NAND Flash是一種非易失存儲(chǔ)器，也就是掉電不丟失類(lèi)型，現(xiàn)在我們常見(jiàn)的存儲(chǔ)設(shè)備基本都是NAND Flash，比如U盤(pán)、固態(tài)硬盤(pán)，手機(jī)存儲(chǔ)等等，電腦傳統(tǒng)硬盤(pán)除外。
2022-11-10 17:08:32
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東北大學(xué)近日宣布，單晶鈷（Co）/鉑（Pt）結(jié)構(gòu)是一種簡(jiǎn)單的鐵磁/非磁雙層結(jié)構(gòu)，可以在不使用外部磁場(chǎng)的情況下通過(guò)電流注入來(lái)磁化。表明Co/Pt結(jié)構(gòu)可以用光記錄信息，也可以有效地用電記錄信息，并且，他們已經(jīng)開(kāi)發(fā)了一種非易失性磁場(chǎng)，可以存儲(chǔ)來(lái)自光纖和電線(xiàn)的數(shù)據(jù)。宣布已成功開(kāi)發(fā)一種記憶材料。
2023-07-11 09:59:55691 
12款全新器件專(zhuān)為高溫和電磁工作環(huán)境設(shè)計(jì)，為業(yè)界唯一符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)，采樣速率達(dá)1Msps的16位逐次逼近寄存器（SAR）。
2019-03-08 09:48:365230 新型AEC-Q100認(rèn)證的時(shí)鐘發(fā)生器、緩沖器、PCIe時(shí)鐘和緩沖器滿(mǎn)足廣泛的車(chē)輛自動(dòng)化應(yīng)用需求。
2019-09-24 14:25:081411 下 DRV8801-Q1 有刷 DC 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品說(shuō)明書(shū),就會(huì)發(fā)現(xiàn)電氣特性表的頂部有一條注釋說(shuō)明了該規(guī)范可在整個(gè) 1 級(jí)工作范圍內(nèi)確保。另一個(gè)重要 AEC-Q100 合規(guī)性要求與器件的生產(chǎn)驗(yàn)證有關(guān)。任何 IC 在
2018-09-20 15:16:25
汽車(chē)應(yīng)用中。答案是必須符合 AEC-Q100 認(rèn)證。AEC 代表汽車(chē)電子設(shè)備委員會(huì)，是 JEDIC 的一個(gè)附屬機(jī)構(gòu)，主要負(fù)責(zé)設(shè)定汽車(chē)級(jí)設(shè)備要求。這里有很多具體規(guī)范需要滿(mǎn)足，盡管無(wú)法進(jìn)行詳細(xì)解讀，但我
2022-11-23 06:32:18
。
由于車(chē)規(guī)級(jí)芯片在可靠性、安全性、使用壽命方面的要求高于消費(fèi)級(jí)、工業(yè)級(jí)芯片，AEC-Q100測(cè)試考核門(mén)檻高、測(cè)試項(xiàng)目覆蓋廣、標(biāo)準(zhǔn)極為嚴(yán)苛，是芯片產(chǎn)品進(jìn)入汽車(chē)領(lǐng)域的重要通行證之一
2025-11-27 07:28:32
和非易失性存儲(chǔ)器就萬(wàn)事大吉了么？令人糾結(jié)的是，有一種新的存儲(chǔ)器，它既是非易失的，同時(shí)又是能夠高速隨時(shí)讀寫(xiě)數(shù)據(jù)的，也就是說(shuō)能夠隨機(jī)存取的。這種存儲(chǔ)器就是FRAM(Ferroelectric Random
2012-01-06 22:58:43
1. 存儲(chǔ)器理解存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)結(jié)構(gòu)的重要組成部分，存儲(chǔ)器是用來(lái)存儲(chǔ)程序代碼和數(shù)據(jù)的部件，有了存儲(chǔ)器計(jì)算機(jī)才具有記憶功能。按照存儲(chǔ)介質(zhì)的特性，可以分“易失性存儲(chǔ)器”和“非易失性存儲(chǔ)器”兩類(lèi)，易失和非易
2021-07-16 07:55:26
MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫(xiě)入能力;以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無(wú)限次地重復(fù)寫(xiě)入。
