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電子發(fā)燒友網>存儲技術>為滿足NAND Flash市場增加的需求 SK海力士宣布將建新存儲器晶圓廠

為滿足NAND Flash市場增加的需求 SK海力士宣布將建新存儲器晶圓廠

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存儲器半導體市場迎來寒冬 SK海力士預計減少4成投資

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SK海力士2019年第2季凈利較2018年同期大跌88%

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SK海力士收益下降,但仍看好市場前景

SK海力士已經發(fā)現內存和NAND芯片供過于求的跡象,但日韓貿易爭端正在威脅和影響到制造芯片所需的市場環(huán)境。
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7月11日,業(yè)內傳出消息稱,SK海力士計劃收購Intel位于中國大連的Fab 68存儲工廠及3D NAND業(yè)務。對此傳聞,英特爾向芯智訊進行了回應。
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近日閃存芯片行業(yè)又現巨震,英特爾將自己的NAND閃存業(yè)務以90億美元的價格出售給了SK海力士。
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2022-05-19 14:32:534080

SK海力士研發(fā)全球首款業(yè)界最高層數的238層NAND閃存

SK海力士在美國圣克拉拉舉行的2022閃存峰會(Flash Memory Summit 2022)上首次亮相了238層NAND閃存新產品。
2022-08-04 15:53:4915867

SK海力士將投入753.81億元建設M15X存儲工廠

SK海力士將在清州市新建NAND M17產線,以提高NAND產品產能。SK海力士原計劃在明年年初開始建設,最快2025年建成。
2022-09-08 10:48:30555

SK海力士季度虧損創(chuàng)紀錄 sk海力士2022年財報難看

被壓制,消費電子市場更是暴雷不斷,SK 海力士的大部分利潤來自于銷售內存芯片。對于虧損SK海力士稱第四季度虧損主要原因是電腦和智能手機的需求低迷導致存儲芯片需求減少;疊加芯片價格大幅下滑導致。 內存芯片行業(yè)面臨著嚴重供需失衡,而鑒
2023-02-01 16:52:123954

突發(fā)!SK海力士或出售大連工廠

4月26日新聞,DigiTimes援引韓國媒體報道稱,SK海力士正在推遲其位于中國大連的第二個3D NAND工廠的完工。據悉,這一決議是為了應對市場需求萎縮以及美國限制向中國出口先進晶圓廠工具。 但
2023-05-05 15:22:002870

三星、SK海力士在華晶圓廠將獲美國延長“豁免期”; 美制芯片將比臺制芯片貴30%?臺積電回應

(聯合盟友)限制中國獲得尖端半導體的關鍵。 在4月底,韓國媒體報道稱,SK海力士正在推遲其在中國大連的第二座3D NAND Flash工廠的完工。在最壞的情況下,SK海力士可能會決定賣掉大樓而不是繼續(xù)安裝昂貴的設備。不過,最新的消息顯示
2023-05-11 20:16:371376

SK海力士發(fā)布全球首款321層NAND!

SK海力士宣布將首次展示全球首款321層NAND閃存,成為業(yè)界首家開發(fā)出300層以上NAND閃存的公司。他們展示了321層1Tb TLC 4D NAND閃存的樣品,并介紹了開發(fā)進展情況。
2023-08-10 16:01:471993

NAND Flash存儲器的基礎知識

隨著信息技術的飛速發(fā)展,數據存儲需求日益增長。作為一種新型的非易失性存儲器,NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等優(yōu)勢,在各個領域得到了廣泛應用。本文將對NAND Flash存儲器的工作原理、結構特點、性能指標及應用領域進行詳細解析,以期讀者提供一個全面的了解。
2023-09-27 18:26:175563

