和新產(chǎn)品。 ? 本期我們邀請到了深圳市美浦森半導體有限公司市場兼產(chǎn)品FAE王旋，他為我們揭曉了美浦森將要展示的功率器件市場的新動向及美浦森的新技術(shù)和產(chǎn)品。 ? 圖：深圳市美浦森半導體有限公司市場兼產(chǎn)品FAE王旋 ? 美浦森是誰？ 根據(jù)王旋
2021-10-17 10:35:12
5259 在采訪中朱勇華介紹了美浦森的發(fā)展現(xiàn)狀，以及本次展會展示的特色產(chǎn)品，他還特別介紹了該公司碳化硅器件的特性。
2019-12-25 18:20:3314582 雙脈沖測試是表征功率半導體器件動態(tài)特性的重要手段，適用于各類功率器件，包括MOSFET、IGBT、Diode、SiC MOSFET、GaN HEMTs。
2022-10-12 15:32:583082 功率半導體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)系列
2024-10-22 08:01:582246 
在當今快速發(fā)展的電力電子技術(shù)領(lǐng)域，功率半導體器件的性能優(yōu)化至關(guān)重要。雙脈沖測試（DPT）作為一種關(guān)鍵的測試方法，為功率器件的動態(tài)行為評估提供了精準的手段。本文將深入解析雙脈沖測試的原理、應用及泰克科技在這一領(lǐng)域的先進解決方案，并介紹泰克專家高遠新書的相關(guān)內(nèi)容。
2025-06-05 11:37:571161 
中國北京2019年7月3日 – 在剛剛過去的PCIM Aisa展會上，泰克展示了功率器件全新測試方案，包括動態(tài)特性解決方案、靜態(tài)特性解決方案、系統(tǒng)調(diào)試解決方案，整體解決方案助力工程師系統(tǒng)級優(yōu)化設(shè)計。
2019-07-04 08:49:551627 1. SiC材料的物性和特征SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構(gòu)成的化合物半導體材料。不僅絕緣擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，而且在器件制作時可以在較寬范圍內(nèi)控制必要的p型、n型
2019-07-23 04:20:21
隨著現(xiàn)代技術(shù)的發(fā)展， 功率放大器已成為無線通信系統(tǒng)中一個不可或缺的部分, 特別是寬帶大功率產(chǎn)生技術(shù)已成為現(xiàn)代通信對抗的關(guān)鍵技術(shù)。作為第三代半導體材料碳化硅（ SiC） , 具有寬禁帶、高熱導率、高
2019-08-12 06:59:10
本書較全面地講述了現(xiàn)有各類重要功率半導體器件的結(jié)構(gòu)、基本原理、設(shè)計原則和應用特性，有機地將功率器件的設(shè)計、器件中的物理過程和器件的應用特性聯(lián)系起來。
書中內(nèi)容由淺入深，從半導體的性質(zhì)、基本的半導體
2025-07-11 14:49:36
點擊: 功率半導體器件 &
2008-08-03 17:05:29
功率半導體器件應用手冊功率半導體器件應用手冊——彎腳及焊接應注意的問題本文將向您介紹大家最關(guān)心的有關(guān)TSE功率半導體器件封裝的兩個問題：一、 怎樣彎腳才能不影響器件的可靠性？二、 怎樣確保焊接
2008-08-12 08:46:34
功率半導體器件以功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(功率MOSFET，常簡寫為功率MOS)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(power IC，常簡寫為PIC)為主。
2020-04-07 09:00:54
在半導體功率器件（如IGBT、SiC MOSFET、GaN HEMT）的研發(fā)、生產(chǎn)與品控中，精準、高效、可靠的測量系統(tǒng)是確保器件性能達標、加速產(chǎn)品上市的關(guān)鍵。天恒科儀功率器件測量系統(tǒng)集尖端硬件與智能