2020-12-16 07:21:39
MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫(xiě)入能力;以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無(wú)限次地重復(fù)寫(xiě)入。
2020-12-10 07:20:20
我們正在構(gòu)建一個(gè)設(shè)備來(lái)測(cè)量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量，所以，我需要做一個(gè)每秒累加的方法。問(wèn)題：非易失性?xún)?nèi)存有寫(xiě)入限制，所以我需要使用易失性?xún)?nèi)存。寫(xiě)入易失性存儲(chǔ)器是否有一些限制？我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫(xiě)入易失性存儲(chǔ)器，每 10 分鐘寫(xiě)入一次非易失性存儲(chǔ)器。
2023-05-30 08:48:06
AD7999的data sheet中對(duì)芯片只寫(xiě)了“Qualified for automotive applications”，但是沒(méi)有明確寫(xiě)出滿(mǎn)足AEC-Q100。請(qǐng)問(wèn)，AD7999是否有通過(guò)AEC-Q100的認(rèn)證？
2024-03-05 06:42:23
這個(gè)芯片編程設(shè)置好以后，掉電會(huì)遺失設(shè)置嗎？里面有沒(méi)有非易失存儲(chǔ)器？
2024-11-12 07:16:06
非易失性SRAM（nv SRAM）結(jié)合了賽普拉斯行業(yè)領(lǐng)先的SRAM技術(shù)和一流的SONOS非易失性技術(shù)。在正常操作下，nv SRAM的行為類(lèi)似于使用標(biāo)準(zhǔn)信號(hào)和時(shí)序的常規(guī)異步SRAM。nv SRAM執(zhí)行
2020-04-08 14:58:44
間流逝而消失，因此即使關(guān)閉電源，信息也會(huì)被存儲(chǔ)。其次，在兩種狀態(tài)之間切換磁極化不涉及電子或原子的實(shí)際運(yùn)動(dòng)，因此不存在已知的磨損機(jī)制。 Everspin MRAM特點(diǎn)?消除備用電池和電容器?非易失性
2020-08-31 13:59:46
數(shù)字電位器存儲(chǔ)類(lèi)型標(biāo)注具有“易失性”，他的意思是不是說(shuō)，假設(shè)當(dāng)前已經(jīng)調(diào)節(jié)好電位器處于3.5kΩ這個(gè)位置，那么斷電再上電后，電位器就回到初始狀態(tài)位置，不再是3.5kΩ這個(gè)位置了。“非易失性”就是斷電再上電后還是3.5KΩ這個(gè)位置。是這個(gè)意思嗎
2024-11-21 07:15:57
大家好如題，i.MX RT1170車(chē)規(guī)級(jí)產(chǎn)品有AEC-Q100認(rèn)證嗎？如果是，能否提供相關(guān)文件？
2023-03-15 08:24:23
Integrity)此外，為了達(dá)到汽車(chē)電子產(chǎn)品對(duì)工作溫度、耐久性與可靠度的高標(biāo)準(zhǔn)要求，組件供貨商必須采用更先進(jìn)的技術(shù)和更苛刻的測(cè)試程序來(lái)達(dá)成最佳化的設(shè)計(jì)方法。因此，AEC-Q100又分為不同的產(chǎn)品等級(jí)，其中第一級(jí)
2019-07-18 13:19:45
存儲(chǔ)器（Volatile Memory），存儲(chǔ)內(nèi)容不會(huì)丟失的存儲(chǔ)器稱(chēng)作非易失存儲(chǔ)器（Non-Volatile Memory）。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的分類(lèi)* RAM (Random Access Memory
2019-04-21 22:57:08
新唐有過(guò)AEC-Q100認(rèn)證的MCU沒(méi),適合前裝或者后裝的芯片?
