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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術>貿(mào)澤開售適合能量轉換應用的新型英飛凌CoolSiC G2 MOSFET

      貿(mào)澤開售適合能量轉換應用的新型英飛凌CoolSiC G2 MOSFET

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      2023 年 4 月 4 日 – 專注于推動行業(yè)創(chuàng)新的知名新品引入 (NPI) 分銷商?貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開售英飛凌的MA2304xN MERUS?多級開關
      2023-04-04 14:29:25945

      AGM G2 GT正式發(fā)布，首發(fā)500米熱成像，售價5999元起

      4月25號,AGM正式發(fā)布AGM G2專業(yè)旗艦系列機型,AGM G2共有三款機型,分別是AGM G2 GT、AGM G2 Pro、AGM G2。
      2023-04-25 16:51:071980

      貿(mào)澤開售面向安全應用的英飛凌OPTIGA Trust M物聯(lián)網(wǎng)安全開發(fā)套件

      2023 年 5 月 11 日 – 專注于引入新品的全球半導體和電子元器件授權代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起供貨英飛凌的OPTIGA? Trust M物聯(lián)網(wǎng)安全
      2023-05-12 17:05:36884

      貿(mào)澤與Ambiq簽約

      來源：Silicon Semiconductor 貿(mào)澤電子（Mouser Electronics）與低功耗人工智能微控制器領先供應商Ambiq簽署了新的全球分銷協(xié)議。 貿(mào)澤電子供應商管理副總裁
      2023-12-20 16:17:47871

      貿(mào)澤順利完成SOC 2 Type II、ISO 27001 Stage 2和Cyber Essentials認證

      2 Type II、ISO 27001和Cyber Essentials認證。貿(mào)澤電子有嚴格的流程來保護我們的數(shù)據(jù)、系統(tǒng)和產(chǎn)品的安全、隱私及可用性，并已獲得1,200多家半導體和電子元器件制造商的授權
      2024-01-30 14:17:581028

      英飛凌發(fā)布新款CoolSiC 2000V SiC MOSFET

      英飛凌科技股份公司近日發(fā)布了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列。這款產(chǎn)品采用了先進的TO-247PLUS-4-HCC封裝，規(guī)格為12-100mΩ，旨在滿足高壓應用的需求。
      2024-02-01 10:51:001646

      英飛凌推出CoolSiC MOSFET G2技術，提升電力效率與可靠性

      另外，CoolSiC MOSFET產(chǎn)品組合還成功實現(xiàn)了SiC MOSFET市場中的最低導通電阻值（Rdson），這大大提高了能效、功率密度，以及在電力系統(tǒng)中的可靠性，降低了零件使用數(shù)量。
      2024-03-10 12:32:411774

      英飛凌推出G2 CoolSiC MOSFET進一步推動碳化硅技術的發(fā)展

      碳化硅（SiC）技術一直是推動高效能源轉換和降低碳排放的關鍵，英飛凌最近推出的CoolSiC MOSFET第2代（G2）技術，也是要在這個領域提高了MOSFET的性能指標，擴大還在光伏、儲能、電動汽車充電等領域的市場份額。
      2024-03-12 09:33:261841

      英飛凌推出新一代碳化硅技術CoolSi MOSFET G2

      在電力電子領域持續(xù)創(chuàng)新的英飛凌科技股份公司近日宣布，其已成功推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術——CoolSiC? MOSFET Generation 2。這一創(chuàng)新技術的推出，標志著功率系統(tǒng)和能量轉換領域迎來了新的里程碑，為行業(yè)的低碳化進程注入了強大動力。
      2024-03-12 09:43:291433

      英飛凌推出新一代碳化硅技術CoolSiC? MOSFET G2，推動低碳化的高性能系統(tǒng)

      英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術，開啟功率系統(tǒng)和能量轉換的新篇章。與上一代產(chǎn)品相比，英飛凌全新
      2024-03-12 08:13:021124