SK海力士三季度虧損97億元,SK海力士確認反對西數與鎧俠合并

SK海力士稱,由于高性能半導體存儲器產品的市場需求增加,公司業(yè)績開始持續(xù)改善。尤其是面向人工智能的存儲器產品,如HBM3、高容量DDR5 DRAM和高性能移動DRAM等,銷售表現良好。因此與上一季度相比,營業(yè)收入增長了24%,營業(yè)虧損減少了38%。
2023-10-31 17:02:281270

SK海力士將在CES2024向全世界展示AI存儲器領導力

2024年1月3日,SK海力士宣布,公司將參加于1月9日至12日在美國拉斯維加斯舉行的世界最大規(guī)模電子、IT展會“國際消費電子產品展覽會(CES 2024)”,屆時展示未來AI基礎設施中最為關鍵的超高性能存儲器技術實力。
2024-01-04 17:12:151445

SK海力士加大高帶寬內存生產投入

SK海力士近日宣布,將進一步擴大高帶寬內存生產設施的投資,以滿足高性能AI產品市場的不斷增長需求。
2024-01-29 16:54:441387

鎧俠向SK海力士提議在日產非易失性存儲器,推動合作達成

去年,鎧俠與西數的合并談判因韓企 SK 海力士阻撓而被擱置,其顧慮在于合并后的企業(yè)體量過大。打破僵局爭取 SK 海力士的支持,鎧俠提出借助其實施的日本產 3D NAND 晶圓廠,提供額外產能供 SK 海力士擴大 3D NAND 存儲器產能。
2024-02-18 16:06:59980

SK海力士將于3月量產HBM3E存儲器

在全球存儲半導體市場的激烈競爭中,SK海力士已正式結束了第五代高帶寬存儲器(HBM3E)的開發(fā)工作,并成功通過了Nvidia長達半年的性能評估。這一里程碑的達成標志著SK海力士即將在今年3月開始量產這款革命性的存儲器產品,并計劃在下個月內向其重要合作伙伴Nvidia供應首批產品。
2024-02-21 11:14:081739

SK海力士宣布HBM內存生產配額全部售罄

SK 海力士副總裁 Kim Ki-Tae 對此表示,作為 HBM 行業(yè)翹楚,海力士洞察到市場對 HBM 存儲的巨大需求,現已提前調整產量,以期更好地滿足市場需求,保護其市場占有率。
2024-02-23 14:12:001306

SK海力士擴大對芯片投資

SK海力士正積極應對AI開發(fā)中關鍵組件HBM(高帶寬存儲器)日益增長的需求,為此公司正加大在先進芯片封裝方面的投入。SK海力士負責封裝開發(fā)的李康旭副社長明確指出,公司正在韓國投入超過10億美元,以擴大和改進其芯片封裝技術。
2024-03-08 10:53:441798

SK海力士成功量產超高性能AI存儲器HBM3E

HBM3E的推出,標志著SK海力士在高性能存儲器領域取得了重大突破,將現有DRAM技術推向了新的高度。
2024-03-20 15:23:531844

SK海力士發(fā)布NAND閃存解決方案,助力端側AI手機發(fā)展

SK海力士指出,“ZUFS 4.0是新一代移動端NAND閃存解決方案,具備行業(yè)內最高性能且專門針對端側AI手機進行優(yōu)化?!贝送?,公司還強調,“借助此產品,我們將在NAND閃存領域引領AI存儲器市場,這也是繼HBM超高性能DRAM之后的又一重要里程碑?!?/div>
2024-05-09 09:30:331063

SK海力士推出新一代移動端NAND閃存解決方案ZUFS 4.0

今日,SK海力士公司宣布了一項革命性的技術突破,他們成功研發(fā)出了面向端側(On-Device)AI應用的全新移動端NAND閃存解決方案——“ZUFS(Zoned UFS)4.0”。這款產品的推出,標志著SK海力士在閃存技術領域的又一次飛躍。
2024-05-09 11:00:301175