2023-08-21 06:48:09
近日，武漢芯源半導(dǎo)體正式發(fā)布首款基于Cortex?-M0+內(nèi)核的CW32A030C8T7車(chē)規(guī)級(jí)MCU，這是武漢芯源半導(dǎo)體首款通過(guò)AEC-Q100 (Grade 2)車(chē)規(guī)標(biāo)準(zhǔn)的主流通用型車(chē)規(guī)MCU產(chǎn)品
2023-11-30 15:47:01
要進(jìn)入車(chē)輛領(lǐng)域，打入各一級(jí)(Tier1)車(chē)電大廠(chǎng)供應(yīng)鏈，必須取得兩張門(mén)票，第一張是由北美汽車(chē)產(chǎn)業(yè)所推的AEC-Q100(集成電路IC)、AEC-Q101(離散組件)、AEC-Q102(離散光電LED
2018-11-20 15:47:25
笙泉MCU喜獲AEC-Q100認(rèn)證，正式在車(chē)規(guī)賽道上奔馳
車(chē)用MCU需求強(qiáng)勁受益于汽車(chē)電動(dòng)化、智慧化、網(wǎng)聯(lián)化程度加深，汽車(chē)電子在全球MCU(微控制器單元)下游構(gòu)成占比逐年升高至35~40%，據(jù)
2023-06-26 13:07:39
根據(jù)傳感器實(shí)際溫度環(huán)境進(jìn)行直接信號(hào)調(diào)節(jié)和補(bǔ)償包含表現(xiàn) PGA400-Q1 功能的測(cè)試數(shù)據(jù)，方便快速評(píng)估產(chǎn)品性能符合 AEC-Q100
2018-08-03 07:51:13
你好，CY7C1021CV33-10ZSXA AEC-Q100認(rèn)證嗎？如果是的話(huà)，你能提供我們的AEC-Q100可靠性報(bào)告嗎？CY7C1021CV33-10ZSXA（AEC-Q100）。γ射線(xiàn)
2018-10-26 15:57:09
CW32微控制器是否滿(mǎn)足特定的認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)，如AEC-Q100？
2025-12-16 08:08:23
MC33662 LIN 收發(fā)器是否符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)？如果是AEC-Q100 qulified，我可以在哪個(gè)文件上找到它的描述？ 數(shù)據(jù)表上沒(méi)有明確說(shuō)明。
2023-03-24 06:43:23
MIL-STD為主，另外加入特殊規(guī)格，例如電磁兼容性(EMC)驗(yàn)證。要進(jìn)入車(chē)輛領(lǐng)域，打入各一級(jí)(Tier1)車(chē)電大廠(chǎng)供應(yīng)鏈，必須取得兩張門(mén)票，第一張是由北美汽車(chē)產(chǎn)業(yè)所推的AEC-Q100(集成電路IC
2018-09-06 17:05:17
鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術(shù)一樣，是一種非易失性的存儲(chǔ)器。鐵電存儲(chǔ)器在這兩類(lèi)存儲(chǔ)類(lèi)型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁——一種非易失性的RAM。相對(duì)于其它類(lèi)型的半導(dǎo)體技術(shù)
2011-11-19 11:53:09
鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術(shù)一樣，是一種非易失性的存儲(chǔ)器。鐵電存儲(chǔ)器在這兩類(lèi)存儲(chǔ)類(lèi)型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁——一種非易失性的RAM。相對(duì)于其它類(lèi)型的半導(dǎo)體技術(shù)
2011-11-21 10:49:57
FM25C160 是美國(guó)Ramtron 公司生產(chǎn)的非易失性鐵電介質(zhì)讀寫(xiě)存儲(chǔ)器。它具有高速讀寫(xiě)，超低功耗和無(wú)限次寫(xiě)入等特性。文中介紹了FM25C160 的性能特點(diǎn)﹑管腳定義﹑內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作
2009-11-12 14:11:03
35 相對(duì)于其它類(lèi)型的半導(dǎo)體技術(shù)而言，鐵電存儲(chǔ)器具有一些獨(dú)一無(wú)二的特性。傳統(tǒng)的主流半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以分為兩類(lèi)--易失性和非易失性。易失性的存儲(chǔ)器包括靜態(tài)存儲(chǔ)器SRAM（static rand
2010-03-13 14:19:4128 Ramtron的MaxArias?系列無(wú)線(xiàn)存儲(chǔ)器將非易失性F-RAM存儲(chǔ)器技術(shù)的低功耗、高速度和高耐久性等特性與行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)無(wú)線(xiàn)存取功能相結(jié)合，實(shí)現(xiàn)了創(chuàng)新的移動(dòng)數(shù)據(jù)采集功能，MaxArias無(wú)線(xiàn)存儲(chǔ)器是
2010-08-06 11:55:4418 摘要：本文討論如何使用安全數(shù)字(SD)媒體格式擴(kuò)展MAXQ2000的非易失數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。 低功耗、低噪聲的MAXQ2000微控制器適合于多種應(yīng)用。MAXQ2000在閃存中存儲(chǔ)非易失性數(shù)據(jù)，