      英飛凌全新CoolSiC? MOSFET 750 V G1產(chǎn)品系列推動汽車和工業(yè)解決方案的發(fā)展

      英飛凌最近發(fā)布了全新的750VG1分立式CoolSiC?MOSFET，滿足工業(yè)和汽車領域對更高能效和功率密度的不斷增長需求。這款產(chǎn)品系列包含了專為圖騰柱PFC、T型、LLC/CLLC、雙有源橋
      2024-03-15 16:31:451256

      英飛凌推出全新CoolSiC MOSFET 2000V產(chǎn)品

      英飛凌科技股份公司，作為全球領先的半導體公司，近日推出了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列，這一創(chuàng)新產(chǎn)品采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，為設計人員提供了滿足更高功率密度需求的解決方案。
      2024-03-20 10:27:291466

      英飛凌發(fā)布新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術

      英飛凌科技股份公司推出的新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術，無疑為功率系統(tǒng)和能量轉換領域帶來了革命性的進步。與上一代產(chǎn)品相比，全新的CoolSiC? MOSFET 650V和1200V
      2024-03-20 10:32:361715

      英飛凌新品—CoolSiC 2000V SiC MOSFET系列的產(chǎn)品特點

      CoolSiC 2000V SiC MOSFET系列采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，規(guī)格為12-100mΩ。由于采用了.XT互聯(lián)技術，CoolSiC技術的輸出電流能力強，可靠性提高。
      2024-03-22 14:08:351310

      貿(mào)澤電子開售u-blox的XPLR-HPG-2探索套件

      貿(mào)澤電子即日起開售u-blox的XPLR-HPG-2探索套件。XPLR-HPG-2探索套件為厘米級精度的定位應用（如自主機器人、資產(chǎn)跟蹤和互聯(lián)健康）提供了一個緊湊的開發(fā)和原型設計平臺。
      2024-04-17 10:25:241124

      英飛凌科技推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術

      英飛凌科技推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術，開啟功率系統(tǒng)和能量轉換的新篇章。與上一代產(chǎn)品相比，英飛凌全新的 CoolSiC? MOSFET 650 V 和 1200 V
      2024-04-20 10:41:201986

      產(chǎn)品簡介 | RZ/G2系列MPU

      產(chǎn)品簡介 | RZ/G2系列MPU
      2024-04-29 08:08:131309

      CoolSiC? MOSFET G2助力英飛凌革新碳化硅市場

      英飛凌憑借CoolSiCMOSFETG2技術，再度突破極限，實現(xiàn)更高效率、更低功耗，這也使英飛凌在日益發(fā)展且競爭激烈的碳化硅市場，屹立于創(chuàng)新浪潮之巔。在過去三年，碳化硅市場經(jīng)歷了蓬勃發(fā)展，特別是在
      2024-07-12 08:14:411152

      英飛凌推出TOLT和Thin-TOLL封裝的新型工業(yè)CoolSiC? MOSFET 650 V G2，提高系統(tǒng)功率密度

      半導體器件 650 V產(chǎn)品組合。 這兩個產(chǎn)品系列基于CoolSiC 第2代（G2）技術，在性能、可靠性和易用
      2024-09-07 10:02:072096

      貿(mào)澤電子開售Arduino新款產(chǎn)品及解決方案

      ??技術日新月異，我們每天都走在創(chuàng)新的路上，獲取前沿的領域知識，并轉化為自己的成果，創(chuàng)造出更適合用戶的產(chǎn)品。在這一路上，貿(mào)澤電子始終會伴你左右，并隨時提供新的采購情報，希望借此能為你帶來更多創(chuàng)新和靈感。
      2024-11-13 11:21:211231

      貿(mào)澤電子開售能為電動汽車牽引逆變器提供可擴展性能的 英飛凌HybridPACK Drive G2模塊

      高效率的汽車功率模塊，適用于電動汽車 (EV) 以及混合動力電動汽車 (HEV) 的牽引逆變器。 英飛凌HybridPACK Drive G2模塊結合了英飛凌新一代EDT3 (Si IGBT) 和CoolSiC? G2 MOSFET芯片技術，可實現(xiàn)性能擴
      2024-11-29 14:58:55508