三星電子與SK海力士預測存儲芯片市場需求強烈,HBM產能售罄

全球知名存儲芯片制造巨頭三星及SK海力士預判,今年DRAM和高帶寬存儲器(HBM)價格將持續(xù)攀升,受益于市場對于高端芯片,尤其是人工智能相關芯片的強大需求。
2024-05-15 09:23:52983

SK海力士HBM4E存儲器提前一年量產

SK海力士公司近日在首爾舉辦的IEEE 2024國際存儲研討會上,由先進HBM技術團隊負責人Kim Kwi-wook宣布了一項重要進展。SK海力士計劃從2026年開始,提前一年量產其第七代高帶寬存儲器HBM4E。這一消息表明,SK海力士在HBM技術領域的研發(fā)速度正在加快。
2024-05-15 11:32:131484

SK海力士HBM4芯片前景看好

瑞銀集團最新報告指出,SK海力士的HBM4芯片預計從2026年起,每年將貢獻6至15億美元的營收。作為高帶寬內存(HBM)市場的領軍企業(yè),SK海力士已在今年2月宣布其HBM產能已全部售罄,顯示其產品的強勁需求。
2024-05-30 10:27:221511

SK海力士開發(fā)出用于端側AI PC的高性能固態(tài)硬盤PCB01

(SSD)——PCB01。這款產品的推出,不僅標志著SK海力士NAND閃存解決方案領域的又一次重大突破,也預示著AI存儲器市場將迎來新的變革。
2024-07-01 14:58:401222

SK海力士豪擲748億美元加碼存儲器芯片投資,聚焦HBM技術引領AI未來

在全球半導體產業(yè)與人工智能(AI)技術日新月異的今天,SK海力士以其前瞻性的戰(zhàn)略眼光和雄厚的資金實力,再次成為業(yè)界的焦點。據最新報道,SK海力士計劃在2028年前投資高達103兆韓元(約合748億美元),用于存儲器芯片的生產與研發(fā),這一舉措無疑是對半導體產業(yè)未來前景的堅定押注。
2024-07-04 10:00:511084

AI存儲器需求推動SK海力士第二季度財報盈利增長

(AI)驅動的存儲市場需求的強勁增長以及動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)和非易失性閃存(NAND flash)產品價格的持續(xù)攀升。
2024-07-25 12:50:461246

SK海力士考慮讓Solidigm在美上市融資

據最新消息,SK海力士正醞釀一項重要財務戰(zhàn)略,考慮推動其NAND與SSD業(yè)務子公司Solidigm在美國進行首次公開募股(IPO)。Solidigm作為SK海力士在2021年底通過收購英特爾相應業(yè)務后成立的獨立美國子公司,承載著SK海力士存儲解決方案領域的重要布局。
2024-07-30 17:35:402332

SK海力士即將亮相FMS 2024,展示AI存儲器技術新突破

SK海力士即將在8月6日至8日于美國圣克拉拉舉辦的全球半導體存儲器峰會FMS 2024上大放異彩,向全球業(yè)界展示其在存儲器技術領域的最新進展與對人工智能(AI)未來的深邃洞察。此次參展,SK海力士不僅將全面呈現其存儲器產品的技術革新,更將焦點對準了下一代AI存儲器技術的璀璨前景。
2024-08-05 09:26:391110

SK海力士M16晶圓廠擴產,DRAM產能將增18%

SK 海力士,作為全球知名的半導體巨頭,近期宣布了一項重要的擴產計劃,旨在通過擴大M16晶圓廠的生產規(guī)模,顯著提升其DRAM內存產能。據韓媒報道,SK 海力士已積極與上游設備供應商合作,訂購了關鍵生產設備,以加速提升M16晶圓廠在HBM(高帶寬內存)及通用DRAM內存方面的生產能力。
2024-08-16 17:32:241920

SK海力士CXL方案成功融入Linux系統(tǒng)

 韓國首爾,2024年9月23日訊 —— SK海力士今日宣布了一項重大技術突破,其自主研發(fā)的異構存儲器軟件開發(fā)套件(Heterogeneous Memory S/W Development Kit
2024-09-23 14:23:441328

