9月2日，長江存儲正式對外宣布，其基于Xtacking?架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存（每顆裸芯片的存儲容量為256千兆字位，每個存儲單元為三個字位的三維閃存）正式量產(chǎn)，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應(yīng)用需求。
2019-09-02 14:31:15
1919 。 繼96層QLC之后，將于2020年作為Arbordale + DC推出144層QLC 圖1：NAND閃存隨著SLC，MLC，TLC，QLC發(fā)展 3D NAND是當(dāng)前SSD中常用的閃存技術(shù)。換句話說
2019-10-04 01:41:005916 2020年下半年制造48層的3D NAND存儲。然后，該公司計劃在2021年開始出貨96層3D NAND，并在2022年開始出貨192層3D NAND。目前，該公司用于制造NAND的最先進技術(shù)是其19納米
2019-12-14 09:51:295966 這家公司的中文名字叫武漢新芯集成電路制造有限公司（以下簡稱“武漢新芯”），目前芯片產(chǎn)能排名中部第一。從2006年首條12英寸芯片生產(chǎn)線建成，經(jīng)歷了七年之癢的武漢新芯重回公眾視野，卻代表著光谷的雄心——未來5年內(nèi)，芯片產(chǎn)能達10萬片/月，有望實現(xiàn)自主芯片全產(chǎn)業(yè)鏈，誕生一個新的千億產(chǎn)業(yè)。
2013-09-02 10:09:154150 三星目前已完成32層堆疊第二代V-NAND的研發(fā)作業(yè)，計劃第3季推出48層堆疊第三代V-NAND產(chǎn)品后，于2016年生產(chǎn)64層堆疊的V-NAND產(chǎn)品。
2015-08-11 08:32:001030 根據(jù)科技新報取得的消息，武漢新芯將建的為 NAND Flash 廠，而非市場謠傳的 DRAM 廠。
2016-03-22 08:14:093743 武漢新芯記憶體基地在3 月28 日正式啟動，瞄準(zhǔn)記憶體，目標(biāo)在2030 年成為月產(chǎn)能100 萬片的半導(dǎo)體巨人，而一開始武漢新芯鎖定的目標(biāo)是NAND Flash，對武漢新芯而言，要用3D NAND Flash 圓夢，一個躋身記憶體大廠的夢。
2016-04-18 14:33:325043 、武漢新芯擴廠，及國際廠如三星、英特爾增加產(chǎn)能，預(yù)估2020年中國大陸國內(nèi)Flash月產(chǎn)能達59萬片，相較于2015年增長近7倍。
2016-04-26 09:32:001672 近日中國半導(dǎo)體業(yè)最引人關(guān)注的爆炸性新聞是武漢新芯計劃2018年量產(chǎn)48層3D NAND，及它的投資240億美元的計劃。
2016-05-24 10:29:501676 業(yè)界傳出，清華紫光集團有意拉武漢新芯，搶進NAND Flash市場，采取類似美光與臺DRAM大廠華亞科的合作模式，如此一來，紫光也可搭上武漢新芯構(gòu)建新廠的列車，并且與美光洽談技術(shù)授權(quán)，加速紫光集團發(fā)展壯大的時間。
2016-07-12 10:06:531504 三星已經(jīng)連續(xù)推出兩代立體堆疊3D閃存，分別有24層、32層，并已用于850 EVO、850 Pro等多款固態(tài)硬盤產(chǎn)品，2015年8月正式量產(chǎn)首款可應(yīng)用于固態(tài)硬盤（SSD）中的48層3bit MLC
2016-07-13 10:32:437470 目前NAND閃存需求依然居高不下，廠商也有動力擴大產(chǎn)能了，SK Hynix公司日前宣布本月底將量產(chǎn)48層堆棧的3D NAND閃存，這是三星之后第二家量產(chǎn)48層堆棧3D閃存的公司。
2016-11-09 11:35:161088 SK 海力士最先進 72 層 3D NAND 內(nèi)存?zhèn)髅髂觊_始量產(chǎn)，韓聯(lián)社 26 日引述知情人事消息報導(dǎo)指出，海力士計劃于 2017 上半年完成芯片設(shè)計，位在利川（Icheon）的 M14 廠將可在下半年開始生產(chǎn)。