2009-04-23 16:25:251387 
RAMTRON創(chuàng)意征文推動(dòng)國(guó)內(nèi)科技博客交流
全球領(lǐng)先的非易失性鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開(kāi)發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation，
2009-08-11 08:25:101042 非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的相變機(jī)制
非易失性存儲(chǔ)器(NVM)在半導(dǎo)體市場(chǎng)占有重要的一席之地，特別是主要用于手機(jī)和其它便攜電子設(shè)備的閃存芯片。今后幾年便攜電
2009-12-19 10:37:46946 
非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的相變機(jī)制
非易失性存儲(chǔ)器(NVM)在半導(dǎo)體市場(chǎng)占有重要的一席之地，特別是主要用于手機(jī)和
2010-01-11 10:02:22883 MaxArias系列無(wú)線(xiàn)存儲(chǔ)器(Ramtron)
Ramtron International Corporation日前宣布，在硅谷嵌入式系統(tǒng)大會(huì)(Embedded Systems Conference, ESC)上展示MaxArias
2010-05-15 12:14:52842 Ramtron MaxArias無(wú)線(xiàn)存儲(chǔ)器將非易性F-RAM的低功耗、高速度和高性能的特性與無(wú)線(xiàn)接入技術(shù)相融合，使創(chuàng)新型的數(shù)據(jù)采集能力應(yīng)用更廣泛的領(lǐng)域。MaxArias WM710xx 系列是Ramtron的首個(gè)無(wú)線(xiàn)存儲(chǔ)器
2011-03-24 11:02:281154 MAXQ器件包含的硬件部分可以實(shí)現(xiàn)偽馮諾依曼架構(gòu)，如同訪(fǎng)問(wèn)數(shù)據(jù)空間一樣訪(fǎng)問(wèn)代碼空間。這種額外的多功能性，結(jié)合MAXQ的效用函數(shù)，可實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)器的擦寫(xiě)服務(wù)，為完整的可讀寫(xiě)非易失存
2011-05-31 11:51:501512 
Ramtron宣布提供全新4至64Kb串口非易失性鐵電 RAM (F-RAM)存儲(chǔ)器的預(yù)認(rèn)證樣片，新產(chǎn)品采用Ramtron全新美國(guó)晶圓供應(yīng)商的鐵電存儲(chǔ)器工藝制造，具有1萬(wàn)次 (1e12)的讀/寫(xiě)循環(huán)、低功耗和無(wú)延遲
2011-10-27 09:34:131838 本內(nèi)容提供了內(nèi)置易失性存儲(chǔ)器的數(shù)字電位計(jì)的各種型號(hào)參數(shù)知識(shí)，來(lái)方便大家選型
2011-12-12 15:24:4829 非易失性鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（F-RAM）和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開(kāi)發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation （簡(jiǎn)稱(chēng)Ramtron） 在剛舉行的硅谷Design West/嵌入式系統(tǒng)會(huì)議 （Silicon Valley Design West/Embedde
2012-04-06 08:55:12925 什么是F-RAM？ F-RAM：鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器。相對(duì)于其它類(lèi)型的半導(dǎo)體技術(shù)而言，鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器（F-RAM）具有一些獨(dú)一無(wú)二的特性。已經(jīng)確定的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以分為兩類(lèi)：易失性和非易失性
2012-10-19 17:16:336822 DS1855雙路非易失性（NV）數(shù)字電位器和安全存儲(chǔ)器由一個(gè)100級(jí)線(xiàn)性變化電位器、一個(gè)256級(jí)線(xiàn)性變化電阻器、256字節(jié)EEPROM存貯器、和2線(xiàn)接口組成。
2013-02-19 16:53:302864 
非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的相變機(jī)制
2017-01-19 21:22:5414 大型廠(chǎng)商的產(chǎn)品導(dǎo)入、存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存（SCM）的新興應(yīng)用以及五大邏輯代工廠(chǎng)的涉足將推動(dòng)非易失性存儲(chǔ)市場(chǎng)的增長(zhǎng)。 新興非易失性存儲(chǔ)（NON-VOLATILE MEMORY, NVM）有利的市場(chǎng)環(huán)境 相變存儲(chǔ)
