過(guò)去的幾年里，測(cè)試探針卡的發(fā)展允許平行測(cè)試更多的器件——同時(shí)可測(cè)的待測(cè)器件(DUT)數(shù)量從32到64到128不斷上升——減少了測(cè)試平臺(tái)的數(shù)目。這樣，通過(guò)在300 mm晶圓上一次完成測(cè)試，
2011-11-10 12:04:20
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半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體，簡(jiǎn)稱(chēng)ST宣布，全球首款未使用任何接觸式探針完成裸片全部測(cè)試的半導(dǎo)體晶圓研制成功。
2011-12-31 09:45:371760 。適用于對(duì)芯片進(jìn)行科研分析，抽查測(cè)試等用途。探針臺(tái)的功能都有哪些？1.集成電路失效分析2.晶圓可靠性認(rèn)證3.元器件特性量測(cè)4.塑性過(guò)程測(cè)試(材料特性分析)5.制程監(jiān)控6.IC封裝階段打線(xiàn)品質(zhì)測(cè)試7.液晶面板
2023-05-31 10:29:33
我們想要描述SMA連接器和尖端之間的共面晶圓探針。我們正在考慮使用“微波測(cè)量手冊(cè)”第9.3.1節(jié)中的“使用單端口校準(zhǔn)進(jìn)行夾具表征”。我們將使用ECAL用于SMA側(cè)，并使用晶圓SOL終端用于探頭側(cè)
2019-01-23 15:24:48
`晶圓切割目的是什么？晶圓切割機(jī)原理是什么？一.晶圓切割目的晶圓切割的目的，主要是要將晶圓上的每一顆晶粒（Die）加以切割分離。首先要將晶圓（Wafer）的背面貼上一層膠帶（Wafer Mount
2011-12-02 14:23:11
+ 4HNO3 + 6 HF? 3H2SiF6 +4 NO + 8H2O 拋光：機(jī)械研磨、化學(xué)作用使表面平坦，移除晶圓表面的缺陷八、晶圓測(cè)試主要分三類(lèi)：功能測(cè)試、性能測(cè)試、抗老化測(cè)試。具體有如:接觸測(cè)試
2019-09-17 09:05:06
短，帶來(lái)更好的電學(xué)性能?！ ? 晶圓封裝的缺點(diǎn) 1）封裝時(shí)同時(shí)對(duì)晶圓商所有芯片進(jìn)行封裝，不論時(shí)好的芯片或壞的芯片都將被封裝，因此在晶圓制作的良率不夠高時(shí)，就會(huì)帶來(lái)多余的封裝成本和測(cè)試的時(shí)間浪費(fèi)
2021-02-23 16:35:18
` 硅是由石英沙所精練出來(lái)的，晶圓便是硅元素加以純化（99.999%），接著是將些純硅制成硅晶棒，成為制造積體電路的石英半導(dǎo)體的材料，經(jīng)過(guò)照相制版，研磨，拋光，切片等程序，將多晶硅融解拉出單晶硅晶棒
2011-09-07 10:42:07
不完整的晶格切割后，將不被使用 5 晶圓的平坦邊：晶圓制造完成后，晶圓邊緣都會(huì)切割成主要和次要的平坦邊，目的是用來(lái)作為區(qū)分。`
2011-12-01 15:30:07
晶圓級(jí)封裝技術(shù)源自于倒裝芯片。晶圓級(jí)封裝的開(kāi)發(fā)主要是由集成器件制造廠家（IBM）率先啟動(dòng)。1964年，美國(guó)IBM公司在其M360計(jì)算器中最先采用了FCOB焊料凸點(diǎn)倒裝芯片器件。
2020-03-06 09:02:23
lines，saw lines，streets，avenues)：在晶圓上用來(lái)分隔不同芯片之間的街區(qū)。街區(qū)通常是空白的，但有些公司在街區(qū)內(nèi)放置對(duì)準(zhǔn)靶，或測(cè)試的結(jié)構(gòu)。（3）工程試驗(yàn)芯片
2020-02-18 13:21:38
作一描述。 上圖為晶圓針測(cè)之流程圖，其流程包括下面幾道作業(yè)：（1）晶圓針測(cè)并作產(chǎn)品分類(lèi)（Sorting）晶圓針測(cè)的主要目的是測(cè)試晶圓中每一顆晶粒的電氣特性，線(xiàn)路的 連接，檢查其是否為不良品，若為
2020-05-11 14:35:33
,、WAFER承載料盒、晶圓提籃,芯片盒,晶圓包裝盒,晶圓包裝,晶圓切片,晶圓生產(chǎn)，晶圓制造，晶圓清洗，晶圓測(cè)試，晶圓切割，晶圓代工，晶圓銷(xiāo)售，晶圓片測(cè)試，晶圓運(yùn)輸用包裝盒，晶圓切割,防靜電IC托盤(pán)(IC