2016-12-27 09:06:351594 國產(chǎn)手機勢頭越來越強勁，把三星和蘋果的市場份額搶占不少，但繁榮背后是對核心產(chǎn)業(yè)鏈控制的缺失，就比如閃存芯片，這基本上被韓國廠商壟斷了。近日，高啟全接受媒體采訪時表示，長江存儲將在2019年開始量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存，這個消息無疑讓人振奮，而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。
2017-05-09 15:10:042528 電子發(fā)燒友早八點訊：三星今天在韓國宣布，開始大規(guī)模量產(chǎn)64層堆疊、256Gb（32GB）、3bit的V-NAND閃存芯片，是為第四代3D閃存。
2017-06-16 06:00:002458 日本東芝記憶體與合作伙伴西部數(shù)據(jù)為全新的半導(dǎo)體設(shè)施Fab 6 (6號晶圓廠)與記憶體研發(fā)中心舉行開幕儀式；東芝記憶體總裁Yasuo Naruke無懼芯片價格下跌疑慮，表示將于9月量產(chǎn)96層3D NAND快閃芯片。
2018-09-20 09:25:425627 2018年底長江存儲實現(xiàn)32層64Gb 3D NAND Flash量產(chǎn)。它注定將開創(chuàng)中國存儲芯片的歷史。
2019-01-28 17:18:5517621 V-NAND 1Tb TLC達290層，已開始量產(chǎn)。根據(jù)規(guī)劃，2025年主流閃存廠商的產(chǎn)品都將進入300層+，甚至400層以上。至于遠期，到2030年閃存有望突破1000層。 ? 2024 年三星第9 代
2024-05-25 00:55:005554 
128GB容量。并且?guī)淼某杀緝?yōu)勢開始減弱，16nm制程后，繼續(xù)采用2D 微縮工藝的難度和成本已超過3D技術(shù)，因此3D NAND開始成為主流。比如旺宏也計劃跟進在2020年下半年實現(xiàn)48層128Mb的19nm
2020-11-19 09:09:58
暑假來一次說走就走的旅行簡單，來一次靜下心來與fpga靈魂互通卻不易這個夏天注定不平凡，武漢至芯帶給你不一樣的收獲。7月16日起航，正在報名中電話027-87630708地址：武漢市洪山區(qū)雄楚大道261號漢飛精英青年城1511室
2016-06-29 11:57:00
版本起，IAR將全面支持武漢芯源的CW32F030系列、CW32F003系列、CW32L083系列，以保障基于武漢芯源CW32 MCU芯片的嵌入式系統(tǒng)的開發(fā)性能。作為嵌入式開發(fā)軟件和服務(wù)全球的領(lǐng)導(dǎo)者
2022-06-14 14:54:29
2021年10月14日，經(jīng)過多年的市場調(diào)研和潛心研發(fā)，武漢芯源半導(dǎo)體自主研發(fā)的首款基于 Cortex-M0+ 內(nèi)核微控制器產(chǎn)品 CW32F030 面世了，該系列可提供LQFP48、LQFP32
2022-06-08 15:25:44
2.5V NAND，有效降低功耗，未來EDSFF將在散熱方面會有更杰出的表現(xiàn)，同時也希望對NAND進行進一步優(yōu)化。長江存儲：2019年量產(chǎn)64層3D NAND長江存儲作為NAND Flash產(chǎn)業(yè)新晉者
2018-09-20 17:57:05
半導(dǎo)體有限公司，于2018年8月28日成立，為上市公司武漢力源信息技術(shù)股份有限公司全資子公司，專注芯片的設(shè)計、研發(fā)、銷售及技術(shù)服務(wù)。2021年10月14日，武漢芯源半導(dǎo)體發(fā)布了其首款自主研發(fā)的微控制器產(chǎn)品
2022-08-05 11:27:04
如題，近期考慮到年紀(jì)也不小了，想回武漢去發(fā)展，有沒有哪位武漢的朋友有相關(guān)需求的，幫忙推薦一下，不勝感激。 本人90年，男，做Labview三年多擅長設(shè)備通訊，運動控制，數(shù)據(jù)保存，數(shù)據(jù)庫，以及電腦方面百分之九十以上的問題。
2019-12-02 17:10:51
