VCE的 dv/dt造成的電流注到柵極驅(qū)動(dòng)回路中的風(fēng)險(xiǎn)，避免使器件重新偏置為傳導(dǎo)狀態(tài)，從而導(dǎo)致多個(gè)產(chǎn)生Eoff的開(kāi)關(guān)動(dòng)作。ZVS和ZCS拓?fù)湓诮档?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET 和 IGBT的關(guān)斷損耗方面很有優(yōu)勢(shì)。不過(guò)
2018-08-27 20:50:45
和器件特性
相關(guān)的三個(gè)主要
功率開(kāi)關(guān)損耗—導(dǎo)通
損耗、傳導(dǎo)
損耗和關(guān)斷
損耗進(jìn)行描述。此外，還通過(guò)舉例說(shuō)明二極管的恢復(fù)特性是決定
MOSFET 或 IGBT導(dǎo)通
開(kāi)關(guān)損耗的主要因素，討論二極管恢復(fù)性能對(duì)于硬
開(kāi)關(guān)拓?fù)?/div>
2021-06-16 09:21:55
一些參數(shù)進(jìn)行探討，如硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)ZVS(零電壓轉(zhuǎn)換) 拓?fù)渲械?b class="flag-6" style="color: red">開(kāi)關(guān)損耗，并對(duì)電路和器件特性相關(guān)的三個(gè)主要功率開(kāi)關(guān)損耗—導(dǎo)通損耗、傳導(dǎo)損耗和關(guān)斷損耗進(jìn)行描述。此外，還通過(guò)舉例說(shuō)明二極管的恢復(fù)特性是決定
2020-06-28 15:16:35
數(shù)據(jù)。 在功率調(diào)節(jié)器電路中，比較了使用PrestoMOS時(shí)的損耗和傳統(tǒng)的MOSFET與FRD組合的損耗。使用PrestoMOS時(shí)，削減了VF比FRD低的這部分的再生損耗。在電機(jī)驅(qū)動(dòng)器電路例中
2018-11-28 14:27:08
MOSFET較小的柵極電阻可以減少開(kāi)通損耗嗎？柵極電阻的值會(huì)在開(kāi)通過(guò)程中影響與漏極相連的二極管嗎？
2023-05-16 14:33:51
依賴性該特性是用于設(shè)計(jì)在預(yù)定工作電流Id的情況下在什么柵極驅(qū)動(dòng)電壓下影響V_DS(on)區(qū)域(導(dǎo)通電阻區(qū)域)的特性曲線。對(duì)于功率MOSFET，根據(jù)柵極驅(qū)動(dòng)工作電流生產(chǎn)10V驅(qū)動(dòng)元件、4V驅(qū)動(dòng)元件、4V
2024-06-11 15:19:16
功率MOSFET的感性負(fù)載關(guān)斷過(guò)程和開(kāi)通過(guò)程一樣，有4個(gè)階段，但是時(shí)間常數(shù)不一樣。驅(qū)動(dòng)回路的等效電路圖如圖1所示，RG1為功率MOSFET外部串聯(lián)的柵極電阻，RG2為功率MOSFET內(nèi)部的柵極電阻
2017-03-06 15:19:01
過(guò)程中的開(kāi)關(guān)損耗。開(kāi)關(guān)損耗內(nèi)容將分成二次分別講述開(kāi)通過(guò)程和開(kāi)通損耗，以及關(guān)斷過(guò)程和和關(guān)斷損耗。功率MOSFET及驅(qū)動(dòng)的等效電路圖如圖1所示，RG1為功率MOSFET外部串聯(lián)的柵極電阻，RG2為功率
2017-02-24 15:05:54
在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表的開(kāi)關(guān)特性中，列出了柵極電荷的參數(shù)，包括以下幾個(gè)參數(shù)，如下圖所示。Qg(10V)：VGS=10V的總柵極電荷。Qg(4.5V))：VGS=4.5V的總柵極電荷。Qgd：柵極
2017-01-13 15:14:07
功率MOSFET的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)為什么要在柵極和源極之間并聯(lián)一個(gè)電阻呢？
2021-03-10 06:19:21
在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中，列出了開(kāi)通延時(shí)、開(kāi)通上升時(shí)間，關(guān)斷延時(shí)和關(guān)斷下降時(shí)間，作者經(jīng)常和許多研發(fā)的工程師保持技術(shù)的交流，在交流的過(guò)程中，發(fā)現(xiàn)有些工程師用這些參數(shù)來(lái)評(píng)估功率MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗
2016-12-16 16:53:16
時(shí)間變長(zhǎng)，損耗增大。柵極與漏極之間加電容，可以減小CGD隨電壓改變非線性突變產(chǎn)生的振蕩。選用開(kāi)關(guān)速度較慢的功率MOSFET管，增大柵極外部驅(qū)動(dòng)電阻，柵極與源極之間加電容，柵極與漏極之間加電容，漏極與源極
2025-11-19 06:35:56
柵極（Gate），漏極（Drain）和源極（Source）。功率MOSFET為電壓型控制器件，驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單，驅(qū)動(dòng)的功率小，而且開(kāi)關(guān)速度快，具有高的工作頻率。常用的MOSFET的結(jié)構(gòu)有橫向雙擴(kuò)散型
2016-10-10 10:58:30
損耗由式(1)給出。 控制這個(gè)損耗的典型方法是使功率開(kāi)關(guān)導(dǎo)通期間的電壓降最小。要達(dá)到這個(gè)目的，設(shè)計(jì)者必須使開(kāi)關(guān)工作在飽和狀態(tài)。這些條件由式(2a)和式(2b)給出，通過(guò)基極或柵極過(guò)電流驅(qū)動(dòng)，確保由
2020-08-27 08:07:20
的功率損耗由式（1）給出?！ 】刂七@個(gè)損耗的典型方法是使功率開(kāi)關(guān)導(dǎo)通期間的電壓降最小。要達(dá)到這個(gè)目的，設(shè)計(jì)者必須使開(kāi)關(guān)工作在飽和狀態(tài)。這些條件由式（2a）和式（2b）給出，通過(guò)基極或柵極過(guò)電流驅(qū)動(dòng)，確保
2023-03-16 16:37:04
ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開(kāi)關(guān)并可大幅降低損耗
2018-12-04 10:14:32
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于IGBT，它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
摘要IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于IGBT，它們被稱為
2021-07-09 07:00:00
本文通過(guò)故意損壞IGBT/MOSFET功率開(kāi)關(guān)來(lái)研究柵極驅(qū)動(dòng)器隔離柵的耐受性能。
2021-06-17 07:24:06
查考的事項(xiàng)，但如果從柵極驅(qū)動(dòng)電路中消除了 LSOURCE 的影響，則根據(jù) Figure 4 中說(shuō)明的原理，開(kāi)關(guān)速度將變快。關(guān)于關(guān)斷，雖然不像導(dǎo)通那樣區(qū)別顯著，但速度同樣也會(huì)變快。這就意味著開(kāi)關(guān)損耗得到
2020-11-10 06:00:00
。電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管是用柵極電壓來(lái)控制漏極電流的，因此它的一個(gè)顯著特點(diǎn)是驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單，驅(qū)動(dòng)功率小。其第二個(gè)顯著特點(diǎn)是開(kāi)關(guān)速度快，工作頻率高，電力MOSFET的工作頻率在下降時(shí)間主要由輸入回路時(shí)間常數(shù)決定
2012-06-14 20:30:08
（SiC）MOSFET即將取代硅功率開(kāi)關(guān)，需要能夠應(yīng)對(duì)不斷發(fā)展的市場(chǎng)的新型驅(qū)動(dòng)和轉(zhuǎn)換解決方案。由于其優(yōu)異的熱特性，SiC器件在各種應(yīng)用中代表了優(yōu)選的解決方案，例如汽車領(lǐng)域的功率驅(qū)動(dòng)電路。SiC
2019-07-30 15:15:17
通時(shí)產(chǎn)生的Vd振鈴、和低邊SiC-MOSFET的寄生柵極寄生電容引起的。全SiC功率模塊的開(kāi)關(guān)速度與寄生電容下面通過(guò)與現(xiàn)有IGBT功率模塊進(jìn)行比較來(lái)了解與柵極電壓的振鈴和升高有關(guān)的全SiC功率模塊的開(kāi)關(guān)
2018-11-30 11:31:17
本帖最后由 張飛電子學(xué)院魯肅 于 2021-1-30 13:21 編輯
本文詳細(xì)分析計(jì)算功率MOSFET開(kāi)關(guān)損耗，并論述實(shí)際狀態(tài)下功率MOSFET的開(kāi)通過(guò)程和自然零電壓關(guān)斷的過(guò)程，從而使電子
2021-01-30 13:20:31