2020-07-10 19:52:04
請(qǐng)問(wèn)有人用過(guò)Jova Solutions的ISL-4800圖像測(cè)試儀嗎，還有它可否作為CIS晶圓測(cè)試的tester，謝謝！
2015-03-29 15:49:20
SiC SBD 晶圓級(jí)測(cè)試 求助：需要測(cè)試的參數(shù)和測(cè)試方法謝謝
2020-08-24 13:03:34
納米到底有多細(xì)微？什么晶圓？如何制造單晶的晶圓？
2021-06-08 07:06:42
` 晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱(chēng)為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅
2011-12-01 11:40:04
`晶圓測(cè)試是對(duì)晶片上的每個(gè)晶粒進(jìn)行針測(cè)，在檢測(cè)頭裝上以金線(xiàn)制成細(xì)如毛發(fā)之探針（probe），與晶粒上的接點(diǎn)（pad）接觸，測(cè)試其電氣特性，不合格的晶粒會(huì)被標(biāo)上記號(hào)，而后當(dāng)晶片依晶粒為單位切割成獨(dú)立
2011-12-01 13:54:00
`型號(hào)：L-908本機(jī)適用于LED已切割晶粒的全自動(dòng)點(diǎn)測(cè)的設(shè)備。它集成了智能針痕監(jiān)控、自動(dòng)無(wú)損清針（自有專(zhuān)利）在內(nèi)的多項(xiàng)自動(dòng)化技術(shù)，可大幅度節(jié)省人工?？筛鶕?jù)圓片全測(cè)（COT）及方片抽測(cè)的不同測(cè)試要求
2018-05-24 09:58:45
1、為什么晶圓要做成圓的？如果做成矩形，不是更加不易產(chǎn)生浪費(fèi)原料？2、為什么晶圓要多出一道研磨的工藝？為什么不能直接做成需求的厚度？
2014-01-20 15:58:42
今日分享晶圓制造過(guò)程中的工藝及運(yùn)用到的半導(dǎo)體設(shè)備。晶圓制造過(guò)程中有幾大重要的步驟：氧化、沉積、光刻、刻蝕、離子注入/擴(kuò)散等。這幾個(gè)主要步驟都需要若干種半導(dǎo)體設(shè)備，滿(mǎn)足不同的需要。設(shè)備中應(yīng)用較為廣泛
2018-10-15 15:11:22
silicon wafer used for testing purposes.機(jī)械測(cè)試晶圓片 - 用于測(cè)試的晶圓片。Microroughness - Surface roughness
2011-12-01 14:20:47
晶圓劃片 (Wafer Dicing )將晶圓或組件進(jìn)行劃片或開(kāi)槽，以利后續(xù)制程或功能性測(cè)試。提供晶圓劃片服務(wù)，包括多項(xiàng)目晶圓(Multi Project Wafer, MPW)與不同材質(zhì)晶圓劃片
2018-08-31 14:16:45
1：影響探針使用壽命的主要因素測(cè)試探針的行程是否過(guò)壓，是否存在側(cè)面力介入，通過(guò)的測(cè)試電流是否大于額定值等等2：怎么使用能使探針的壽命最大化測(cè)試探針按照推薦的使用行程使用，保證探針在設(shè)備上是垂直伸縮
2019-07-22 17:39:39
在很多PCB板、晶圓的測(cè)試中，高頻探針是一個(gè)必不可少的探測(cè)工具。特別是高速數(shù)字電路板、微波芯片的測(cè)試中，對(duì)于探針的阻抗、損耗等都有非常高的要求。那么問(wèn)題來(lái)了，探針本身的性能好壞如何衡量？
2019-08-09 06:26:54
計(jì)算充電時(shí)間的斜率，探針在制成治具時(shí)他有可連續(xù)使用的特性，且成本不高因此他在測(cè)試界一直被廣泛使用。探針的頭型分為多種主要的是因?yàn)椴煌?b class="flag-6" style="color: red">測(cè)試點(diǎn)需不同的頭型，比如dip腳使用多爪頭型，測(cè)試pad點(diǎn)使用尖頭
2016-07-05 16:20:11
招聘6/8吋晶圓測(cè)試工藝工程師/主管1名工作地點(diǎn)：無(wú)錫工資：面議要求：1. 工藝工程師：晶圓測(cè)試經(jīng)驗(yàn)3年以上，工藝主管：晶圓測(cè)試經(jīng)驗(yàn)5年以上；2. 精通分立器件類(lèi)產(chǎn)品晶圓測(cè)試，熟悉IC晶圓測(cè)試尤佳
