng)典的電路圖,這個(gè)圖在樹莓派3B的電路板上有使用,從原理圖的注釋也很容易猜到,這是電路是分立器件搭建的一個(gè)理想二極管電路,它實(shí)現(xiàn)的功能...

2026-03-24 標(biāo)簽:二極管電路圖NMOS理想二極管 9407

ANPC雙脈沖測(cè)試避坑指南

ANPC雙脈沖測(cè)試避坑指南

雙脈沖測(cè)試是評(píng)估功率開關(guān)器件(如IGBT、MOSFET)動(dòng)態(tài)性能的關(guān)鍵方法,廣泛應(yīng)用于電力電子系統(tǒng)的研發(fā)與驗(yàn)證中。今天咱不聊深?yuàn)W的公式,就聊一聊雙脈沖測(cè)試中幾個(gè)最容易忽略踩雷的問題:...

2026-03-20 標(biāo)簽:功率開關(guān)IGBTANPCIGBT功率開關(guān)差分探頭 7039

中微愛芯推出16bit高精度模數(shù)轉(zhuǎn)換器AiP8342

中微愛芯推出16bit高精度模數(shù)轉(zhuǎn)換器AiP8342

AiP8342是中微愛芯推出的一款16bit、15MSPS、單電源、單通道的完整高速模數(shù)轉(zhuǎn)換器。主要用于CCD成像應(yīng)用設(shè)計(jì)。...

2026-03-20 標(biāo)簽:傳感器CCD模數(shù)轉(zhuǎn)換器 1331

圣邦微電子SGM63600電源系統(tǒng)的汽車電子抗擾度測(cè)試方案

圣邦微電子SGM63600電源系統(tǒng)的汽車電子抗擾度測(cè)試方案

基于ISO7637(汽車中傳導(dǎo)和耦合產(chǎn)生的電氣干擾)和ISO16750(汽車中電氣和電子設(shè)備的環(huán)境條件和測(cè)試),首先以客戶實(shí)際應(yīng)用環(huán)境為例,評(píng)估SGM63600電源系統(tǒng)的汽車電子抗擾度,隨后依據(jù)SGM636...

2026-03-20 標(biāo)簽:汽車電子濾波電路電磁干擾電源系統(tǒng) 6796

基于Vivado的AD9680 FPGA芯片測(cè)試

在FPGA開發(fā)領(lǐng)域,與高速ADC芯片如AD9680協(xié)同工作是一項(xiàng)充滿挑戰(zhàn)但又極具樂趣的任務(wù)。今天咱們就聊聊基于Vivado平臺(tái),針對(duì)AD9680芯片,實(shí)現(xiàn)1G采樣率且4通道(lane4)的FPGA測(cè)試程序,并且是用Veri...

2026-03-18 標(biāo)簽:FPGA芯片測(cè)試FPGAVivado時(shí)鐘信號(hào)芯片測(cè)試 1723

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