近日，經(jīng)過CQC中國質(zhì)量認(rèn)證中心全面、嚴(yán)格、系統(tǒng)的審查考核，武漢芯源半導(dǎo)體順利通過ISO 14001:2015環(huán)境管理體系認(rèn)證、ISO 45001:2018職業(yè)健康安全管理體系認(rèn)證、ISO 9001
2023-01-10 14:43:42
半導(dǎo)體有限公司，于2018年8月28日成立，為上市公司武漢力源信息技術(shù)股份有限公司全資子公司，專注芯片的設(shè)計、研發(fā)、銷售及技術(shù)服務(wù)。2021年10月14日，武漢芯源半導(dǎo)體發(fā)布了其首款自主研發(fā)的微控制器產(chǎn)品
2022-08-05 11:24:14
的變化。 需求不足跌價成必然2018年NAND閃存之所以大降價，一個關(guān)鍵原因就是64層堆棧的3DNAND閃存大規(guī)模量產(chǎn)，實現(xiàn)了從32層／48層堆棧到64層堆棧的飛躍，使得NAND閃存每GB成本降至8美分
2021-07-13 06:38:27
11月15日晚，2022年度硬核中國芯評選頒獎盛典在深圳同泰萬怡酒店·3A層宴會廳隆重舉行，揭曉“2022硬核中國芯”最終評選結(jié)果。武漢芯源半導(dǎo)體有限公司 （以下簡稱“武漢芯源”） 成功斬獲雙獎
2022-11-21 17:21:48
清華紫光集團董事長趙偉國擔(dān)任。武漢新芯是2006年由湖北省***和武漢市***聯(lián)合設(shè)立，是湖北地區(qū)的一個重大戰(zhàn)略投資項目載體，初創(chuàng)資金超過15億美元，主要生產(chǎn)各種類型的NOR閃存。該公司登記法人為湖北省
2016-07-29 15:42:37
2024年，芯途璀璨，創(chuàng)新不止。武漢芯源半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“武漢芯源半導(dǎo)體”）在21ic電子網(wǎng)主辦的2024年度榮耀獎項評選中，憑借卓越的技術(shù)創(chuàng)新實力與行業(yè)貢獻，榮膺“年度創(chuàng)新驅(qū)動獎”。這一
2025-03-13 14:21:54
AD526JN的后續(xù)替代型號那個最好，且將有5年以上的量產(chǎn)周期？
2018-08-07 07:47:43
NAND閃存的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計
閃存存儲器主要分為NAND和XOR兩種類型，其中NAND型是專為數(shù)據(jù)存儲設(shè)計。本文的閃存映射方法主要是針對NAND類型的
2010-05-20 09:26:231244 
續(xù)寫科學(xué)發(fā)展新篇章
中國武漢2010年10月29日電 -- 武漢東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)管理委員會和中芯國際集成電路制造有限公司(簡稱“中芯國際”，
2010-11-04 09:04:141450 武漢12英寸晶圓廠新芯半導(dǎo)體(下稱武漢新芯)易主一事，已進入倒計時。前中芯國際COO(首席運營長)楊士寧將操盤武漢新芯。
2012-08-28 09:07:011909 上周東芝及西部數(shù)據(jù)宣布，已研發(fā)出堆疊64層的3D NAND Flash制程，并將于2017年上半年開始量產(chǎn)，不過恐怕仍無法超車NAND Flash市占王三星。
2016-08-02 14:53:261430 儲存型快閃存儲器（NAND Flash）軍備競賽再起，南韓存儲器大廠SK海力士決定再投資3.16兆韓元（約27億美元），在南韓及大陸兩地增加存儲器產(chǎn)能；紫光集團旗下的長江存儲武漢廠，也預(yù)定本月底正式動土，都為2018年供給過于求再現(xiàn)，埋下隱憂。
2016-12-26 09:41:09774 SK 海力士最先進72 層3D NAND 記憶體傳明年開始量產(chǎn)，韓聯(lián)社26 日引述知情人事消息報導(dǎo)指出，海力士計劃于2017 上半年完成芯片設(shè)計，位在利川（Icheon）的M14 廠將可在下半年開始生產(chǎn)。
2016-12-27 14:15:111317 