2017-04-26 15:07:57
看到了晶圓切割的一個(gè)流程，但是用什么工具切割晶圓？求大蝦指教啊 ？
2011-12-01 15:47:14
`什么是硅晶圓呢，硅晶圓就是指硅半導(dǎo)體積體電路制作所用的硅晶片。晶圓是制造IC的基本原料。硅晶圓和晶圓有區(qū)別嗎？其實(shí)二者是一個(gè)概念。集成電路（IC）是指在一半導(dǎo)體基板上，利用氧化、蝕刻、擴(kuò)散等方法
2011-12-02 14:30:44
測(cè)試應(yīng)用范圍：8寸以?xún)?nèi)Wafer，IC測(cè)試，IC設(shè)計(jì)等芯片失效分析探針臺(tái)測(cè)試probe測(cè)試內(nèi)容：1.微小連接點(diǎn)信號(hào)引出2.失效分析失效確認(rèn)3.FIB電路修改后電學(xué)特性確認(rèn)4.晶圓可靠性驗(yàn)證來(lái)源：知乎`
2020-10-16 16:05:57
12英寸晶圓片的外觀檢測(cè)方案？那類(lèi)探針臺(tái)可以全自動(dòng)解決12英寸晶圓片的外觀缺陷測(cè)試？ 本人郵箱chenjuhua@sidea.com.cn,謝謝
2019-08-27 05:56:09
` 集成電路按生產(chǎn)過(guò)程分類(lèi)可歸納為前道測(cè)試和后到測(cè)試；集成電路測(cè)試技術(shù)員必須了解并熟悉測(cè)試對(duì)象—硅晶圓。測(cè)試技術(shù)員應(yīng)該了解硅片的幾何尺寸形狀、加工工藝流程、主要質(zhì)量指標(biāo)和基本檢測(cè)方法；集成電路晶圓測(cè)試基礎(chǔ)教程ppt[hide][/hide]`
2011-12-02 10:20:54
極低溫測(cè)試:因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">晶圓在低溫大氣環(huán)境測(cè)試時(shí)，空氣中的水汽會(huì)凝結(jié)在晶圓上，會(huì)導(dǎo)致漏電過(guò)大或者探針無(wú)法接觸電極而使測(cè)試失敗。避免這些需要把真空腔內(nèi)的水汽在測(cè)試前用泵抽走，并且保持整個(gè)測(cè)試過(guò)程泵的運(yùn)轉(zhuǎn)。高溫?zé)o
2020-03-20 16:17:48
Nano Step系列晶圓探針式輪廓儀臺(tái)階儀是一款超精密接觸式微觀輪廓測(cè)量?jī)x器，其主要用于臺(tái)階高、膜層厚度、表面粗糙度等微觀形貌參數(shù)的測(cè)量。NS系列晶圓探針式輪廓儀臺(tái)階儀采用了線(xiàn)性可變差動(dòng)電容傳感器
2024-07-22 15:20:31
晶圓針測(cè)制程介紹晶圓針測(cè)（Chip Probing；CP）之目的在于針對(duì)芯片作電性功能上的 測(cè)試（Test），使 IC 在進(jìn)入構(gòu)裝前先行過(guò)濾出電性功能不良
2008-10-27 15:58:144504 FormFactor針對(duì)DRAM市場(chǎng)推出12吋全晶圓測(cè)試
FormFactor公司宣布針對(duì)DRAM市場(chǎng)，推出新一代12吋全晶圓接觸探針卡─SmartMatrix™ 100探針卡解決方案。該方案結(jié)合運(yùn)用FormFactor Mi
2009-12-11 09:17:14951 意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST)宣布，全球首款未使用任何接觸式探針完成裸片全部測(cè)試的半導(dǎo)體晶圓研制成功
2011-12-21 08:51:40911 現(xiàn)代對(duì)于射頻圓晶探針的設(shè)計(jì)將測(cè)試信號(hào)從一個(gè)三維媒質(zhì)（同軸電纜或矩形波導(dǎo)）轉(zhuǎn)換到兩維（共面）探針的接觸上。這種操作需要對(duì)傳輸媒質(zhì)的特性阻抗Z0進(jìn)行仔細(xì)的處理，并且要在不同傳播模式之間進(jìn)行電磁能量的正確轉(zhuǎn)換。
2017-10-26 16:44:3936529 晶圓制造總的工藝流程 芯片的制造過(guò)程可概分為晶圓處理工序（Wafer Fabrication）、晶圓針測(cè)工序（Wafer Probe）、構(gòu)裝工序（Packaging）、測(cè)試工序（Initial Test and Final Test）等幾個(gè)步驟。