2018-07-04 11:55:007915 
為適應(yīng)底層存儲(chǔ)架構(gòu)的變化，上層數(shù)據(jù)庫(kù)系統(tǒng)已經(jīng)經(jīng)歷了多輪的演化與變革．在大數(shù)據(jù)環(huán)境下，以非易失、大容量、低延遲、按字節(jié)尋址等為特征的新型非易失存儲(chǔ)器件（NVM）的出現(xiàn)，勢(shì)必對(duì)數(shù)據(jù)庫(kù)系統(tǒng)帶來(lái)重大
2018-01-02 19:04:400 關(guān)鍵詞：賽普拉斯 , 16-Mbit , 存儲(chǔ)器 , nvSRAM 賽普拉斯半導(dǎo)體公司（納斯達(dá)克股票代碼：CY）日前推出了 16-Mbit 非易失性靜態(tài)隨機(jī)訪(fǎng)問(wèn)存儲(chǔ)器 (nvSRAM) 系列，其中
2018-09-30 00:22:02933 事實(shí)上，除了這些傳統(tǒng)要求，在前兩代非易失FPGA產(chǎn)品的經(jīng)驗(yàn)基礎(chǔ)上，萊迪思半導(dǎo)體（Lattice Semiconductor）公司還認(rèn)識(shí)到需要靈活的片上非易失存儲(chǔ)器，以及作為非易失FPGA新要求的用于現(xiàn)場(chǎng)邏輯更新的全面解決方案。
2019-06-16 09:48:472069 Ramtron International公司近日宣布推出采用精簡(jiǎn)的FBGA封裝的4M F-RAM存儲(chǔ)器FM22LD16。FM22LD16是一個(gè)容量為4M，3V工作電壓，并行非易失性RAM，48腳
2020-08-30 10:09:011107 MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。所謂非易失性是指掉電后﹐仍可以保持存儲(chǔ)內(nèi)容完整，此功能與Flash閃存相同;而隨機(jī)存取是指處理器讀取資料時(shí)，不定要從頭開(kāi)始，隨時(shí)都可用相同的速率，從內(nèi)存的任何
2020-09-21 13:50:343890 MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有SRAM的高速讀取寫(xiě)入能力，以及DRAM的高集成度，基本上可以無(wú)限次地重復(fù)寫(xiě)入。專(zhuān)注于代理銷(xiāo)售MRAM芯片等存儲(chǔ)芯片供應(yīng)商英尚微電子詳細(xì)介紹關(guān)于MRAM
2020-10-21 14:32:592572 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《非易失性NVSRAM存儲(chǔ)器的詳細(xì)講解.pdf》資料免費(fèi)下載
2020-11-25 11:12:0026 存儲(chǔ)器概況 存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，主要是用來(lái)存放程序和數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)器按存儲(chǔ)特性可分為非易失和易失兩大類(lèi)。目前常見(jiàn)的多為半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。 非易失性存儲(chǔ)器 非易失存儲(chǔ)器是指在系統(tǒng)停止供電的時(shí)候仍然
2020-12-07 14:26:136411 
CYPRESS串行非易失性存儲(chǔ)器為關(guān)鍵任務(wù)數(shù)據(jù)捕獲提供卓越的性能和可靠性。Excelon鐵電存儲(chǔ)器FRAM系列提供高速非易失性數(shù)據(jù)記錄功能，即使在極端溫度下在惡劣的汽車(chē)和工業(yè)操作環(huán)境中也可防止數(shù)據(jù)
2021-01-07 15:16:02862 富士通FRAM是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機(jī)存取兩個(gè)特長(zhǎng)的鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器（內(nèi)存）。FRAM的數(shù)據(jù)保持，不僅不需要備用電池，而且與EEPROM、FLASH等傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器
2021-04-08 15:42:021621 
Everspin公司生產(chǎn)的MRAM用于數(shù)據(jù)持久性和應(yīng)用的市場(chǎng)和應(yīng)用。Everspin MRAM應(yīng)用在數(shù)據(jù)中心和云存儲(chǔ)、汽車(chē)和運(yùn)輸市場(chǎng)。MRAM是一種利用電子自旋來(lái)存儲(chǔ)信息的存儲(chǔ)技術(shù)。MRAM具有成為通用存儲(chǔ)器的潛力——能夠?qū)?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)存儲(chǔ)器的密度與 SRAM 的速度相結(jié)合，同時(shí)具有非易失性和節(jié)能性。
2021-08-17 16:26:192880 兆易創(chuàng)新38nm GD5F SPI NAND Flash產(chǎn)品覆蓋1Gb~4Gb容量，滿(mǎn)足AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)，兼具性能與成本優(yōu)勢(shì)，可為整車(chē)廠(chǎng)或者Tire1模組廠(chǎng)提供優(yōu)質(zhì)的車(chē)規(guī)級(jí)存儲(chǔ)方案.