據(jù)報道，蘋果供應(yīng)商海力士(SK Hynix)日前推出了基于三級單元陣列的 72 層，256Gb 的 3D NAND 閃存芯片。通過堆疊，這比以前的 48 層技術(shù)多出 1.5 倍的單元，單個
2017-04-12 01:07:111359 現(xiàn)在，西數(shù)全球首發(fā)了96層堆棧的3D NAND閃存，其使用的是新一代BiCS 4技術(shù)（下半年出樣，2018年開始量產(chǎn)），除了TLC類型外，其還會支持QLC，這個意義是重大的。
2017-06-28 11:22:40937 武漢建設(shè)NAND工廠，預(yù)計今年內(nèi)量產(chǎn)，據(jù)悉國產(chǎn)NAND閃存是32層堆棧的，是1000多名研究人員耗時2年、耗資10億美元研發(fā)的。
2018-05-16 10:06:004167 在國家存儲器基地，有600多人在建設(shè)工地上忙碌。據(jù)了解，目前，他們正在進行廠內(nèi)潔凈室裝修和空調(diào)、消防等系統(tǒng)安裝，預(yù)計2018年4月搬入機臺設(shè)備，力爭三季度量產(chǎn)。
2018-03-13 10:14:002352 位于武漢“中國光谷”的國家存儲器基地項目芯片生產(chǎn)機臺11日正式進場安裝，這標(biāo)志著國家存儲器基地從廠房建設(shè)階段進入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段，我國首批擁有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的32層三維NAND閃存芯片將于年內(nèi)量產(chǎn)，從而填補我國主流存儲器領(lǐng)域空白。
2018-06-20 10:26:002457 萬勇透露，武漢國家存儲器基地計產(chǎn)能10萬片/月的一號生產(chǎn)及動力廠房，首個芯片會在2018年點亮，明年實現(xiàn)量產(chǎn)。而獲得國務(wù)院批復(fù)的武漢國家存儲器基地，規(guī)劃建設(shè)3座全球單座潔凈面積最大
2018-04-12 16:20:004018 武漢新芯集成電路制造有限公司于2006年成立，2008年開始正式量產(chǎn)。公司面向全球客戶提供專業(yè)的12英寸晶圓代工服務(wù)，專注閃存和特種工藝產(chǎn)品的研發(fā)和制造。武漢新芯是業(yè)界領(lǐng)先的NOR Flash供應(yīng)商
2018-03-14 15:32:4739031 4月11日，長江存儲以芯存長江，智儲未來為主題，慶賀存儲器基地正式移入生產(chǎn)設(shè)備。 2017年9月長江存儲新建的國家存儲器基地項目（一期）一號生產(chǎn)及動力廠房實現(xiàn)提前封頂，2018年2月份進行廠內(nèi)潔凈室裝修和空調(diào)、消防等系統(tǒng)安裝，正是為4月搬入機臺設(shè)備而準(zhǔn)備，預(yù)計很快就可以實現(xiàn) 3D NAND 量產(chǎn)。
2018-04-15 10:08:0010302 按照計劃，今年四季度，設(shè)備有望點亮投產(chǎn)。紫光集團全球執(zhí)行副總裁、長江存儲執(zhí)行董事長高啟全透露，今年將量產(chǎn)的產(chǎn)品，是去年成功研發(fā)的中國首顆32層三維NAND閃存芯片，就在4月9日，這顆耗資10億美元
2018-04-23 11:20:003770 
武漢新芯于2006年由武漢政府出資100億人民幣新建的半導(dǎo)體代工廠，2008年開始量產(chǎn)。武漢新芯和中芯國際之間還有一段剪不斷理還亂的恩恩怨怨，建廠之初，由于缺乏人財和技術(shù)，武漢新芯和中芯國際就簽訂了托管協(xié)議，由中芯國際給予武漢新芯以包括生產(chǎn)技術(shù)和人才在內(nèi)的援助。
2018-04-28 09:05:0125821 中芯國際聯(lián)席CEO梁孟松透露，中芯國際將在2018年下半年量產(chǎn)28nm HKC+工藝，2019年上半年開始試產(chǎn)14nm FinFET工藝，并藉此進入AI芯片領(lǐng)域。
2018-05-14 14:52:006032 替換高清大圖 請點擊此處輸入圖片描述 中芯國際將在2018年下半年量產(chǎn)28nm HKC+工藝，2019年上半年開始試產(chǎn)14nm FinFET工藝，并借此進入...... 晶圓制造是目前芯片設(shè)計環(huán)節(jié)