2025-07-29 16:21:17
在Tech Web的“基礎(chǔ)知識”里新添加了關(guān)于“功率元器件”的記述。近年來，使用“功率元器件”或“功率半導體”等說法，以大功率低損耗為目的二極管和晶體管等分立（分立半導體）元器件備受矚目。這是
2018-11-29 14:39:47
近年來，全球半導體功率器件的制造環(huán)節(jié)以較快速度向我國轉(zhuǎn)移。目前,我國已經(jīng)成為全球最重要的半導體功率器件封測基地。如IDM類（吉林華微電子、華潤微電子、杭州士蘭微電子、比亞迪股份、株洲中車時代半導體
2021-07-12 07:49:57
大陸轉(zhuǎn)移的歷史浪潮之下，半導體材料進口替代將成為必然趨勢，國內(nèi)半導體材料研究未來成長空間巨大。泰克產(chǎn)品提供全套的解決方案可供電子測試工程師選擇。半導體產(chǎn)業(yè)加速向中國大陸轉(zhuǎn)移，中國正成為主要承接
2020-05-09 15:22:12
半導體泵浦固體激光器的種類很多，可以是連續(xù)的、脈沖的、調(diào)Q的，以及加倍頻混頻等非線性轉(zhuǎn)換的。工作物質(zhì)的形狀有圓柱和板條狀的。
2020-03-10 09:03:12
的動態(tài)特性: 1、器件在不同溫度的特性 2、短路特性和短路關(guān)斷 3.柵極驅(qū)動特性 4.關(guān)斷時過電壓特性 5.二極管回復特性 6.開關(guān)損耗測試等二、測試平臺搭建 泰克推出了IGBT Town功率器件支持
2021-05-20 11:17:57
。深圳市太古半導體有限公司自公司成立以來，以穩(wěn)定的步伐飛速發(fā)展，成為國內(nèi)電子元器件知名的供應商之一。在研發(fā)-生產(chǎn)-銷售的過程中，整合整個產(chǎn)品鏈上的品質(zhì)標準及流程，建立一整套品質(zhì)保證體系。為滿足客戶及時
2015-11-19 12:56:10
美信半導體：美信半導體是全球領(lǐng)先的半導體制造供應商，Maxim的電能計量方案提供全面的SoC器件選擇， 是多芯片方案的高精度、高性價比替代產(chǎn)品。 無與倫比的動態(tài)范圍和獨特的32位可編程測量引擎，使
2011-08-25 10:03:05
器件都承載著巨大的科技使命，它的穩(wěn)定性和壽命直接決定著設(shè)備的整體壽命與系統(tǒng)安全的保障，而半導體分立器件測試設(shè)備正是守護這些芯小小器件品質(zhì)的關(guān)鍵利器，為半導體制造企業(yè)及應用終端行業(yè)為半導體核心功率轉(zhuǎn)換元件
2025-10-10 10:35:17
材料在制作耐高溫的微波大功率器件方面也極具優(yōu)勢。筆者從材料的角度分析了GaN 適用于微波器件制造的原因，介紹了幾種GaN 基微波器件最新研究動態(tài)，對GaN 調(diào)制摻雜場效應晶體管（MODFETs）的工作原理以及特性進行了具體分析，并同其他微波器件進行了比較，展示了其在微波高功率應用方面的巨大潛力。
2019-06-25 07:41:00
的低電感封裝具有出色的開關(guān)特性，使客戶能夠開發(fā)更高性能的高可靠性系統(tǒng)，幫助他們從競爭中脫穎而出?！薄 ∈袌鲅芯繖C構(gòu)Technavio指出，面向全球半導體應用的SiC市場預計在2021年前達到大約
2018-10-23 16:22:24
深圳市三佛科技有限公司介紹SLD60N02T ： 60A 20VTO-252N溝道 MOS場效應管
品牌：美浦森
型號：SLD60N02T
VDS：20V
IDS ：60A
封裝:TO-252
2024-04-26 14:37:50
在研究雷達探測整流器時，發(fā)現(xiàn)硅存在PN結(jié)效應，1958年美國通用電氣（GE）公司研發(fā)出世界上第一個工業(yè)用普通晶閘管，標志著電力電子技術(shù)的誕生。從此功率半導體器件的研制及應用得到了飛速發(fā)展，并快速成長為
2019-02-26 17:04:37