2022-02-22 11:01:231619 
ING91870CQ是桃芯科技發(fā)布的一款車(chē)規(guī)級(jí)低功耗SoC芯片。該芯片歷經(jīng)9個(gè)月的可靠性測(cè)試，最終獲得AEC-Q100的測(cè)試認(rèn)證。
2022-09-15 10:18:305060 啟動(dòng)您的電機(jī)：AEC-Q100 汽車(chē)級(jí)驅(qū)動(dòng)器
2022-11-07 08:07:340 AN4808_STM32L0和STM32L1系列微控制器上不干擾代碼執(zhí)行寫(xiě)非易失存儲(chǔ)器
2022-11-21 17:06:490 在過(guò)去幾十年內(nèi)，易失性存儲(chǔ)器沒(méi)有特別大的變化，主要分為DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)和SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)。它在任何時(shí)候都可以讀寫(xiě)，RAM通常是作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行程序的臨時(shí)存儲(chǔ)介質(zhì)(可稱(chēng)作系統(tǒng)內(nèi)存)。
2022-11-29 15:56:464852 
STT-MRAM非易失性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器是一款像SRAM一樣 高速、高耐久性、單字節(jié)訪(fǎng)問(wèn)的工作，也可以像ROM/Flash一樣非揮發(fā)性，保留時(shí)間長(zhǎng)的存儲(chǔ)。MRAM供應(yīng)商英尚微支持提供相關(guān)技術(shù)支持。
2022-11-29 15:57:582187 WAYON維安（KOYUELEC光與電子）設(shè)計(jì)出滿(mǎn)足AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)的高速CAN收發(fā)器
2022-12-30 17:10:01940 上海靈動(dòng)微電子股份有限公司宣布，其 MM32A0144 芯片已通過(guò) AEC-Q100 質(zhì)量認(rèn)證。 AEC-Q100 是由汽車(chē)電子行業(yè)協(xié)會(huì)（AEC）設(shè)計(jì)的一種國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，為汽車(chē)芯片提供了質(zhì)量和可靠性方面
2023-03-10 17:43:201328 
其數(shù)據(jù)始終是非易失性的，可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM，并有助于簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)。由于STT-MRAM的非易失性和幾乎無(wú)限的續(xù)航特性，它適用于工業(yè)設(shè)計(jì)中的代碼存儲(chǔ)、數(shù)據(jù)記錄、備份存儲(chǔ)器和工作存儲(chǔ)器。
2023-05-12 16:31:39882 峰岹快訊NEWS2023年5月近日峰岹科技FU6865Q1、FU6815Q1兩款車(chē)規(guī)芯片，順利通過(guò)檢測(cè)獲AEC-Q100認(rèn)證，繼FU6832N1通過(guò)車(chē)規(guī)認(rèn)證之后，峰岹科技又添兩款車(chē)規(guī)級(jí)芯片，為公司在
2023-05-12 10:00:431746 
? 近日，合肥酷芯微電子有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“酷芯”）AR9341獲得由閎康技術(shù)檢測(cè)（上海）有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“閎康科技”）頒發(fā)的AEC-Q100車(chē)規(guī)級(jí)認(rèn)證證書(shū)。 酷芯聯(lián)合創(chuàng)始人兼CTO沈泊以及閎康
2023-06-27 16:45:021925 ，非易失性存儲(chǔ)器在計(jì)算機(jī)關(guān)閉后存儲(chǔ)數(shù)據(jù)仍保留在計(jì)算機(jī)中。易失性存儲(chǔ)器的主要特征是它們需要電源來(lái)維持其存儲(chǔ)狀態(tài)。主要分為兩種類(lèi)型：靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)。 1963年，F(xiàn)airchild發(fā)明了SRAM。作為即1959年I