2018-05-17 09:37:355724 為實現(xiàn)更高儲存密度，NAND Flash的堆棧層數(shù)不斷增加，單一晶胞內(nèi)能儲存的信息也越來越多。 目前NAND Flash芯片已經(jīng)進入64層TLC時代，展望2019年，三星（Samsung）、東芝
2018-06-11 09:16:004984 在正在舉行的國際存儲研討會2018（IMW 2018）上，應(yīng)用材料公司Sean Kang介紹了未來幾年3D-NAND的發(fā)展線路圖，到了2021年，3D-NAND的堆疊層數(shù)會超過140層，而且每一層的厚度會不斷的變薄。
2018-06-18 09:46:004188 
根據(jù)Yole 預(yù)測2018年DRAM價格將上漲23%，NAND價格下降15％。
2018-06-28 17:05:016564 
面對2018年各大閃存顆粒廠商已經(jīng)大規(guī)模量產(chǎn)64層堆棧3D NAND的情況，三星正式宣布開始量產(chǎn)第五代V-NAND閃存顆粒，堆棧數(shù)將超過90層。
2018-07-24 14:36:328259 隨著原廠3D技術(shù)的快速發(fā)展，2018下半年各家原廠在96層和QLC技術(shù)上競爭激烈，其中，三星已在7月份宣布量產(chǎn)96層3D NAND。據(jù)DIGITIMES報道稱，東芝存儲器（TMC）96層3D NAND將在Q4擴大出貨，代表著NAND Flash市場霸主之爭正式拉開序幕。
2018-08-05 11:50:161646 在位于武漢東湖高新區(qū)的長江存儲科技有限責(zé)任公司（國家存儲器基地），紫光集團聯(lián)席總裁刁石京透露，中國首批擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的32層三維NAND閃存芯片將于今年第四季度在此實現(xiàn)量產(chǎn)。
2018-08-07 14:35:146351 NAND Flash價格在經(jīng)歷了2016年和2017年暴漲之后，2018上半年市場行情回歸理性，在原廠擴大64層3D NAND產(chǎn)出下，NAND Flash基本已回到2016年的價格水平。隨著各家
2018-08-11 09:35:003365 
紫光集團旗下長江存儲發(fā)展儲存型快閃存儲器（NAND Flash）報捷，已自主開發(fā)完成最先進的64層3D NAND芯片專利，預(yù)計明年完成生產(chǎn)線建置、2020年量產(chǎn)，震撼業(yè)界。
2018-08-13 09:45:002770 隨著Flash各家原廠紛紛升級到64層3D NAND技術(shù)量產(chǎn)256Gb或512Gb單顆Die，以及提高新工廠的產(chǎn)出量，2018年三星將全面向3D NAND普及，美光預(yù)計2018年全球NAND
2018-08-22 16:53:432050 隨著64層/72層3D NAND產(chǎn)出的增加，以及原廠QLC和96層3D技術(shù)快速發(fā)展，NAND Flash在經(jīng)歷2年漲價后，2018年市場行情從缺貨轉(zhuǎn)向供應(yīng)過剩，再加上成本下滑，以及供需雙方博弈刺激下，預(yù)計2018年全球SSD出貨量將超過1.9億臺，甚至有望沖刺2億臺。
2018-08-31 16:15:002744 非揮發(fā)性存儲器廠旺宏董事長吳敏求今日透露，該公司已切入3D NAND Flash開發(fā)，預(yù)計2018年或2019年量產(chǎn)，并進軍固態(tài)硬盤（SSD）市場。
2018-09-17 16:30:302159 32-48層，廠商們還在研發(fā)64層甚至更高層數(shù)的堆棧技術(shù)。四大NAND豪門的3D NAND閃存及特色在主要的NAND廠商中，三星最早量產(chǎn)了3D NAND，其他幾家公司在3D NAND閃存量產(chǎn)上要落后三星
2018-10-08 15:52:39780 2018年原廠不斷擴大64層/72層3D NAND產(chǎn)出量，三星、東芝/西部數(shù)據(jù)、美光/英特爾等3D NAND.