元件來適應略微增加的開關(guān)頻率，但由于無功能量循環(huán)而增加傳導損耗［2］。因此，開關(guān)模式電源一直是向更高效率和高功率密度設(shè)計演進的關(guān)鍵驅(qū)動力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半導體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
主要代理國產(chǎn)品牌一些半導體器件：士蘭微:MCUMOSIPM數(shù)明：門級驅(qū)動，隔離非隔離驅(qū)動杰華特宇力：MCU3PAK :運放，ldo微盟:電源管理美浦森：MOS納芯微 ：隔離接口，驅(qū)動還有TI的一些物料 等等需要的各位領(lǐng)導歡迎前來采購、v15375195257（同電話）。
2021-09-06 09:18:29
主要代理國產(chǎn)品牌一些半導體器件：士蘭微:MCUMOSIPM數(shù)明：門級驅(qū)動，隔離非隔離驅(qū)動杰華特宇力：MCU3PAK :運放，ldo微盟:電源管理美浦森：MOS納芯微 ：隔離接口，驅(qū)動還有TI的一些物料 等等詳情請聯(lián)系***（同wx）
2021-09-06 09:21:21
了厚實的研發(fā)設(shè)計能力，同時還建立全流程的封裝測試產(chǎn)線（涵蓋封裝測試、成品測試等多項）。為客戶提供MOSFET、SiC、功率二極管及整流橋等高品質(zhì)的半導體分立器件產(chǎn)品。MDD致力滿足客戶高品質(zhì)需求，目前產(chǎn)品
2022-11-11 11:50:23
測試對測 試系統(tǒng)的要求越來越高。通常這些器件的接觸電極尺 寸只有微米量級，這些對低噪聲源表，探針臺和顯微 鏡性能都提出了更高的要求。半導體分立器件I-V特性測試方案，泰克公司與合作 伙伴使用泰克吉時利
2019-10-08 15:41:37
常用的功率半導體器件有哪些？
2021-11-02 07:13:30
雖然電動和混合動力電動汽車（EV]從作為功率控制器件的標準金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）到基于碳化硅（SiC）襯底和工藝技術(shù)的FET的轉(zhuǎn)變代表了提高EV的效率和整體系統(tǒng)級特性的重要步驟
2019-08-11 15:46:45
`①未來發(fā)展導向之Sic功率元器件“功率元器件”或“功率半導體”已逐漸步入大眾生活，以大功率低損耗為目的二極管和晶體管等分立（分立半導體）元器件備受矚目。在科技發(fā)展道路上的，“小型化”和“節(jié)能化
2017-07-22 14:12:43
深愛半導體推出新品IPM模塊
IPM（Intelligent Power Module，智能功率模塊） 是集成了功率器件、驅(qū)動電路、保護功能的“系統(tǒng)級”功率半導體方案。其高度集成方案可縮減 PCB
2025-07-23 14:36:03
反饋模式，無需次級反饋電路，也無需補償電路，加之精準穩(wěn)定的自適應技術(shù)，使得系統(tǒng)外圍結(jié)構(gòu)十分簡單，可在外圍器件數(shù)量少，參數(shù)范圍寬松的條件下實現(xiàn)高精度恒流控制，極大地節(jié)約了系統(tǒng)成本和體積，并且能夠確保在
2022-02-17 15:42:55
超過40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導體器件之一。根據(jù)中國半導體行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計，2019年中國半導體產(chǎn)業(yè)市場規(guī)模達7562億元
2021-01-12 11:48:45
，因此使用碳化硅（SiC）陶瓷線路板的功率器件的阻斷電壓比Si器件高很多。3) 低損耗一般而言，半導體器件的導通損耗與其擊穿場強成反比，故在相似的功率等級下，SiC器件的導通損耗比Si器件小很多。且使用斯
2021-03-25 14:09:37
擴展和維護。該系統(tǒng)集成度高、應用覆蓋面廣，系統(tǒng)采用軟、硬件一體化設(shè)計且功能豐富，在保證系統(tǒng)穩(wěn)定運行的同時，可以快速滿足功率半導體可靠性測試需求。