MOSFET作為主要的開(kāi)關(guān)功率器件之一，被大量應(yīng)用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對(duì)其分析，有利于優(yōu)化MOSFET損耗，提高模塊電源的功率;但是一味的減少MOSFET的損耗及其他方面的損耗
2019-09-25 07:00:00
參數(shù)進(jìn)行探討，如硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)ZVS (零電壓轉(zhuǎn)換) 拓?fù)渲械?b class="flag-6" style="color: red">開(kāi)關(guān)損耗，并對(duì)電路和器件特性相關(guān)的三個(gè)主要功率開(kāi)關(guān)損耗—導(dǎo)通損耗、傳導(dǎo)損耗和關(guān)斷損耗進(jìn)行描述。此外，還通過(guò)舉例說(shuō)明二極管的恢復(fù)特性是決定
2017-04-15 15:48:51
在功率電子（例如驅(qū)動(dòng)技術(shù)）中，IGBT經(jīng)常用作高電壓和高電流開(kāi)關(guān)。這些功率晶體管由電壓控制，其主要損耗產(chǎn)生于開(kāi)關(guān)期間。為了最大程度減小開(kāi)關(guān)損耗，要求具備較短的開(kāi)關(guān)時(shí)間。然而，快速開(kāi)關(guān)同時(shí)隱含著高壓瞬
2020-10-29 08:23:33
注到柵極驅(qū)動(dòng)回路中的風(fēng)險(xiǎn)，避免使器件重新偏置為傳導(dǎo)狀態(tài)，從而導(dǎo)致多個(gè)產(chǎn)生Eoff的開(kāi)關(guān)動(dòng)作。ZVS和ZCS拓?fù)湓诮档?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET 和 IGBT的關(guān)斷損耗方面很有優(yōu)勢(shì)。不過(guò)ZVS的工作優(yōu)點(diǎn)在IGBT中
2019-03-06 06:30:00
和更快的切換速度與傳統(tǒng)的硅mosfet和絕緣柵雙極晶體管(igbt)相比，SiC mosfet柵極驅(qū)動(dòng)在設(shè)計(jì)過(guò)程中必須仔細(xì)考慮需求。本應(yīng)用程序說(shuō)明涵蓋為SiC mosfet選擇柵極驅(qū)動(dòng)IC時(shí)的關(guān)鍵參數(shù)。
2023-06-16 06:04:07
的開(kāi)關(guān)震蕩再進(jìn)深一步探討。這是一張MOSFET的驅(qū)動(dòng)電路圖：
功率MOS管的驅(qū)動(dòng)電路中會(huì)分布各種電感，例如圖中的L，它們與MOSFET的Cgd, Cge會(huì)形成諧振電路：對(duì)開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)中的高頻諧波
2025-12-02 06:00:31
結(jié)合 GTR 和功率 MOSFET 而產(chǎn)生的功率絕緣柵控雙極晶體管(IGBT)。在這些開(kāi)關(guān)器件中，功率 MOSFET 由于開(kāi)關(guān)速度快,驅(qū)動(dòng)功率小,易并聯(lián)等優(yōu)點(diǎn)成為開(kāi)關(guān)電源中最常用的器件，尤其在為計(jì)算機(jī)
2025-03-27 14:48:50
隨著電力電子技術(shù)的不斷進(jìn)步，碳化硅MOSFET因其高效的開(kāi)關(guān)特性和低導(dǎo)通損耗而備受青睞，成為高功率、高頻應(yīng)用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分，柵極氧化層對(duì)器件的整體性能和使用壽命
2025-01-04 12:37:34
SiC-MOSFET和SiC肖特基勢(shì)壘二極管的相關(guān)內(nèi)容，有許多與Si同等產(chǎn)品比較的文章可以查閱并參考。采用第三代SiC溝槽MOSFET，開(kāi)關(guān)損耗進(jìn)一步降低ROHM在行業(yè)中率先實(shí)現(xiàn)了溝槽結(jié)構(gòu)
2018-11-27 16:37:30
。電壓源驅(qū)動(dòng)和電流源驅(qū)動(dòng)在下文中分別稱為VSD和CSD。 對(duì)于所有測(cè)試，都使用了主動(dòng)米勒夾緊功能。對(duì)于分析，僅考慮了開(kāi)啟損耗。對(duì)功率器件進(jìn)行了不同負(fù)載條件和不同開(kāi)關(guān)速度的評(píng)估。圖4顯示了不同柵極電阻下
2023-02-21 16:36:47
如何更加深入理解MOSFET開(kāi)關(guān)損耗？Coss產(chǎn)生開(kāi)關(guān)損耗與對(duì)開(kāi)關(guān)過(guò)程有什么影響？