2018-10-14 09:22:4111564 根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查，2018年NAND Flash市場全年供過于求。由于筆記本電腦及智能手機OEM庫存皆已備足，再加上中美貿(mào)易摩擦、英特爾CPU缺貨等
2018-11-06 16:36:512566 科技在武漢投資240億美元建設(shè)國家存儲芯片基地，該公司CEO楊士寧日前表態(tài)3D閃存晶圓廠的安裝設(shè)備將在2018年Q1季度完工，2019年全速量產(chǎn)，預(yù)計2020年會在技術(shù)趕超國際領(lǐng)先的閃存公司。
2018-11-23 08:45:2812700 6月15日，三星電子宣布已經(jīng)開始量產(chǎn)第四代64層256Gb V-NAND，與48層256Gb V-NAND相比，生產(chǎn)效率將提高30%以上。東芝/西部數(shù)據(jù)、美光、SK海力士等在2017上半年也均宣布
2018-12-10 10:00:571562 在2017年年底舉行的第四屆世界互聯(lián)網(wǎng)大會上透露，紫光集團董事長趙偉國透露，紫光旗下的長江存儲已經(jīng)研發(fā)出了32層64G的完全自主知識產(chǎn)權(quán)的3D NAND芯片；2018年4月的長江存儲生產(chǎn)機臺進場安裝儀式上，趙偉國指出，他們的32層芯片會在2018年年底實現(xiàn)芯片量產(chǎn)；
2019-01-15 14:01:109311 繼2015年Samsung推出32層堆層的3D V-NAND之后，2016年市場便很熱鬧，除了SK Hynix推出了36層的3D NAND V2、Micron/Intel也推出了32層的3D NAND，而Toshiba/ SanDisk甚至進一步推出了48層的產(chǎn)品。
2019-01-28 11:21:2712546 國產(chǎn)存儲芯片再下一城，日前有產(chǎn)業(yè)鏈方面的消息稱，中國長江存儲將如期在今年年底量產(chǎn)64層3D NAND閃存芯片，這對價格本就在不斷下探的閃存市場無疑又將帶來一波新的沖擊。
2019-04-01 16:53:122056 長江存儲在 2018 年成功研發(fā)32層3D NAND芯片后，進一步規(guī)劃在2019年8月開始生產(chǎn)新一代的64層 3D NAND芯片，等于宣告加入全球NAND Flash戰(zhàn)局，對比今年三星、SK海力士（SK Hynix ）進入90層3D NAND芯片生產(chǎn)，長江存儲追趕世界大廠的步伐又大幅邁進一步。
2019-05-17 14:13:281753 現(xiàn)在，長江存儲聯(lián)席首席技術(shù)官、技術(shù)研發(fā)中心高級副總裁程衛(wèi)華接受采訪時表示，公司已開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應(yīng)用需求。
2019-09-02 16:30:003069 根據(jù)官網(wǎng)資料，長江存儲是紫光集團收購武漢新芯科技之后成立的，于2016年7月在中國武漢成立，是一家專注于3D NAND閃存芯片設(shè)計、生產(chǎn)和銷售的IDM存儲器公司。長江存儲為全球工商業(yè)客戶提供存儲器產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于移動設(shè)備、計算機、數(shù)據(jù)中心和消費電子產(chǎn)品等領(lǐng)域。
2019-08-29 14:28:002725 SK海力士宣布，已經(jīng)全球第一家研發(fā)成功，并批量生產(chǎn)128層堆疊的4D NAND閃存芯片，此時距離去年量產(chǎn)96層4D閃存只過去了八個月。
2019-06-27 15:23:283819 SK海力士宣布，該公司已經(jīng)在全世界率先成功研發(fā)出128層4D Nand閃存芯片，將從今年下半年(7月~12月)開始投入量產(chǎn)。
2019-06-28 14:35:206119 SK海力士近日正式宣布，已成功開發(fā)并開始量產(chǎn)世界上第一款128層1Tb TLC 4D NAND閃存芯片。而就在8個月前，該公司宣布了96層4D NAND芯片。
2019-07-01 17:11:153551 據(jù)悉，長江存儲是紫光集團收購武漢新芯科技之后成立的，于2016年7月在中國武漢成立，是一家專注于3D NAND閃存芯片設(shè)計、生產(chǎn)和銷售的IDM存儲器公司。