      英飛凌推出采用Q-DPAK和TOLL封裝的全新工業(yè)CoolSiC MOSFET 650 V G2

      650 V G2 Q-DPAK TSC 這兩個產(chǎn)品系列采用頂部和底部冷卻并基于CoolSiC Generation 2（G2）技術，其性能、可靠性和易用性均有顯
      2025-02-21 16:38:52759

      英飛凌第二代 CoolSiC? MOSFET G2分立器件 1200 V TO-247-4HC高爬電距離

      英飛凌第二代CoolSiC MOSFET G2分立器件1200V TO-247-4HC高爬電距離 采用TO-247-4HC高爬電距離封裝的第二代CoolSiC MOSFET G2 1200V 12m
      2025-03-15 18:56:321136

      貿(mào)澤電子開售Silicon Labs EFR32FG28 BLUETOOTH SoC

      Silicon Labs EFR32FG28 BLUETOOTH SoC 為遠距離傳輸而設計 貿(mào)澤電子即日起供應Silicon Labs的EFR32FG28 BLUETOOTH SoC。G28專為
      2025-04-16 09:40:501036

      貿(mào)澤電子供應Digi International產(chǎn)品

      貿(mào)澤電子成為Digi International Inc.的全球授權代理商。Digi International是機對機 (M2M)、物聯(lián)網(wǎng) (IoT) 連接產(chǎn)品與服務領域的知名供應商。貿(mào)澤
      2025-04-24 14:47:53856

      新品 | 采用頂部散熱QDPAK的CoolSiC? 1200V G2 SiC MOSFET半橋產(chǎn)品

      新品采用頂部散熱QDPAK的CoolSiC1200VG2SiCMOSFET半橋產(chǎn)品英飛凌采用頂部散熱QDPAK的CoolSiC1200VG2SiCMOSFET半橋產(chǎn)品，專為各種工業(yè)應用開發(fā)，包括工業(yè)
      2025-05-27 17:03:361257

      新品 | 采用頂部散熱 Q-DPAK封裝的 CoolSiC? 1200V G2 SiC MOSFET

      新品采用頂部散熱Q-DPAK封裝的CoolSiC1200VG2SiCMOSFET英飛凌采用頂部散熱Q-DPAK封裝的CoolSiC1200VSiCMOSFET單管，專為各種工業(yè)應用開發(fā)，包括工業(yè)驅動
      2025-05-29 17:04:211048

      貿(mào)澤開售Nordic nRF54L低功耗藍牙SoC

      貿(mào)澤電子開售Nordic Semiconductor的全新nRF54L低功耗藍牙SoC解決方案。nRF54L系列結構緊湊、功耗低，適用于醫(yī)療和智能家居設備、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、游戲控制器和其他物聯(lián)網(wǎng)應用。
      2025-06-03 14:37:281016

      CoolSiC? MOSFET G2導通特性解析

      上一篇我們介紹了英飛凌CoolSiCMOSFETG2的產(chǎn)品特性（參考文章：CoolSiCMOSFETG2性能綜述）。那么在實際應用中，G2如何進行正確的選型呢？接下來兩篇文章會和大家仔細探討這個
      2025-06-16 17:34:51712

      貿(mào)澤電子開售NXP RW61x無線微控制器

      貿(mào)澤電子開售NXP Semiconductors的RW61x無線微控制器。其中RW612是一款高集成度、高安全性的無線MCU，適用于智能家居、游戲、工業(yè)自動化和智能配件等應用。
      2025-06-23 11:48:081105

      CoolSiC? MOSFET G2如何正確選型

      開關和硬開關兩種場景下，如何進行CoolSiCMOSFETG2的選型。G2在硬開關拓撲中的應用除了RDS(on)，開關損耗在SiCMOSFET的選型中也扮演著非常
      2025-06-23 17:36:47658

      英飛凌CoolSiC? MOSFET G2最新產(chǎn)品榮獲2025年度半導體市場創(chuàng)新表現(xiàn)獎

      8月26日上午，英飛凌科技憑借第二代CoolSiCMOSFETG21400V分立器件以及全新封裝的1200VEasyC系列碳化硅模塊，以其卓越的產(chǎn)品性能和創(chuàng)新的技術設計，榮獲2025年半導體市場創(chuàng)新
      2025-08-27 17:06:001305