SK海力士引領未來:全球首發(fā)12層HBM3E芯片,重塑AI存儲技術格局

今日,半導體巨頭SK海力士震撼宣布了一項業(yè)界矚目的技術里程碑,該公司已成功在全球范圍內率先實現12層HBM3E芯片的規(guī)?;a,此舉不僅將HBM存儲器的最大容量推升至史無前例的36GB新高度,更進一步鞏固了SK海力士在AI應用存儲器市場的領軍地位。
2024-09-26 16:30:311987

英偉達加速推進HBM4需求,SK海力士存儲巨頭競爭加劇

在財報中曾表示,計劃在2025年下半年向大客戶(市場普遍猜測英偉達及AMD)提供HBM存儲系統(tǒng)。對此,SK海力士的發(fā)言人證實了這一時間表確實比最初目標有所提前,但并未提供更多細節(jié)。
2024-11-04 16:17:001707

SK海力士調整生產策略,聚焦高端存儲技術

限的產能轉向更高端的產品線,如人工智能用存儲器及先進DRAM產品。 SK海力士的這一決策可能與其重點發(fā)展高端存儲技術研發(fā)和生產有關。近日,該公司對外展示了全球首款48GB 16層HBM3E產品,該產品在容量和層數上均達到了業(yè)界最高水平。這一成果不僅彰顯了SK海力士
2024-11-07 11:37:181277

SK海力士計劃減產NAND Flash存儲器以應對市場下滑

產品價格。 繼美光和三星宣布減產計劃后,全球第二大NAND Flash廠商SK海力士宣布了減產決定。據悉,SK海力士計劃將上半年NAND Flash存儲器的產量削減10%。這一決定無疑將對市場產生深遠影響。 根據機構先前發(fā)布的報告,SK海力士NAND Flash存儲器
2025-01-20 14:43:551096

SK海力士加速M15X晶圓廠投產準備

據最新報道,SK 海力士滿足市場對高帶寬存儲器(HBM)的旺盛需求,正緊鑼密鼓地M15X晶圓廠的投產做全面準備。公司計劃于今年3月向M15X工廠派遣工程師團隊,以確保工廠能夠順利啟動并投入生產
2025-02-18 11:16:58886

SK海力士將關閉CIS圖像傳感部門 轉向AI存儲器領域

3 月 6 日消息,綜合韓聯社、ZDNet Korea、MK 等多家韓媒報道,SK 海力士今日在內部宣布將關閉其 CIS(CMOS 圖像傳感)部門, 該團隊的員工將轉崗至 AI 存儲器領域 。SK
2025-03-06 18:26:161080

SK海力士如何成為面向AI的存儲器市場領跑者

近年來,SK海力士屢獲創(chuàng)新成果,這些成就皆得益于“一個團隊”協作精神(One Team Spirit)”。無論是創(chuàng)下歷史最佳業(yè)績、開發(fā)出全球領先產品,還是躍升成為全球頂級面向AI的存儲器供應商,這些
2025-05-23 13:54:361015

SK海力士HBM技術的發(fā)展歷史

SK海力士在鞏固其面向AI的存儲器領域領導地位方面,HBM1無疑發(fā)揮了決定性作用。無論是率先開發(fā)出全球首款最高性能的HBM,還是確立并保持其在面向AI的存儲器市場的領先地位,這些成就的背后皆源于SK海力士秉持的“一個團隊”協作精神(One Team Spirit)。
2025-06-18 15:31:021667

SK海力士321層4D NAND的誕生

SK海力士致力于成為“全方位面向AI的存儲器供應商(Full Stack AI Memory Provider)”,不僅在DRAM領域持續(xù)創(chuàng)新,在NAND閃存(NAND Flash,以下簡稱NAND
2025-07-10 11:37:591509

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