系統(tǒng)優(yōu)勢
高溫高壓高精度：dv/dt>
2024-10-17 17:09:08
、InP化合物半導體材料之后的第三代半導體材料?！ ?b class="flag-6" style="color: red">在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應用方面有著廣闊的前景。SiC功率器件在C波段以上受頻率的限制，也使其使用受到一定的限制;GaN功率管因其
2017-06-16 10:37:22
如果請您還在為芯片缺貨而擔心如果您還在為買到假貨而擔心如果您還在為原料的缺失而擔心都可以來找我哦本人公司，從事半導體芯片的銷售我們公司主要代理國產(chǎn)品牌一些半導體器件：士蘭微:MCUMOSIPM數(shù)明
2021-09-06 09:33:04
領(lǐng)泰 / LEADTECK領(lǐng)泰半導體（深圳）有限公司由一級代理提供技術(shù)支持領(lǐng)泰 / LEADTECK領(lǐng)泰半導體（深圳）有
關(guān)于領(lǐng)泰 / LEADTECK
領(lǐng)泰是一家專業(yè)的功率器件設(shè)計公司，從事功率
2024-11-03 14:20:38
光隔離探頭在SiC MOSFET測試中的應用不僅解決了單點測量難題，更通過高精度數(shù)據(jù)鏈打通了“芯片設(shè)計-封裝-系統(tǒng)應用”全環(huán)節(jié)，成為寬禁帶半導體產(chǎn)業(yè)升級的關(guān)鍵使能技術(shù)。其價值已超越傳統(tǒng)測試工具范疇，向
2025-04-08 16:00:57
半導體分立器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)&能測 IGBT. Mosfet. Diode. BJT......半導體分立器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)能測試很多電子元器件的靜態(tài)直流參數(shù)（如擊穿電壓V(BR)CES/V
2024-07-30 08:56:15
半導體功率器件靜態(tài)參數(shù)測試儀系統(tǒng)&能測 IGBT. Mosfet. Diode. BJT......半導體功率器件靜態(tài)參數(shù)測試儀系統(tǒng)能測試很多電子元器件的靜態(tài)直流參數(shù)（如擊穿電壓V(BR)CES/V
2024-07-30 09:01:22
產(chǎn)品介紹 HUSTEC-DC-2010晶體管直流參數(shù)測試系統(tǒng)是由我公司技術(shù)團隊結(jié)合半導體功率器件
2024-09-09 13:46:47
SiC功率器件的封裝技術(shù)要點
具有成本效益的大功率高溫半導體器件是應用于微電子技術(shù)的基本元件。SiC是寬帶隙半導體材料，與S
2009-11-19 08:48:432709 ，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點，與剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代Ge、Si半導體材料、第二代GaAs、InP化合物半導體材料之后的第三代半導體材料。 在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應用方面有著廣闊的前景。SiC功率
2017-11-09 11:54:52
9 本文首先介紹了SiC功率半導體器件技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及市場前景，其次闡述了SiC功率器件發(fā)展中存在的問題，最后介紹了SiC功率半導體器件的突破。
2018-05-28 15:33:5412107 
安森美半導體（ON Semiconductor）是功率電子領(lǐng)域的市場領(lǐng)導者之一，在SiC功率器件領(lǐng)域的地位正在迅速攀升。