      CoolSiC? MOSFET G2導通特性深度解析：高效選型指南

      在功率器件領域，英飛凌的CoolSiCMOSFETG2以其卓越性能備受關注。然而，面對復雜的應用場景，如何正確選型成為工程師們的關鍵問題。今天，我們將從G2的導通特性入手，深入解析其設計背后的技術
      2025-09-01 20:02:00922

      貿(mào)澤電子授權代理英飛凌豐富多樣的產(chǎn)品組合

      英飛凌的全球授權代理商，供應各種英飛凌解決方案。貿(mào)澤供應近20,000種英飛凌元器件，其中超過10,000種有庫存且可立即發(fā)貨，通過豐富的英飛凌新品，幫助工程師將產(chǎn)品推向市場。 ? 英飛凌XENSIV
      2025-09-08 15:21:00595

      貿(mào)澤電子開售Silicon Labs全新xG26系列無線SoC和MCU

      貿(mào)澤電子開售Silicon Labs全新xG26系列無線SoC和MCU。xG26片上系統(tǒng)（SoC）和MCU采用32位Arm Cortex-M33內(nèi)核，為符合未來需求的計量、照明、物聯(lián)網(wǎng)、樓宇自動化和智能家居應用，提供堅固耐用且節(jié)能的設計。
      2025-09-23 16:22:332284

      英飛凌推出專為高功率與計算密集型應用而設計的400V和440V MOSFET

      及TO-247-3和TO-247-4封裝擴展其CoolSiC??400V G2 MOSFET產(chǎn)品組合。此外，英飛凌還推出了三款額定電壓為440V（連續(xù)）和455V（瞬態(tài)）的TOLL封裝新產(chǎn)品
      2025-10-31 11:00:59299

      貿(mào)澤電子開售全新Arduino UNO Q單板計算機

      貿(mào)澤電子開售全新Arduino UNO Q單板計算機。Arduino UNO Q單板計算機（SBC）將高性能計算與實時控制結合，提供理想的創(chuàng)新平臺。
      2025-11-08 09:50:051146

      英飛凌EconoDUAL? 3 CoolSiC? MOSFET 1200V模塊榮獲2025全球電子成就獎

      /驅動器獎項，再次彰顯英飛凌在功率半導體領域的卓越實力和領先地位。英飛凌科技工業(yè)與基礎設施業(yè)務市場經(jīng)理劉倩出席頒獎典禮并領獎英飛凌EconoDUAL3CoolSiC
      2025-11-26 09:32:50573

      探索IMYR140R008M2H CoolSiC? 1400 V SiC MOSFET G2：高性能與多功能的完美結合

      ，我們將深入探討英飛凌（Infineon）的IMYR140R008M2H CoolSiC? 1400 V SiC MOSFET G2，這款器件憑借其卓越的特性和廣泛的應用前景，成為眾多工程師的首選。 文件
      2025-12-18 13:50:02217

      CoolSiC? 1400 V SiC MOSFET G2：高性能碳化硅MOSFET的卓越之選

      的作用。今天，我們要深入探討的是英飛凌（Infineon）的IMYR140R019M2H CoolSiC? 1400 V SiC MOSFET G2，這是一款采用先進碳化硅技術和.XT互連技術的高性能
      2025-12-18 13:50:06205

      Infineon HybridPACK? Drive G2：牽引逆變器的卓越之選

      Infineon HybridPACK? Drive G2：牽引逆變器的卓越之選 作為電子工程師，我們深知在牽引逆變器應用領域，對效率和性能的追求從未停止。英飛凌（Infineon
      2025-12-19 14:30:11163

      EVAL-COOLSIC-2kVHCC評估板：2000V CoolSiC? MOSFET的理想測試平臺

      了解一下英飛凌（Infineon）的EVAL-COOLSIC-2kVHCC評估板，它專為2000V CoolSiC? MOSFET打造，在測試和評估方面有著出色的表現(xiàn)。 文件下載： Infineon
      2025-12-19 17:00:15450

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