2018-04-16 11:27:0015246 。? ? ? ?整體設(shè)計(jì)與構(gòu)造?基于X射線(xiàn)的晶圓級(jí)抗輻照電路測(cè)試系統(tǒng)用于半導(dǎo)體材料和集成電路的抗輻射效應(yīng)實(shí)時(shí)測(cè)量。它主要由四個(gè)大部分構(gòu)成——X射線(xiàn)源系統(tǒng)，探針臺(tái)、測(cè)試儀表、監(jiān)視控制單元。其中，X射線(xiàn)源系統(tǒng)包括X射線(xiàn)
2019-01-14 09:21:224414 
本文主要介紹了晶圓的結(jié)構(gòu)，其次介紹了晶圓切割工藝，最后介紹了晶圓的制造過(guò)程。
2019-05-09 11:15:5412823 
硅是由石英砂所精練出來(lái)的，晶圓便是硅元素加以純化（99.999%），接著是將這些純硅制成硅晶棒，成為制造集成電路的石英半導(dǎo)體的材料，經(jīng)過(guò)照相制版，研磨，拋光，切片等程序，將多晶硅融解拉出單晶硅晶棒，然后切割成一片一片薄薄的晶圓。
2019-05-09 11:34:3710653 01 案例重點(diǎn) 通過(guò)部署在線(xiàn)電氣測(cè)試，測(cè)量和分析，減少晶圓損失和成本 使用24個(gè)專(zhuān)用的并行SMU通道（每一個(gè)探針一個(gè)通道），以較小的尺寸將制造周期縮短3 倍 使用軟件包開(kāi)發(fā)靈活的測(cè)試和測(cè)量例程
2020-09-26 10:49:592477 晶圓對(duì)于科技來(lái)說(shuō)屬于重要組成之一，缺少晶圓，先進(jìn)的科技將停步不前。那么，當(dāng)晶圓被制造出來(lái)后，如何確定晶圓成品的好壞呢？本文中，小編將對(duì)大家介紹晶圓的測(cè)試方法，并且將對(duì)晶圓的形狀變化進(jìn)行探討。如果你對(duì)晶圓具有興趣，抑或本文即將要介紹的內(nèi)容具有興趣，都不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
2020-12-29 05:43:00
9 晶圓是非常重要的物件之一，缺少晶圓，目前的大多電子設(shè)備都無(wú)法使用。在往期文章中，小編對(duì)晶圓的結(jié)構(gòu)、單晶晶圓等均有所介紹。本文中，為增進(jìn)大家對(duì)晶圓的了解，小編將闡述晶圓是如何變成CPU的。如果你對(duì)晶圓相關(guān)內(nèi)容具有興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
2020-12-26 11:25:159947 上的測(cè)試。這樣，可以檢測(cè)晶片上的功能缺陷。（包括失效分析，晶圓可靠性測(cè)試，器件表征測(cè)試） 當(dāng)然，這只是晶圓測(cè)試的概述。要更詳細(xì)地了解一下，我們首先檢查一下用于進(jìn)行此測(cè)試的設(shè)備-晶圓測(cè)試#探針臺(tái)#。 晶圓測(cè)試探針臺(tái)的組成： 誠(chéng)然，
2021-10-14 10:25:4710359 晶圓測(cè)試：接觸測(cè)試、功耗測(cè)試、輸入漏電測(cè)試、輸出電平測(cè)試、全面的功能測(cè)試、全面的動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試、模擬信號(hào)參數(shù)測(cè)試。
2021-04-09 15:55:12108 面臨更大的溫寬測(cè)試壓力?！ EMISHARE科技作為半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備領(lǐng)域的先進(jìn)探針臺(tái)制造商，自2011年自主研發(fā)推出國(guó)內(nèi)第一款高低溫探針臺(tái)后，就開(kāi)始了在高低溫晶圓測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)研究。在工程師們長(zhǎng)期
2021-06-17 10:23:174110 
基于NI-VISA的晶圓測(cè)試探針臺(tái)遠(yuǎn)程控制軟件
2021-06-29 15:07:0823 晶圓探針測(cè)試也被稱(chēng)為中間測(cè)試（中測(cè)），是集成電路生產(chǎn)中的重要一環(huán)。晶圓探針測(cè)試的目的就是確保在芯片封裝前，盡可能地把壞的芯片篩選出來(lái)以節(jié)約封裝費(fèi)用。這步測(cè)試是晶圓生產(chǎn)過(guò)程的成績(jī)單，它不僅是節(jié)約芯片