2021-04-07 06:01:07
仍然過(guò)高，有多種辦法可以解決： 改變問(wèn)題的定義。例如，重新定義輸入電壓范圍?！ 「淖?b class="flag-6" style="color: red">開(kāi)關(guān)頻率以便降低開(kāi)關(guān)損耗，有可能使用更大一點(diǎn)的、RDS（ON）更低的開(kāi)關(guān)MOSFET?！ ≡黾?b class="flag-6" style="color: red">柵極驅(qū)動(dòng)電流，有可能
2021-01-11 16:14:25
開(kāi)關(guān)管MOSFET的功耗分析MOSFET的損耗優(yōu)化方法及其利弊關(guān)系
2020-12-23 06:51:06
和計(jì)算開(kāi)關(guān)損耗，并討論功率MOSFET導(dǎo)通過(guò)程和自然零電壓關(guān)斷過(guò)程的實(shí)際過(guò)程，以便電子工程師了解哪個(gè)參數(shù)起主導(dǎo)作用并了解MOSFET. 更深入地MOSFET開(kāi)關(guān)損耗1，通過(guò)過(guò)程中的MOSFET開(kāi)關(guān)損耗功率M...
2021-10-29 08:43:49
將減小元件尺寸，從而減小成本、系統(tǒng)尺寸和重量；這些是汽車和能源等市場(chǎng)中的主要優(yōu)勢(shì)。新型功率開(kāi)關(guān)還將促使其控制元件發(fā)生變化，其中包括柵極驅(qū)動(dòng)器。本文將探討GaN和SiC開(kāi)關(guān)與IGBT/MOSFET的一些
2018-10-16 06:20:46
頻率將減小元件尺寸，從而減小成本、系統(tǒng)尺寸和重量；這些是汽車和能源等市場(chǎng)中的主要優(yōu)勢(shì)。新型功率開(kāi)關(guān)還將促使其控制元件發(fā)生變化，其中包括柵極驅(qū)動(dòng)器。本文將探討GaN和SiC開(kāi)關(guān)與IGBT/MOSFET
2018-10-16 21:19:44
減小元件尺寸，從而減小成本、系統(tǒng)尺寸和重量；這些是汽車和能源等市場(chǎng)中的主要優(yōu)勢(shì)。新型功率開(kāi)關(guān)還將促使其控制元件發(fā)生變化，其中包括柵極驅(qū)動(dòng)器。本文將探討GaN和SiC開(kāi)關(guān)與IGBT/MOSFET的一些
2018-10-24 09:47:32
的平方而增加。大多數(shù)MOSFET是N溝道增強(qiáng)型，即通常關(guān)斷，需要大約12V的柵極驅(qū)動(dòng)，這很容易由標(biāo)準(zhǔn)IC提供。最小閾值電壓介于 1 至 4 V 之間，可提供高達(dá) 500 V 的 P 溝道增強(qiáng)型MOSFET
2023-02-20 16:40:52
結(jié)構(gòu) 引言 功率MOSFET以其開(kāi)關(guān)速度快、驅(qū)動(dòng)功率小和功耗低等優(yōu)點(diǎn)在中小容量的變流器中得到了廣泛的應(yīng)用。當(dāng)采用功率MOSFET橋式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)時(shí)，同一橋臂上的兩個(gè)功率器件在轉(zhuǎn)換過(guò)程中，柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)
2018-08-27 16:00:08
盡管MOSFET在開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)控制等一些電子系統(tǒng)中得到廣泛的應(yīng)用，但是許多電子工程師對(duì)于MOSFET開(kāi)關(guān)過(guò)程仍然有一些疑惑，本文先簡(jiǎn)單介紹常規(guī)的基于柵極電荷的特性，理解MOSFET的開(kāi)通和關(guān)斷
2016-11-29 14:36:06
功率MOSFET的Coss會(huì)產(chǎn)生開(kāi)關(guān)損耗，在正常的硬開(kāi)關(guān)過(guò)程中，關(guān)斷時(shí)VDS的電壓上升，電流ID對(duì)Coss充電，儲(chǔ)存能量。在MOSFET開(kāi)通的過(guò)程中，由于VDS具有一定的電壓，那么Coss中儲(chǔ)能
2017-03-28 11:17:44
MOSFET中的開(kāi)關(guān)損耗為0.6 mJ。這大約是IGBT測(cè)量的2.5 mJ的四分之一。在每種情況下，均在 800 V、漏極/拉電流 10 A、環(huán)境溫度 150 °C 和最佳柵極-發(fā)射極閾值電壓下進(jìn)行測(cè)試（圖
2023-02-22 16:34:53
MOSFET的柵極電荷特性與開(kāi)關(guān)過(guò)程MOSFET的漏極導(dǎo)通特性與開(kāi)關(guān)過(guò)程