2019-10-01 17:23:005147 紫光集團旗下長江存儲科技有限責(zé)任公司宣布，開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-19 11:10:091144 紫光集團旗下長江存儲科技有限責(zé)任公司宣布，開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-23 17:05:241455 隨著數(shù)據(jù)量的迅速增大，主流存儲技術(shù)也在迅速向前推進中。3D NAND閃存從2014年的24層，到2016年的48層，到2017年的64層，再到2018年的96層，以及明年的1XX層，技術(shù)更新速度越來越快。
2019-09-26 17:26:111141 據(jù)了解，武漢新芯50納米閃存技術(shù)于2019年12月取得突破，隨后投入量產(chǎn)準(zhǔn)備。從65納米到50納米的躍升，武漢新芯用了18個月。
2020-07-17 08:19:445040 這是武漢官方首次提及弘芯面臨的危機，但從 2019 年底因訴訟造成土地凍結(jié)之后，業(yè)內(nèi)關(guān)于武漢弘芯難以為繼的猜測早已此起彼伏。首先是去年接任武漢弘芯半導(dǎo)體 CEO 一職的前臺積電共同 COO 蔣尚義，當(dāng)時一度傳出他有倦勤之意，可能退出該團隊，那時外界分析武漢弘芯項目恐有變。
2020-08-28 14:28:363660 存儲器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術(shù)達到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu)，可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計算以及智能手機存儲
2020-11-12 16:02:553696 長江存儲一直是我國優(yōu)秀的存儲芯片企業(yè)，從成立之初就保持著高速穩(wěn)定的發(fā)展?fàn)顟B(tài)，用短短3年的時間，接連推出了32層NAND閃存，以及64層堆棧3D NAND閃存，成功進入了華為Mate40手機的供應(yīng)鏈。
2022-06-17 10:56:218285 美光已經(jīng)在完成 232 層 NAND 的訂單，而且不甘示弱，SK 海力士宣布將于明年上半年開始量產(chǎn) 238 層 512Gb 三層單元 (TLC) 4D NAND?；蛟S更重要的是，芯片制造商私下表示，他們將利用行業(yè)學(xué)習(xí)為目前正在開發(fā)的 3D-IC 堆疊 NAND。
2022-08-29 16:59:20888 238層NAND閃存作為世界上最小體積的芯片，生產(chǎn)效率比上一代的176層提升了34%，成本競爭力得到了大幅改善。
2023-06-11 14:32:541442 
11月15日晚，2022年度硬核中國芯評選頒獎盛典在深圳同泰萬怡酒店·3A層宴會廳隆重舉行，揭曉“2022硬核中國芯”最終評選結(jié)果。武漢芯源半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“武漢芯源”）成功斬獲雙獎，分別為
2022-11-22 15:26:351379 
三星已經(jīng)確定了新一代3D NAND閃存的開發(fā)計劃，預(yù)計在2024年推出第九代3D NAND，其層數(shù)可達到280層
2023-07-04 17:03:293142 SK海力士宣布將首次展示全球首款321層NAND閃存，成為業(yè)界首家開發(fā)出300層以上NAND閃存的公司。他們展示了321層1Tb TLC 4D NAND閃存的樣品，并介紹了開發(fā)進展情況。
2023-08-10 16:01:471992 最近，三星集團援引業(yè)界有關(guān)負(fù)責(zé)人的話表示，計劃到2024年批量生產(chǎn)300段以上的第9代3d nand。預(yù)計將采用將nand存儲器制作成兩個獨立的程序之后，將其一起組裝的dual stack技術(shù)。三星將于2020年從第7代176段3d nand開始首次使用雙線程技術(shù)。
2023-08-18 11:09:052015 三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲領(lǐng)域的競爭愈加激烈，三星電子計劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存，三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53888 據(jù)韓國業(yè)界消息，三星最早將于本月開始量產(chǎn)當(dāng)前業(yè)界密度最高的290層第九代V-NAND（3D NAND）閃存芯片。