2021-11-17 15:29:157456 設(shè)計(jì)能夠在設(shè)備焊接點(diǎn)上實(shí)現(xiàn)更緊密的中心,低至 0.25 毫米。 Kelvin測(cè)試是一種通過(guò)高分辨率測(cè)量來(lái)確定電阻的有限變化的方法。開(kāi)爾文探針通過(guò)與載流元件或測(cè)試選點(diǎn)的精密電接觸,可消除或大大降低接觸電阻的影響,從而實(shí)現(xiàn)更精確的測(cè)量。這在處理用于大電流測(cè)試的低
2021-11-18 16:00:441422 晶圓測(cè)試是對(duì)晶片上的每個(gè)晶粒進(jìn)行針測(cè)，在檢測(cè)頭裝上以金線(xiàn)制成細(xì)如毛發(fā)之探針(probe)，與晶粒上的接點(diǎn)(pad)接觸，測(cè)試其電氣特性，不合格的晶粒會(huì)被標(biāo)上記號(hào)，而后當(dāng)晶片依晶粒為單位切割成獨(dú)立的晶粒時(shí)，標(biāo)有記號(hào)的不合格晶粒會(huì)被洮汰，不再進(jìn)行下一個(gè)制程，以免徒增制造成本。
2022-05-23 11:29:446057 晶圓在沒(méi)有溶劑或固化時(shí)間的情況下，用真空潤(rùn)滑脂安裝樣品是低溫探針臺(tái)中最常用和最靈活的方法之一。 N-Grease-潤(rùn)滑脂蒸氣壓低，導(dǎo)熱系數(shù)高，是一種適用于低溫環(huán)境常見(jiàn)的選擇。在室溫下
2022-05-27 15:02:08803 集成電路測(cè)試是集成電路產(chǎn)業(yè)鏈的重要組成部分。在對(duì)集成電路進(jìn)行在片測(cè)試時(shí)，需要對(duì)整個(gè)晶圓進(jìn) 行測(cè)試。文中以 Cascade Summit 12000 半自動(dòng)探針臺(tái)為例，設(shè)計(jì)一個(gè)由計(jì)算機(jī)、探針臺(tái)、單片機(jī)
2022-06-02 10:04:415408 真空探針臺(tái)主要進(jìn)行MEMS 器件晶圓級(jí)的射頻測(cè)試、特種氣體環(huán)境測(cè)試、壓力測(cè)試、光電性能測(cè)試、溫度測(cè)試、震動(dòng)測(cè)試、聲音測(cè)試及電參數(shù) 測(cè)試，這些測(cè)試類(lèi)型都基于探針臺(tái)的真空環(huán)境。當(dāng)真空探針臺(tái)腔體
2022-06-06 10:44:303169 圓測(cè)試提出了重大的挑戰(zhàn)。例如，晶圓測(cè)試面臨著嚴(yán)格的電氣性能要求，而且焊盤(pán)間距、密度和探針壓力持續(xù)調(diào)整，這些組合起來(lái)以降低成本和縮短周轉(zhuǎn)時(shí)間，從而滿(mǎn)足消費(fèi)終端的市場(chǎng)需求。 FormFactor 擁有業(yè)界最廣泛的非存儲(chǔ)器型晶圓測(cè)試探針卡
2022-06-09 15:05:361152 也向晶圓測(cè)試提出了重大的挑戰(zhàn)。例如，晶圓測(cè)試面臨著嚴(yán)格的電氣性能要求，而且焊盤(pán)間距、密度和探針壓力持續(xù)調(diào)整，這些組合起來(lái)以降低成本和縮短周轉(zhuǎn)時(shí)間，從而滿(mǎn)足消費(fèi)終端的市場(chǎng)需求。 FormFactor 擁有業(yè)界最廣泛的非存儲(chǔ)器型晶圓測(cè)試探針
2022-06-13 09:50:51872 ，但是它們也向晶圓測(cè)試提出了重大的挑戰(zhàn)。例如，晶圓測(cè)試面臨著嚴(yán)格的電氣性能要求，而且焊盤(pán)間距、密度和探針壓力持續(xù)調(diào)整，這些組合起來(lái)以降低成本和縮短周轉(zhuǎn)時(shí)間，從而滿(mǎn)足消費(fèi)終端的市場(chǎng)需求。 ? ? ?FormFactor 擁有業(yè)界最廣泛的非存儲(chǔ)器型晶
2022-06-13 10:06:04888 隨著晶圓尺寸的增大和同時(shí)測(cè)量 DUT 的增加，對(duì)具有巨大布線(xiàn)能力的大型探針卡 PCB 的需求也在增長(zhǎng)。FICT為最先進(jìn)的設(shè)備的晶圓測(cè)試提供各種無(wú)存根 VIA 結(jié)構(gòu)和高速傳輸技術(shù)。