2021-04-14 06:52:09
在本文中，我將討論直流/直流穩(wěn)壓器部件的開(kāi)關(guān)損耗，從第1部分中的圖3（此處為圖1）開(kāi)始：VDS和ID曲線隨時(shí)間變化的圖像。圖1：開(kāi)關(guān)損耗讓我們先來(lái)看看在集成高側(cè)MOSFET中的開(kāi)關(guān)損耗。在每個(gè)開(kāi)關(guān)
2018-06-05 09:39:43
功率器件損耗主要分為哪幾類？什么叫柵極電荷？開(kāi)關(guān)損耗和柵極電荷有什么關(guān)系？
2021-06-18 08:54:19
請(qǐng)您介紹一下驅(qū)動(dòng)器源極引腳是如何降低開(kāi)關(guān)損耗的。首先，能否請(qǐng)您對(duì)使用了驅(qū)動(dòng)器源極引腳的電路及其工作進(jìn)行說(shuō)明？Figure 4是具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的MOSFET的驅(qū)動(dòng)電路示例。它與以往驅(qū)動(dòng)電路
2020-07-01 13:52:06
那里，因?yàn)殡姾珊碗娙菔枪潭ǖ摹Ｗ?MOSFET 開(kāi)關(guān)需要增加或消除足夠的柵極電荷。隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器必須以高電流驅(qū)動(dòng)MOSFET柵極，以便增加或消除柵極電荷，以減少功率損耗。公式1計(jì)算隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器將
2022-11-02 12:02:05
。這可以減少開(kāi)關(guān)功率損耗，提高系統(tǒng)效率。因此，驅(qū)動(dòng)電流通常被認(rèn)為是選擇柵極驅(qū)動(dòng)器的重要指標(biāo)。與驅(qū)動(dòng)電流額定值相對(duì)應(yīng)的是柵極驅(qū)動(dòng)器的漏源導(dǎo)通電阻(RDS(ON))。理想情況下，MOSFET完全導(dǎo)
2018-10-25 10:22:56
Sanket Sapre摘要IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)
2018-11-01 11:35:35
圖1：開(kāi)關(guān)損耗讓我們先來(lái)看看在集成高側(cè)MOSFET中的開(kāi)關(guān)損耗。在每個(gè)開(kāi)關(guān)周期開(kāi)始時(shí)，驅(qū)動(dòng)器開(kāi)始向集成MOSFET的柵極供應(yīng)電流。從第1部分，您了解到MOSFET在其終端具有寄生電容。在首個(gè)時(shí)段（圖
2022-11-16 08:00:15
高速MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)與應(yīng)用指南
2019-03-08 22:39:53
高于MOSFET兩端的電壓。由于對(duì)于相同的電流水平，P = I×V（其中P是功耗，I是電流，V是電壓降），通過(guò)MOSFET通道的傳導(dǎo)損耗顯著低于通過(guò)體二極管的傳導(dǎo)損耗。這些概念在電力電子電路的同步整流中發(fā)揮作用。同步整流通過(guò)用諸如功率MOSFET的有源控制器件代替二極管來(lái)提高這些電路的效率…
2022-11-14 07:53:24
摘要：介紹了一種用于功率MOSFET的諧振柵極驅(qū)動(dòng)電路。該電路通過(guò)循環(huán)儲(chǔ)存在柵極電容中的能量來(lái)實(shí)現(xiàn)減少驅(qū)動(dòng)功率損耗的目的，從而保證了此驅(qū)動(dòng)電路可以在較高的頻率下工作。
2010-05-04 08:38:12
53 功率MOSFET的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)電路
2009-04-02 23:36:18
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理解功率MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗
本文詳細(xì)分析計(jì)算開(kāi)關(guān)損耗，并論述實(shí)際狀態(tài)下功率MOSFET的開(kāi)通過(guò)程和自然零電壓關(guān)斷的過(guò)程，從而使電子工程師知道哪個(gè)參數(shù)起主導(dǎo)作用并
2009-10-25 15:30:593632 本文討論了屏蔽柵極MOSFET在中等電壓MOSFET(40～300V)應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)。