2019-07-30 15:40:236393 吉時利8010型大功率器件測試夾具與2651A以及2657A型大功率系統(tǒng)數(shù)字源表一起完善了功率半導體器件測試解決方案。圖1給出源測量單元（SMU）儀器與8010型夾具的連接圖。在8010型互連參考指南（IRG）中給出詳細的器件測試配置實例。
2020-08-21 13:49:313468 
工程師的噩夢。 結(jié)合泰克新一代示波器，泰克針對性地推出帶寬 1Ghz、2500V 差模、120dB 共模抑制比的全面光隔離探頭，提供系統(tǒng)優(yōu)異的抗干擾能力，幫助工程師進行第三代半導體器件的系統(tǒng)級優(yōu)化設(shè)計。工程師在設(shè)計電源產(chǎn)品時，優(yōu)化上下管的驅(qū)動條件，從
2020-10-30 03:52:111116 泰克光電將在2020年12月8-10日在深圳國際會展中心(寶安新館)舉辦的深圳國際半導體展會上推出系列新設(shè)備產(chǎn)品展示 展位號：2號館 A285 敬請期待 深圳市泰克光電科技有限公司成立于2012年
2020-11-20 12:04:452290 Cree Wolfspeed與泰克共同應對寬禁帶半導體器件的挑戰(zhàn)，共同促進寬禁帶半導體行業(yè)的發(fā)展。
2020-12-21 15:48:571258 碳化硅（SiC）是第三代半導體材料的典型代表，也是目前晶體生長技術(shù)和器件制造水平最成熟，應用最廣泛的寬禁帶半導體材料之一，是高溫，高頻，抗輻照，大功率應用場合下極為理想的半導體材料。文章結(jié)合美國國防
2021-02-01 11:28:4629 揭曉部分新技術(shù)和新產(chǎn)品。 本期我們邀請到了深圳市美浦森半導體有限公司市場兼產(chǎn)品FAE王旋，他為我們揭曉了美浦森將要展示的功率器件市場的新動向及美浦森的新技術(shù)和產(chǎn)品。 美浦森是誰？ 根據(jù)王旋的介紹，美浦森是一家功率器件涉及公司
2021-10-25 11:01:122448 泰克科技與忱芯科技達成了全范圍的戰(zhàn)略合作聯(lián)盟，雙方將深度整合資源，優(yōu)勢互補，圍繞寬禁帶功率半導體測試領(lǐng)域開展全產(chǎn)業(yè)鏈的產(chǎn)品合作，為客戶解決寬禁帶半導體測試挑戰(zhàn)。
2021-11-08 17:20:314217 
功率器件動態(tài)參數(shù)測試 功率器件如場效應晶體管和絕緣門雙極晶體管，這些器件提供了快速開關(guān)速度，能夠耐受沒有規(guī)律的電壓峰值，被廣泛應用于電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的設(shè)計。尤其第三代半導體Sic和GaN的快速發(fā)展
2021-12-07 11:37:241022 企業(yè)級第三代半導體功率器件測試服務(wù)實驗室。開放實驗室以泰克測試設(shè)備為核心，結(jié)合泰克在全球三代半導體產(chǎn)業(yè)積累的豐富經(jīng)驗，與國內(nèi)一線方案合作伙伴共同打造，致力于加速中國第三代半導體行業(yè)創(chuàng)新發(fā)展、工藝優(yōu)化、良率提升，讓工程師的工作更高效更有信心。 應對易變性未來，支持本
2022-09-26 09:48:54809 
泰克科技在北京成立【泰克先進半導體開放實驗室】（TEK Advance Semiconductor Open Lab），并邀請嘉賓一起見證啟動開幕，這是全國首個企業(yè)級第三代半導體功率器件測試服務(wù)實驗室。
2022-09-26 14:30:341591 近年來，SiC功率器件結(jié)構(gòu)設(shè)計和制造工藝日趨完善，已經(jīng)接近其材料特性決定的理論極限，依靠Si器件繼續(xù)完善來提高裝置與系統(tǒng)性能的潛力十分有限。本文首先介紹了SiC功率半導體器件技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及市場前景，其次闡述了SiC功率器件發(fā)展中存在的問題，最后介紹了SiC功率半導體器件的突破。
2022-11-24 10:05:102963 參數(shù)，具有高電壓和大電流特性，uΩ級電阻，pA級電流精準測量等特點。支持高壓模式下測量功率器