2023-06-28 09:05:282450 AEC其實(shí)是Automotive Electronics Council汽車(chē)電子協(xié)會(huì)的簡(jiǎn)稱(chēng)，并且AECQ標(biāo)準(zhǔn)包括以下幾個(gè)領(lǐng)域，對(duì)于不同領(lǐng)域的電子器件，適用于不同的標(biāo)準(zhǔn)。目前見(jiàn)到的比較多的是AEC-Q100、AEC-Q101、AEC-Q200。
2023-07-05 11:30:169223 
進(jìn)入汽車(chē)領(lǐng)域，打入各一級(jí)(Tier1)汽車(chē)電子大廠(chǎng)供應(yīng)鏈，必須取得兩張門(mén)票，一張是由北美汽車(chē)產(chǎn)業(yè)所推的AEC-Q100(集成電路IC)、AEC-Q101(分立半導(dǎo)
2023-08-25 08:28:091727 
經(jīng)過(guò)10 多年的發(fā)展，AEC-Q-100 已經(jīng)成為汽車(chē)電子系統(tǒng)的通用標(biāo)準(zhǔn)。在AEC-Q-100 之后又陸續(xù)制定了針對(duì)離散組件的AEC-Q-101 和針對(duì)被動(dòng)組件的AEC-Q-200 等規(guī)范，以及AEC-Q001/Q002/Q003/Q004 等指導(dǎo)性原則。
2023-11-13 16:16:542760 
。 CS32F116Q嚴(yán)格按照AEC-Q100 Grade1規(guī)范設(shè)計(jì)，能夠滿(mǎn)足汽車(chē)電子對(duì)高性能、低功耗和高集成度的嚴(yán)苛需求。在各種惡劣的應(yīng)用環(huán)境中，該產(chǎn)品都能實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定運(yùn)行，為車(chē)燈控制、車(chē)用電機(jī)控制、車(chē)窗控制、汽車(chē)傳感器檢測(cè)等廣泛應(yīng)用場(chǎng)景提供有力支持。 產(chǎn)品優(yōu)勢(shì) 作為一款基于ARM? Cortex?
2024-02-19 15:13:411334 
值此龍年新春之際，芯?？萍迹ü善贝a：688595）傳來(lái)喜訊，其在汽車(chē)電子領(lǐng)域的創(chuàng)新成果——通用車(chē)規(guī)MCU芯片CS32F116Q，成功通過(guò)了國(guó)際汽車(chē)行業(yè)權(quán)威認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q100 Grade 1
2024-02-21 10:39:441327 近日，芯進(jìn)電子推出的高性能電流傳感器CC6922，順利通過(guò)廣電計(jì)量平臺(tái)AEC-Q100車(chē)規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證。AEC-Q100認(rèn)證AEC-Q100認(rèn)證由國(guó)際汽車(chē)電子協(xié)會(huì)
2024-03-06 08:28:321239 
近日，軒轅智駕的紅外熱成像芯片通過(guò)第三方權(quán)威機(jī)構(gòu)的嚴(yán)苛檢測(cè)，獲得AEC-Q100權(quán)威認(rèn)證，這是公司繼獲得AEC-Q104認(rèn)證后，國(guó)內(nèi)首家獲得AECQ雙認(rèn)證的紅外科技企業(yè)，充分體現(xiàn)了業(yè)界對(duì)軒轅智駕核心器件品質(zhì)的高度認(rèn)可。
2024-06-26 09:36:301313 傅里葉半導(dǎo)體車(chē)規(guī)級(jí)音頻功放產(chǎn)品FS5024E在季豐電子可靠性實(shí)驗(yàn)室的助力下，成功通過(guò)AEC-Q100與AEC-Q006認(rèn)證測(cè)試，榮獲AEC-Q100與AEC-Q006證書(shū)。
2024-08-02 14:31:092904 近日，國(guó)際公認(rèn)的測(cè)試、檢驗(yàn)和認(rèn)證機(jī)構(gòu)SGS為上海富芮坤微電子有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“富芮坤”） 型號(hào)為FR3038DQ的藍(lán)牙MCU芯片頒發(fā)AEC-Q100認(rèn)證證書(shū)。獲此證書(shū)標(biāo)志著富芮坤該產(chǎn)品滿(mǎn)足汽車(chē)行業(yè)對(duì)電子元器件的高標(biāo)準(zhǔn)要求，成功獲得打入一級(jí)車(chē)廠(chǎng)供應(yīng)鏈的重要門(mén)票。