2011-03-30 16:44:242528 
為了有效解決金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）在通信設(shè)備直流-48 V緩啟動(dòng)應(yīng)用電路中出現(xiàn)的開(kāi)關(guān)損耗失效問(wèn)題，通過(guò)對(duì)MOSFET 柵極電荷、極間電容的闡述和導(dǎo)通過(guò)程的解剖，定位了MOSFET 開(kāi)關(guān)損耗的來(lái)源，進(jìn)而為緩啟動(dòng)電路設(shè)計(jì)優(yōu)化，減少MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗提供了技術(shù)依據(jù)。
2016-01-04 14:59:0543 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的DGD21xx系列包括六款半橋柵極驅(qū)動(dòng)器及六款高/低側(cè)600V柵極驅(qū)動(dòng)器，可在半橋或全橋配置下輕易開(kāi)關(guān)功率MOSFET與IGBT。
2016-03-14 18:13:231789 MOSFET 逆變器的功率密度，探討了采用軟開(kāi)關(guān)技術(shù)的碳化硅 MOSFET 逆變器。 比較了不同開(kāi)關(guān)頻率下的零電壓開(kāi)關(guān)三相逆變器及硬開(kāi)關(guān)三相逆變器的損耗分布和關(guān)鍵無(wú)源元件的體積， 討論了逆變器效率和關(guān)鍵無(wú)源元件體積與開(kāi)關(guān)頻率之間的關(guān)系。 隨著開(kāi)關(guān)頻率從數(shù)十 kHz 逐漸提升至
2025-10-11 15:32:0337 通過(guò)故意損壞IGBT/MOSFET功率開(kāi)關(guān)來(lái)研究柵極驅(qū)動(dòng)器隔離柵的耐受性能。
2019-04-16 17:07:396332 
MOSFET以及IGBT絕緣柵雙極性大功率管等器件的源極和柵極之間是絕緣的二氧化硅結(jié)構(gòu)，直流電不能通過(guò)，因而低頻的表態(tài)驅(qū)動(dòng)功率接近于零。但是柵極和源極之間構(gòu)成了一個(gè)柵極電容Cgs，因而在高頻率的交替
2019-07-03 16:26:555218 
不熟悉MOSFET或IGBT輸入特性的設(shè)計(jì)人員首先根據(jù)數(shù)據(jù)表中列出的柵源或輸入電容來(lái)確定元件值，從而開(kāi)始驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)。基于柵極對(duì)源電容的RC值通常會(huì)導(dǎo)致柵極驅(qū)動(dòng)嚴(yán)重不足。雖然柵極對(duì)源電容是一個(gè)重要
2020-03-09 08:00:0024 中的功率消耗或損耗、發(fā)送到功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān) (IGBT/MOSFET) 的功率以及驅(qū)動(dòng)器 IC 和功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)之間的外部組件（例如外部柵極電阻器兩端）的功率損耗。在以下示例中，我們將討論使用 Avago ACPL-332J（2.5nApeak 智能柵極驅(qū)動(dòng)器）的 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)。本
2021-06-14 03:51:005318 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供如何正確評(píng)估功率MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗？資料下載的電子資料下載，更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計(jì)、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-01 08:49:1511 功率MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗分析。
2021-04-16 14:17:0250 和計(jì)算開(kāi)關(guān)損耗，并討論功率MOSFET導(dǎo)通過(guò)程和自然零電壓關(guān)斷過(guò)程的實(shí)際過(guò)程，以便電子工程師了解哪個(gè)參數(shù)起主導(dǎo)作用并了解MOSFET. 更深入地MOSFET開(kāi)關(guān)損耗1，通過(guò)過(guò)程中的MOSFET開(kāi)關(guān)損耗功率M...