件結(jié)電容，如輸入電容，輸出電容、反向傳輸電容等。
普賽斯以自主研發(fā)為導向，深耕半導體測試領(lǐng)域，在I-V測試上積累了豐富的經(jīng)驗，先后推出了直流源表，脈沖源
2023-02-15 16:11:141 EN-6500A功率器件動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)是由西安易恩電氣科技有限公司自主研制、生產(chǎn)的半導體分立器件動態(tài)參數(shù)測試的專用設(shè)備，通過使用更換不同的測試工裝可
以對不同封裝的半導體器件進行非破壞性瞬態(tài)測試
2023-02-16 15:38:103 SiC碳化硅功率半導體器件具有耐壓高、熱穩(wěn)定好、開關(guān)損耗低、功率密度高等特點，被廣泛應用在電動汽車、風能發(fā)
電、光伏發(fā)電等新能源領(lǐng)域。
近年來，全球半導體功率器件的制造環(huán)節(jié)以較快速度向我國轉(zhuǎn)移
2023-02-16 15:28:255 瑞森半導體功率器件在九陽Z2-Vmini 榨汁機上的應用
2023-03-09 14:44:41748 
瑞森半導體的超結(jié)MOS系列、SiC MOS系列、SiC SBD系列均滿足充電樁高效率、高功率密度的性能要求，誠邀咨詢
2023-04-17 17:56:301090 
泰克科技（中國）有限公司和矽電半導體設(shè)備（深圳）股份有限公司戰(zhàn)略合作發(fā)布會在深圳創(chuàng)投大廈矽電總部召開，同一時間，泰克（中國）和矽電半導體宣布測試測量聯(lián)合實驗室正式成立。
2023-06-16 10:09:383242 
點擊上方 “泰克科技” 關(guān)注我們！ 構(gòu)筑國產(chǎn)化合物半導體功率器件測試驗證的能力基石 ?泰克科技? 泰克科技（中國）有限公司和矽電半導體設(shè)備（深圳）股份有限公司戰(zhàn)略合作發(fā)布會在深圳創(chuàng)投大廈矽電總部召開
2023-06-16 12:15:041432 
美浦森半導體成立于2014年，總部位于深圳市南山區(qū)，在深圳，上海均設(shè)有研發(fā)中心。是一家集研發(fā)、設(shè)計、生產(chǎn)、銷售和服務(wù)為一體的完整型產(chǎn)業(yè)鏈公司，國家級高新企業(yè)。公司產(chǎn)品包括中大功率場效應管（低壓到高壓
2022-05-06 15:26:162172 
美浦森半導體成立于2014年，總部位于深圳市南山區(qū)，在深圳，上海均設(shè)有研發(fā)中心。是一家集研發(fā)、設(shè)計、生產(chǎn)、銷售和服務(wù)為一體的完整型產(chǎn)業(yè)鏈公司，國家級高新企業(yè)。公司產(chǎn)品包括中大功率場效應管（低壓到高壓
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美浦森半導體成立于2014年，總部位于深圳市南山區(qū)，在深圳，上海均設(shè)有研發(fā)中心。是一家集研發(fā)、設(shè)計、生產(chǎn)、銷售和服務(wù)為一體的完整型產(chǎn)業(yè)鏈公司，國家級高新企業(yè)。公司產(chǎn)品包括中大功率場效應管（低壓到高壓
2022-05-06 15:24:12796 美浦森半導體成立于2014年，總部位于深圳市南山區(qū)，在深圳，上海均設(shè)有研發(fā)中心。是一家集研發(fā)、設(shè)計、生產(chǎn)、銷售和服務(wù)為一體的完整型產(chǎn)業(yè)鏈公司，國家級高新企業(yè)。公司產(chǎn)品包括中大功率場效應管（低壓到高壓
2022-04-29 14:26:251185 
美浦森超結(jié)MOS在照明電源中的應用芯晶圖電子潘17633824194隨著電源技術(shù)和功率器件以及通信技術(shù)的發(fā)展，目前的照明產(chǎn)品越來越趨向于智能化，小型化。對電源的體積和功率密度的要求也越來越高。因此
2022-04-29 16:27:012983 