2024-08-07 17:43:591631 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《用于電源門(mén)控的毫微級(jí)功耗系統(tǒng)計(jì)時(shí)器TPL5110-Q1 AEC-Q100數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-08-21 10:46:020 LCA039BC34GU8系列作為國(guó)內(nèi)首款三芯集成車(chē)規(guī)級(jí)處理器，開(kāi)創(chuàng)性地將高性能MCU、高壓柵極驅(qū)動(dòng)與LIN網(wǎng)絡(luò)接口進(jìn)行7*7尺寸封裝集成，通過(guò)AEC-Q100 Grade1車(chē)規(guī)級(jí)可
2025-03-07 10:45:531403 
近日，士模微電子高性能ADC芯片CM1103、CM1106成功通過(guò)AEC-Q100車(chē)規(guī)級(jí)認(rèn)證，芯片性能及可靠性等指標(biāo)符合國(guó)際車(chē)規(guī)芯片標(biāo)準(zhǔn)，產(chǎn)品質(zhì)量獲得權(quán)威認(rèn)證機(jī)構(gòu)的認(rèn)可和肯定。關(guān)于
2025-03-11 15:04:431239 
級(jí)芯片可靠性標(biāo)準(zhǔn)，旨在確保芯片能夠在復(fù)雜多變的汽車(chē)環(huán)境中穩(wěn)定運(yùn)行。本文將從AEC-Q100的角度出發(fā)，深入剖析車(chē)規(guī)芯片的可靠性設(shè)計(jì)要點(diǎn)，并結(jié)合實(shí)際芯片數(shù)據(jù)手冊(cè)進(jìn)行分析。 一、AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)概述
2025-03-25 21:32:301543 Technology Inc.（微芯科技公司）的 PolarFire片上系統(tǒng)（SoC）FPGA? 已獲得汽車(chē)電子委員會(huì) AEC-Q100 認(rèn)證。AEC-Q 標(biāo)準(zhǔn)是集成電路的指南，通過(guò)壓力測(cè)試來(lái)衡量汽車(chē)電子元件的可靠性
2025-03-31 19:26:562181 近日，大普技術(shù)自主研發(fā)的車(chē)規(guī)級(jí)高精度RTC（實(shí)時(shí)時(shí)鐘）芯片INS5A8900、INS5A8804成功通過(guò)工信部電子第五研究所（中國(guó)賽寶實(shí)驗(yàn)室）嚴(yán)格的車(chē)規(guī)測(cè)試和驗(yàn)證，并獲得其授予的 AEC-Q100
2025-08-01 17:30:061507 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()20 MHz 至 3.0 GHz SPDT 開(kāi)關(guān)（符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)）相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有20 MHz 至 3.0 GHz SPDT 開(kāi)關(guān)（符合
2025-08-18 18:31:01
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()0.1 至 8.5 GHz SPDT 開(kāi)關(guān)（符合 AEC-Q100 2 級(jí)標(biāo)準(zhǔn)）相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有0.1 至 8.5 GHz SPDT 開(kāi)關(guān)（符合 AEC-Q100
2025-10-21 18:32:18
近日，導(dǎo)遠(yuǎn)科技自研的6軸車(chē)規(guī)級(jí)MEMS IMU GST80已通過(guò)AEC-Q100可靠性測(cè)試。
2025-11-06 16:04:32885 
近日，國(guó)際公認(rèn)的測(cè)試、檢驗(yàn)和認(rèn)證機(jī)構(gòu)SGS為應(yīng)達(dá)利電子股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“應(yīng)達(dá)利”）頒發(fā)AEC-Q100與AEC-Q200認(rèn)證證書(shū)，其中一款有源晶體振蕩器通過(guò)AEC-Q100認(rèn)證，兩款無(wú)源晶體
2025-11-10 09:27:46635 近日，一個(gè)新的里程碑——高德紅外自主研發(fā)的640×512/8μm非制冷紅外探測(cè)器車(chē)載紅外芯片，成功通過(guò)德國(guó)萊茵TüV機(jī)構(gòu)的AEC-Q100認(rèn)證！這是繼12μm非制冷紅外探測(cè)器芯片獲得AEC-Q100
2025-12-11 09:28:35463
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