2021-10-22 17:35:5954 。功率MOSFET和IGBT具備隔離的柵極體，因此更容易驅(qū)動(dòng)器。功率MOSFET的缺點(diǎn)是增益小，偶爾柵極驅(qū)動(dòng)的電壓甚至是少于實(shí)際要控制的電壓。 TOREX功率MOSFET是通用型N/P通道MOSFET，具備低導(dǎo)通電阻和高速電源開(kāi)關(guān)特性。適合于各種設(shè)備應(yīng)用，如繼電器電路和開(kāi)關(guān)電源電路
2022-08-16 14:30:561634 本文介紹了三個(gè)驅(qū)動(dòng)MOSFET工作時(shí)的功率計(jì)算 以及通過(guò)實(shí)例進(jìn)行計(jì)算 輔助MOSFET電路的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)中電流的計(jì)算 不是mosfet導(dǎo)通電流 是mosfet柵極驅(qū)動(dòng)電流計(jì)算和驅(qū)動(dòng)功耗計(jì)算
2022-11-11 17:33:0352 MOSFET有兩大類型：N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中，MOSFET可被看成電氣開(kāi)關(guān)。例如N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時(shí)，當(dāng)VGS電壓達(dá)到MOSFET的開(kāi)啟電壓時(shí)，MOSFET導(dǎo)通等同開(kāi)關(guān)導(dǎo)通，有IDS通過(guò)，實(shí)現(xiàn)功率轉(zhuǎn)換。
2022-11-28 15:53:051549 特別是對(duì)于SiC MOSFET，柵極驅(qū)動(dòng)器IC必須將開(kāi)關(guān)和傳導(dǎo)損耗（包括導(dǎo)通和關(guān)斷能量）降至最低。
2023-02-06 14:27:171062 MOSFET和IGBT等的開(kāi)關(guān)損耗問(wèn)題，那就是帶有驅(qū)動(dòng)器源極引腳（所謂的開(kāi)爾文源極引腳）的新封裝。在本文——“通過(guò)驅(qū)動(dòng)器源極引腳改善開(kāi)關(guān)損耗”中，將介紹功率開(kāi)關(guān)產(chǎn)品具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的效果以及使用注意事項(xiàng)。
2023-02-09 10:19:181670 
說(shuō)明：IGBT 功率器件損耗與好多因素相關(guān)，比如工作電流，電壓，驅(qū)動(dòng)電阻。在出設(shè)計(jì)之前評(píng)估電路的損耗有一定的必要性。在確定好功率器件的驅(qū)動(dòng)參數(shù)后（驅(qū)動(dòng)電阻大小，驅(qū)動(dòng)電壓等），開(kāi)關(guān)器件的損耗基本上
2023-02-22 14:05:5411 本文將探討功率開(kāi)關(guān)MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)相關(guān)的損耗，即下圖的高邊和低邊開(kāi)關(guān)的“PGATE”所示部分。柵極電荷損耗是由該例中外置MOSFET的Qg（柵極電荷總量）引起的損耗。
2023-02-23 10:40:501209 
柵極驅(qū)動(dòng)參考 1.PWM直接驅(qū)動(dòng)2.雙極Totem-Pole驅(qū)動(dòng)器3.MOSFET Totem-Pole驅(qū)動(dòng)器4.速度增強(qiáng)電路5.dv/dt保護(hù) 1.PWM直接驅(qū)動(dòng) 在電源應(yīng)用中，驅(qū)動(dòng)主開(kāi)關(guān)
2023-02-23 15:59:0024 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器 提供隔離功能的最大功率限制.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-22 16:48:150 柵極驅(qū)動(dòng)器芯片的原理是什么 柵極驅(qū)動(dòng)器芯片是一種用于控制功率電子器件（如IGBT、MOSFET等）柵極電壓的集成電路。它在電力電子領(lǐng)域中具有重要應(yīng)用，如電機(jī)驅(qū)動(dòng)、開(kāi)關(guān)電源、太陽(yáng)能逆變器等。本文將詳細(xì)