2021-01-15美浦森半導體DFN8*8封裝外形產(chǎn)品上線隨著半導體技術(shù)快速的發(fā)展，5G時代的到來，各類現(xiàn)代化產(chǎn)品不斷向著高壓、大電流、高功率、高頻率的方向發(fā)展；小體積，低能耗，高效率的產(chǎn)品外形
2022-04-29 16:26:105559 
拆解報告 ：瑞森半導體功率器件在九陽Z2-Vmini 榨汁機上的應用
2023-03-10 14:13:041589 
瑞森半導體的超結(jié)MOS系列、SiC MOS系列、SiC SBD系列均滿足充電樁高效率、高功率密度的性能要求，誠邀咨詢
2023-04-18 10:21:551331 
點擊上方 “泰克科技” 關(guān)注我們！ （本文轉(zhuǎn)載自公眾號： 功率器件顯微鏡 ，分享給大家交流學習） GaN HEMT功率器件實測及其測試注意事項。氮化鎵器件是第三代半導體中的典型代表，具有極快的開關(guān)
2023-07-17 18:45:022345 
。面對新材料、新器件和新特性在設(shè)計、生產(chǎn)和使用中的全新挑戰(zhàn)， 泰克結(jié)合多年在第三代半導體產(chǎn)業(yè)的豐富經(jīng)驗和領(lǐng)先的功率器件動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)為客戶提供支持服務(wù) ，同時在北京成立第三代半導體測試實驗室，幫助行業(yè)內(nèi)客戶、合作
2023-09-04 12:20:011008 半導體動態(tài)測試參數(shù)是指在交流條件下對器件進行測試，是確保半導體性能、穩(wěn)定性和可靠性的重要依據(jù)。動態(tài)測試參數(shù)主要有開關(guān)時間、開關(guān)損耗、反向恢復電流、開關(guān)電流、耗散功率等。
2023-10-10 15:23:381135 
英飛凌如何控制和保證基于 SiC 的功率半導體器件的可靠性
2023-10-11 09:35:492169 
sic功率半導體上市公司 sic功率半導體上市公司有三安光電、露笑科技、楚江新材、天通股份、東尼電子、華潤微、揚杰科技、捷捷微電、華微電子、斯達半導、聞泰科技等公司，注意以上信息僅供參考，如果想了
2023-10-18 16:14:302069 瑞森半導體副總-龍立博士，慕尼黑華南電子展主題演講，聚焦光伏/風能發(fā)電儲能系統(tǒng)、電動汽車及充電樁等領(lǐng)域
2023-11-01 10:40:43617 
瑞森半導體副總-龍立博士，慕尼黑華南電子展主題演講，聚焦光伏/風能發(fā)電儲能系統(tǒng)、電動汽車及充電樁等領(lǐng)域
2023-11-01 11:09:021220 
點擊上方 “泰克科技” 關(guān)注我們！ 寬禁帶材料是指禁帶寬度大于 2.3eV 的半導體材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料等最為常見，典型代表有碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN)，這些半導體材料也稱為第三代
2023-11-03 12:10:021785 
Strategy Analytics， 功率半導體在汽車半導體中的占比從傳統(tǒng)燃油車的21%提升至純電動車的55% ，躍升為占比最大的半導體器件。 應對SiC帶來的測試驗證挑戰(zhàn) 同其他車用電子零部件一樣，車規(guī)級功率半導體也須通過AEC-Q100認證規(guī)范所涵蓋的7大類別41項測試
2023-11-17 16:00:011082 12月27日，浙江芯微泰克半導體有限公司（以下簡稱“芯微泰克”）功率器件超薄芯片背道加工線項目正式通線投產(chǎn)。
2023-12-29 10:20:371581 第三代SiC功率半導體動態(tài)可靠性測試系統(tǒng)KC-3105。該系統(tǒng)憑借高效精準、可靈活定制、實時保存測試結(jié)果并生成報告、安全防護等優(yōu)秀性能。嚴格遵循《AQG 324機動車輛電力電子轉(zhuǎn)換器單元用功率模塊