2022-07-15 10:45:262989 晶圓探針測(cè)試也被稱(chēng)為中間測(cè)試（中測(cè)），是集成電路生產(chǎn)中的重要一環(huán)。晶圓探針測(cè)試的目的就是確保在芯片封裝前，盡可能地把壞的芯片篩選出來(lái)以節(jié)約封裝費(fèi)用。
2022-08-09 09:21:105464 CM300xi-SiPh 概述 具有集成硅光芯片和晶圓級(jí)測(cè)試的300mm探針臺(tái) CM300xi-SiPh 300mm探針臺(tái)是市場(chǎng)上第一個(gè)經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的硅光測(cè)量方案，安裝后即可進(jìn)行經(jīng)過(guò)工程和生產(chǎn)驗(yàn)證的優(yōu)化
2022-11-08 14:59:583683 
晶圓的最終良率主要由各工序良率的乘積構(gòu)成。從晶圓制造、中期測(cè)試、封裝到最終測(cè)試，每一步都會(huì)對(duì)良率產(chǎn)生影響。工藝復(fù)雜，工藝步驟（約300步）成為影響良率的主要因素?？梢钥闯?，晶圓良率越高，在同一晶圓上可以生產(chǎn)出越多好的芯片。
2022-12-15 10:37:272148 隨著集成電路的快速發(fā)展，許多電氣和汽車(chē)應(yīng)用都采用了大電流功能。如何安全有效地測(cè)試這類(lèi)產(chǎn)品正在成為一個(gè)新的挑戰(zhàn)。 我們還開(kāi)發(fā)了大電流測(cè)試探針，通常用于測(cè)試大型充放電設(shè)備。 從參數(shù)特性來(lái)看，要傳遞的電流
2023-01-10 08:40:053888 
探針卡（Probe card）或許很多人沒(méi)有聽(tīng)過(guò)，但看過(guò)關(guān)于，也就是晶圓測(cè)試方面文章的人應(yīng)該不會(huì)陌生，其中就有提到過(guò)探針卡。
2023-02-27 17:48:495297 高頻探針卡是芯片、晶圓測(cè)試中的重要工具，它可以將高頻信號(hào)從芯片中提取出來(lái)并進(jìn)行分析，是芯片、晶圓測(cè)試世界中的神器。
2023-03-27 14:41:433757 晶圓測(cè)試的方式主要是通過(guò)測(cè)試機(jī)和探針臺(tái)的聯(lián)動(dòng)，在測(cè)試過(guò)程中，測(cè)試機(jī)臺(tái)并不能直接對(duì)待測(cè)晶圓進(jìn)行量測(cè)，而是透過(guò)探針卡（Probe Card）中的探針（Probe）與晶圓上的焊墊（Pad）或凸塊（Bump）接觸而構(gòu)成電性接觸。
2023-05-08 10:36:022340 
探針卡是半導(dǎo)體晶圓測(cè)試過(guò)程中需要使用的重要零部件，被認(rèn)為是測(cè)試設(shè)備的“指尖”。由于每一種芯片的引腳排列、尺寸、間距變化、頻率變化、測(cè)試電流、測(cè)試機(jī)臺(tái)有所不同，針對(duì)不同的芯片都需要有定制化的探針卡
2023-05-08 10:38:278672 
芯片、晶圓是電子產(chǎn)品的核心，而高頻探針卡則是高頻芯片、晶圓測(cè)試中的重要工具。
2023-05-10 10:17:231740 晶圓測(cè)試的方式主要是通過(guò)測(cè)試機(jī)和探針臺(tái)的聯(lián)動(dòng)，在測(cè)試過(guò)程中，測(cè)試機(jī)臺(tái)并不能直接對(duì)待測(cè)晶圓進(jìn)行量測(cè)，而是透過(guò)探針卡（Probe Card）中的探針（Probe）與晶圓上的焊墊（Pad）或凸塊（Bump）接觸而構(gòu)成電性接觸
2023-05-11 14:35:145904 
在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的制造流程上，主要可分成IC設(shè)計(jì)、晶圓制程、晶圓測(cè)試及晶圓封裝四大步驟。 其中所謂的晶圓測(cè)試，就是對(duì)晶圓上的每顆晶粒進(jìn)行電性特性檢測(cè)，以檢測(cè)和淘汰晶圓上的不合格晶粒。 下面我們一起來(lái)了解一下半導(dǎo)體晶圓測(cè)試的核心耗材——探針卡，以及探針卡與LTCC/HTCC技術(shù)有著怎樣的聯(lián)系。
2023-05-26 10:56:552504 
晶圓切割原理及目的：晶圓切割的目的主要是切割和分離晶圓上的每個(gè)芯片。首先在晶圓背面粘上一層膠帶，然后送入晶圓切割機(jī)進(jìn)行切割。切割后，模具將有序排列并粘附在膠帶上。同時(shí)，框架的支撐可以防止因膠帶起皺而