2024-06-10 17:23:003609 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-07-13 09:40:4516 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）等功率開(kāi)關(guān)器件的集成電路。它通過(guò)控制MOSFET柵極的電壓，實(shí)現(xiàn)對(duì)MOSFET的開(kāi)關(guān)控制，從而在電路中起到放大、開(kāi)關(guān)和保護(hù)的作用。柵極驅(qū)動(dòng)IC具有高驅(qū)動(dòng)能力、快速開(kāi)關(guān)速度、保護(hù)功能和高集成度等特點(diǎn)，能夠確保MOSFET在各種應(yīng)用場(chǎng)合下正
2024-10-07 16:20:002470 功耗是指MOSFET在指定的熱條件下可以連續(xù)耗散的最大功率。對(duì)于MOSFET驅(qū)動(dòng)器而言，其功耗主要由三部分組成：驅(qū)動(dòng)損耗、開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗。這些損耗的產(chǎn)生與MOSFET的工作特性以及驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)密切相關(guān)。
2024-10-10 15:58:551455 高頻率開(kāi)關(guān)的MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器，可能會(huì)產(chǎn)生大量的耗散功率。因此，需要確認(rèn)驅(qū)動(dòng)器功率耗散和由此產(chǎn)生的結(jié)溫，確保器件在可接受的溫度范圍內(nèi)工作。高壓柵極驅(qū)動(dòng)集成電路（HVIC）是專為半橋開(kāi)關(guān)
2024-11-11 17:21:201606 
對(duì)于碳化硅(SiC)或氮化鎵(GaN)等寬禁帶(WBG)功率器件而言，優(yōu)化的柵極驅(qū)動(dòng)尤為重要。此類轉(zhuǎn)換器的快速開(kāi)關(guān)需仔細(xì)考量寄生參數(shù)、過(guò)沖/欠沖現(xiàn)象以及功率損耗最小化問(wèn)題，而驅(qū)動(dòng)電路在這些方面都起著
2025-05-08 11:08:401153 
摘要每個(gè)功率開(kāi)關(guān)都需要一個(gè)驅(qū)動(dòng)電路，這是必要的，但容易被忽視。柵極驅(qū)動(dòng)電路對(duì)功率器件的開(kāi)關(guān)過(guò)程有著非常重要的影響，本文分析了驅(qū)動(dòng)電路的輸出能力和雜散參數(shù)這兩個(gè)參數(shù)。本文以SiCMOSFET關(guān)斷過(guò)程為基礎(chǔ)，分析了與驅(qū)動(dòng)電路輸出能力和雜散參數(shù)相關(guān)的影響因素，并通過(guò)理論分析和仿真結(jié)果進(jìn)行驗(yàn)證。此外，還列
2025-08-22 17:19:47826 
PART01柵極電阻在MOSFET驅(qū)動(dòng)中的核心作用在直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中，MOSFET作為功率開(kāi)關(guān)器件，其柵極與源極之間存在等效電容（Ciss=Cgd+Cgs),柵極電阻（Rg）的主要作用包括：1.
2025-09-27 10:17:54794 
為EliteSiC匹配柵極驅(qū)動(dòng)器指南旨在針對(duì)各類高功率主流應(yīng)用，提供為 SiC MOSFET匹配柵極驅(qū)動(dòng)器的專業(yè)指導(dǎo)，同時(shí)探索減少導(dǎo)通損耗與功率損耗的有效方法，以最大限度提升SiC器件在導(dǎo)通和關(guān)斷過(guò)程中的電壓與電流效率。
2025-11-13 09:46:33342 
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