2024-04-23 14:37:266 創(chuàng)新實驗室V2.0設(shè)備再更新、能力再升級； 助力產(chǎn)業(yè)升級，主打 開放性，先進性，本地化 協(xié)作共贏； 線上線下多元化互動，直擊測試痛點。 泰克先進半導體開放實驗室，作為北京先進半導體測試領(lǐng)域的領(lǐng)軍者
2024-05-16 17:14:30591 
創(chuàng)新實驗室V2.0設(shè)備再更新、能力再升級； 助力產(chǎn)業(yè)升級，主打開放性，先進性，本地化協(xié)作共贏； 線上線下多元化互動，直擊測試痛點。 2024年5月16日，中國北京?—— 泰克先進半導體開放實驗室
2024-05-22 17:52:111133 
，美浦森半導體借此盛會，隆重推出了其一系列革命性的超高壓功率半導體產(chǎn)品，不僅彰顯了企業(yè)實力，更為行業(yè)發(fā)展注入了強勁動力。
2024-07-08 14:16:151266 水壓伺服閥作為現(xiàn)代液壓系統(tǒng)中不可或缺的控制元件，其動態(tài)性能對系統(tǒng)穩(wěn)定性、響應速度和控制精度至關(guān)重要。為了準確評估水壓伺服閥的動態(tài)性能，需要借助專業(yè)的測試設(shè)備進行測試。泰克信號發(fā)生器憑借其強大的波形
2024-08-30 15:37:54882 
測試領(lǐng)域。本文將重點介紹泰克信號發(fā)生器在半導體測試中的應用，包括信號發(fā)生器的基本原理。 信號發(fā)生器的基本原理 信號發(fā)生器是一種能夠產(chǎn)生各種類型和頻率的電信號的電子設(shè)備。信號發(fā)生器通常由振蕩器、放大器和信號處理
2024-10-22 16:58:44852 
樣品活動進行中，掃碼了解詳情/前言/功率半導體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證
2024-12-23 17:31:081709 /前言/功率半導體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱
2025-01-06 17:05:481329 /前言/功率半導體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱
2025-01-13 17:36:111819 近日，泰克科技與遠山半導體的合作再次取得了突破性進展，雙方共同對遠山半導體最新推出的1700V GaN(氮化鎵)器件進行了全面深入的測試與評估，取得了令人矚目的成果。 此次合作不僅驗證了遠山半導體
2025-01-20 11:07:33962 SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代進口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級！ 傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然，勇立功率半導體器件變革潮頭： 傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必
2025-03-13 00:27:37768 隨著第三代半導體材料SiC在新能源汽車、5G通信和工業(yè)控制等領(lǐng)域的廣泛應用，其動態(tài)特性的精準測量成為保障系統(tǒng)可靠性的關(guān)鍵。泰克示波器憑借高帶寬、高速采樣率和專業(yè)的分析功能，為SiC器件的動態(tài)參數(shù)測試
2025-10-17 11:42:14231 
隨著新能源汽車、光伏儲能以及工業(yè)電源的迅速發(fā)展，半導體器件在這些領(lǐng)域中的應用也愈發(fā)廣泛，為了提升系統(tǒng)的性能，半導體器件系統(tǒng)正朝著更高效率、更高功率密度和更小體積的方向快速發(fā)展。對于半導體器件性能質(zhì)量
2025-11-17 18:18:372315 
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