2021-12-02 11:20:173039 
成品測(cè)試主要是指晶圓切割變成芯片后，針 對(duì)芯片的性能進(jìn)行最終測(cè)試，需要使用的設(shè)備主要為測(cè)試機(jī)和分選機(jī)。晶圓測(cè)試（Chip Probing），簡(jiǎn)稱(chēng) CP 測(cè)試，是指通過(guò)探針臺(tái)和測(cè)試機(jī)的配合使用，對(duì)晶圓 上的裸芯片（gross die）進(jìn)行功能和電學(xué)性能參數(shù)的測(cè)試。
2023-06-25 12:26:503480 
可以在使用中正常運(yùn)作。 晶圓封裝測(cè)試可以分為電性能測(cè)試和可靠性測(cè)試兩個(gè)階段，下面將分別介紹。 一、電性能測(cè)試 電性能測(cè)試主要是為了測(cè)試芯片的電學(xué)特性。芯片中有眾多的電路，有時(shí)候可能會(huì)出現(xiàn)晶體管SOA超限、串聯(lián)電壓擊
2023-08-24 10:42:073376 據(jù)專(zhuān)利摘要，一個(gè)軸承裝置、晶圓測(cè)試裝置，以及包括晶片測(cè)試方法，軸承裝置運(yùn)送如下：測(cè)試將晶片，晶片測(cè)試將會(huì)把加熱的主加熱平臺(tái)；主加熱平臺(tái)繞圓形輔助加熱平臺(tái)測(cè)試將晶片可以收納的空間用于圍繞主加熱平臺(tái)的屋頂。
2023-09-05 11:28:211372 
根據(jù)專(zhuān)利文摘（distories），本申請(qǐng)?zhí)峁┮韵?b class="flag-6" style="color: red">晶圓測(cè)試裝置。所述晶圓測(cè)試裝置包括：承載臺(tái)，用于承載晶圓；所述晶圓夾具的工作面與所述晶圓的邊緣匹配使得所述晶圓夾具工作時(shí)所述晶圓夾具的工作面
2023-09-20 11:06:541426 據(jù)傳感器專(zhuān)家網(wǎng)獲悉，近日，和林微納在接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時(shí)表示，線(xiàn)針、MEMS晶圓測(cè)試探針均進(jìn)入部分客戶(hù)驗(yàn)證環(huán)節(jié)。 和林微納進(jìn)一步稱(chēng)，半導(dǎo)體探針業(yè)務(wù)受行業(yè)及經(jīng)濟(jì)環(huán)境等綜合影響，營(yíng)業(yè)收入較往年有較大的變化
2023-11-16 08:38:471191 靜電對(duì)晶圓有哪些影響？怎么消除？ 靜電是指由于物體帶電而產(chǎn)生的現(xiàn)象，它對(duì)晶圓產(chǎn)生的影響主要包括制備過(guò)程中的晶圓污染和設(shè)備故障。在晶圓制備過(guò)程中，靜電會(huì)吸附在晶圓表面的灰塵和雜質(zhì)，導(dǎo)致晶圓質(zhì)量下降；而
2023-12-20 14:13:072131 作為芯片晶圓測(cè)試階段的重要工具之一，探針卡在不斷更新迭代。為滿(mǎn)足更高需求的晶圓測(cè)試，針卡類(lèi)型也逐漸從懸臂針卡向垂直針卡升級(jí)。
2024-01-25 10:29:2115546 
探針測(cè)試臺(tái)是一種用于測(cè)試集成電路（IC）的設(shè)備，工作原理是將待測(cè)試的IC芯片安裝在測(cè)試座上，然后通過(guò)探針接觸到芯片的引腳，以測(cè)試芯片的功能和性能。在測(cè)試過(guò)程中，探針測(cè)試臺(tái)會(huì)生成一系列的測(cè)試信號(hào)，通過(guò)
2024-02-04 15:14:195565 在用NSAT-1000系統(tǒng)測(cè)試時(shí)，實(shí)現(xiàn)了測(cè)試系統(tǒng)與ACCRETECH探針臺(tái)和網(wǎng)絡(luò)分析儀之間的通訊，通過(guò)探針臺(tái)獲取產(chǎn)品狀態(tài)、位置信息，配合網(wǎng)絡(luò)分析儀完成產(chǎn)品測(cè)試。
2024-03-25 16:07:22984 
晶圓測(cè)試的對(duì)象是晶圓，而晶圓由許多芯片組成，測(cè)試的目的便是檢驗(yàn)這些芯片的特性和品質(zhì)。為此，晶圓測(cè)試需要連接測(cè)試機(jī)和芯片，并向芯片施加電流和信號(hào)。
2024-04-23 16:56:513985 