2024-04-17 15:06:591502 美光科技近期宣布，其創(chuàng)新的232層QLC NAND芯片已成功實現(xiàn)量產(chǎn)并已開始出貨。這一里程碑式的成就標(biāo)志著美光在NAND技術(shù)領(lǐng)域再次取得了顯著進步，鞏固了其在全球存儲解決方案市場的領(lǐng)導(dǎo)地位。
2024-04-29 10:36:341552 美光科技近日宣布了重大技術(shù)突破，其先進的232層QLC NAND閃存已成功實現(xiàn)量產(chǎn)，并已部分應(yīng)用于Crucial英睿達固態(tài)硬盤（SSD）中。此外，美光還推出了2500 NVMeTM SSD，該產(chǎn)品已面向企業(yè)級存儲客戶大規(guī)模生產(chǎn)，并向PCOEM廠商提供了樣品。
2024-05-06 10:59:251099 美光科技再次領(lǐng)跑行業(yè)前沿，近日宣布其232層QLC NAND產(chǎn)品已成功實現(xiàn)量產(chǎn)，并已開始應(yīng)用于部分Crucial英睿達固態(tài)硬盤中。這一突破性的技術(shù)不僅滿足了客戶端對數(shù)據(jù)存儲的高需求，同時也為數(shù)據(jù)中心提供了更高效的存儲解決方案。
2024-05-09 14:53:551034 近日，韓國權(quán)威媒體ETNews爆出猛料，SK海力士正在積極籌備加速下一代NAND閃存的研發(fā)進程，并且已經(jīng)設(shè)定了明確的發(fā)展時間表——計劃在2025年底之前，全面完成高達400多層堆疊NAND的半成品制備工作，緊隨其后，將于2026年第二季度正式啟動并大規(guī)模投入生產(chǎn)。
2024-08-01 15:26:421322 韓國半導(dǎo)體巨頭SK海力士正加速推進NAND閃存技術(shù)的革新，據(jù)韓媒最新報道，該公司計劃于2025年末全面完成400+層堆疊NAND閃存的量產(chǎn)準(zhǔn)備工作，并預(yù)計于次年第二季度正式開啟大規(guī)模生產(chǎn)。這一舉措標(biāo)志著SK海力士在NAND閃存領(lǐng)域再次邁出堅實步伐，引領(lǐng)行業(yè)技術(shù)前沿。
2024-08-02 16:56:111743 型號：GYTA-48B1.3 光纖芯數(shù)：48芯 類型：單模光纜 應(yīng)用場景：室外環(huán)境，可管道鋪設(shè)，也可架空安裝 二、產(chǎn)品結(jié)構(gòu) GYTA-48B1.3光纜采用松套層絞式結(jié)構(gòu)，具體結(jié)構(gòu)特點如下： 光纖套入：將250μm光纖套入高模量材料制成的松套管中，松套管內(nèi)填充防水化合物，以保護光纖免受水分
2024-08-20 10:08:174907 關(guān)于24芯光纜和48芯光纜的外徑區(qū)別，主要需要考慮光纜的具體型號和規(guī)格，因為不同型號的光纜外徑可能會有所不同。一般來說，光纜的外徑會因其內(nèi)部光纖數(shù)量、護套結(jié)構(gòu)、填充材料等因素而有所差異。 一、外徑
2024-09-09 10:13:516115 2024年，芯途璀璨，創(chuàng)新不止。武漢芯源半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“武漢芯源半導(dǎo)體”）在21ic電子網(wǎng)主辦的2024年度榮耀獎項評選中，憑借卓越的技術(shù)創(chuàng)新實力與行業(yè)貢獻，榮膺“年度創(chuàng)新驅(qū)動獎”。這一
2025-03-13 14:22:381100 
在CITE 2020上，紫光集團帶來了大量產(chǎn)品，其中包括長江存儲的128層QLC三維閃存和新華三半導(dǎo)體高端路由器芯片EasyCore等。作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存，長江存儲X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號產(chǎn)品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。
2020-08-15 09:32:144822
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