探針卡是晶圓功能驗(yàn)證測(cè)試的關(guān)鍵工具，通常是由探針、電子元件、線(xiàn)材與印刷電路板（PCB）組成的一種測(cè)試接口，主要對(duì)裸die進(jìn)行測(cè)試。探針卡上的探針與芯片上的焊點(diǎn)或者凸起直接接觸，導(dǎo)出芯片信號(hào)，再配
2024-05-11 08:27:301802 
該發(fā)明涉及一種晶圓清洗設(shè)備及晶圓定位裝置、定位方法。其中，晶圓定位裝置主要用于帶有定位部的晶圓定位，其結(jié)構(gòu)包括密封腔體、密封蓋、承載組件、定位組件和導(dǎo)向組件。
2024-05-28 09:58:50994 
北京某科技公司致力于射頻芯片的研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于4G、5G移動(dòng)終端和物聯(lián)網(wǎng)模組等領(lǐng)域。該公司與納米軟件合作，旨在通過(guò)矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀軟件與探針臺(tái)、網(wǎng)分的通訊，完成晶圓芯片S參數(shù)的全自動(dòng)化測(cè)試。
2024-07-15 16:01:471320 
NSAT-1000射頻測(cè)試系統(tǒng)在ATECLOUD測(cè)試平臺(tái)基礎(chǔ)上開(kāi)發(fā)而成，具有強(qiáng)大的兼容性，可以靈活快速接入設(shè)備，自動(dòng)識(shí)別儀器，探針臺(tái)就是其中之一。平臺(tái)會(huì)封裝探針臺(tái)的儀器指令，對(duì)其進(jìn)行兼容，以此實(shí)現(xiàn)對(duì)探針臺(tái)的程控。
2024-07-18 17:50:271175 
探針是電子測(cè)試和測(cè)量領(lǐng)域中非常重要的工具，它們用于接觸電路板上的焊盤(pán)或測(cè)試點(diǎn)，以便進(jìn)行電氣測(cè)試或測(cè)量。探針的設(shè)計(jì)多種多樣，其中圓頭和尖頭是兩種常見(jiàn)的類(lèi)型。每種類(lèi)型的探針都有其特定的應(yīng)用場(chǎng)景和優(yōu)勢(shì)
2024-09-07 10:50:012690 制造后，晶圓被送到晶圓分選測(cè)試儀。在測(cè)試期間，每個(gè)芯片都會(huì)進(jìn)行電氣測(cè)試，以檢查設(shè)備規(guī)范和功能。每個(gè)電路可能執(zhí)行數(shù)百個(gè)單獨(dú)的電氣測(cè)試。雖然這些測(cè)試測(cè)量設(shè)備的電氣性能，但它們間接測(cè)量制造工藝的精度和清潔度。由于自然過(guò)程變化和未檢測(cè)到的缺陷，晶圓可能通過(guò)了所有的工藝內(nèi)檢查，但仍然有不工作的芯片。
2024-10-09 09:43:001629 
WAT是英文 Wafer Acceptance Test 的縮寫(xiě)，意思是晶圓接受測(cè)試，業(yè)界也稱(chēng)WAT 為工藝控制監(jiān)測(cè)（Process Control Monitor,PCM）。
2024-11-25 15:51:293117 
AP-200，中間為晶體管檢測(cè)儀IWATSU CS-10105C，右邊為控制用計(jì)算機(jī)。三部分組成了一個(gè)測(cè)試系統(tǒng)。 下圖所示為探針臺(tái)，主要對(duì)晶圓進(jìn)行電學(xué)檢測(cè)，分為載物臺(tái)、探卡、絕緣氣體供應(yīng)設(shè)備這幾部分，載物臺(tái)用于晶圓的放置，可以兼容4~8寸的晶圓，上面有
2025-01-14 09:29:132360 
本文介紹了半導(dǎo)體集成電路制造中的晶圓制備、晶圓制造和晶圓測(cè)試三個(gè)關(guān)鍵環(huán)節(jié)。
2025-04-15 17:14:372165 
探針卡, WAT,PCM測(cè)試
2025-06-26 19:23:17674 半導(dǎo)體器件向更小、更強(qiáng)大且多功能的方向快速演進(jìn)，對(duì)晶圓測(cè)試流程提出了前所未有的要求。隨著先進(jìn)架構(gòu)和新材料重新定義芯片布局與功能，傳統(tǒng)晶圓測(cè)試方法已難以跟上發(fā)展步伐。飛針測(cè)試技術(shù)的發(fā)展為晶圓探針測(cè)試
2025-07-17 17:36:53705
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