華虹半導(dǎo)體在第一代90納米嵌入式閃存 (90nm G1 eFlash) 工藝技術(shù)積累的基礎(chǔ)上，于90nm G2 eFlash工藝平臺(tái)實(shí)現(xiàn)了多方面的技術(shù)提升。90nm G2微縮了Flash的元胞尺寸，較第一代減小約25%，為目前全球晶圓代工廠90納米工藝節(jié)點(diǎn)嵌入式閃存技術(shù)的最小尺寸。此外，90nm G2采用了新的Flash IP設(shè)計(jì)架構(gòu)，在保證高可靠性 (即10萬(wàn)次擦寫及25年數(shù)據(jù)保持能力) 的同時(shí)，提供了極小面積的低功耗Flash IP。因此，90nm G2 eFlash能夠大大縮小整體芯片面積，從而在單片晶圓上擁有更多的裸芯片數(shù)量，尤其對(duì)于具有高容量eFlash的芯片產(chǎn)品，90nm G2 eFlash的面積優(yōu)勢(shì)更為顯著。值得一提的是，90nm G2 eFlash在第一代的基礎(chǔ)上又縮減了一層光罩，使得制造成本更低。

目前，90nm G2 eFlash已實(shí)現(xiàn)了高良率的穩(wěn)定量產(chǎn)，成功用于大規(guī)模生產(chǎn)電信卡芯片，并將為智能卡芯片、安全芯片產(chǎn)品以及MCU等多元化產(chǎn)品提供更具性價(jià)比的芯片制造技術(shù)解決方案。

華虹半導(dǎo)體執(zhí)行副總裁孔蔚然博士表示：“第二代的90nm G2 eFlash工藝的成功量產(chǎn)，標(biāo)志著華虹半導(dǎo)體在特色化嵌入式閃存技術(shù)上的又一次成功。嵌入式非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)是我們的戰(zhàn)略重點(diǎn)之一，長(zhǎng)期以來憑借著高安全性、高穩(wěn)定性、高性價(jià)比以及技術(shù)先進(jìn)性在業(yè)界廣受認(rèn)可。作為全球領(lǐng)先的智能卡IC代工廠，華虹半導(dǎo)體將堅(jiān)持深耕，不斷優(yōu)化工藝，升級(jí)平臺(tái)，持續(xù)領(lǐng)航智能IC卡代工領(lǐng)域，并大力發(fā)力物聯(lián)網(wǎng)、新能源汽車等高增長(zhǎng)新興市場(chǎng)。”

華虹半導(dǎo)體（股份代號(hào)：1347.HK）是全球具領(lǐng)先地位的200mm純晶圓代工廠，主要專注于研發(fā)及制造專業(yè)應(yīng)用的200mm晶圓半導(dǎo)體，尤其是嵌入式非易失性存儲(chǔ)器及功率器件。集團(tuán)的技術(shù)組合還包括RFCMOS、模擬及混合信號(hào)、電源管理及MEMS等若干其他先進(jìn)工藝技術(shù)。根據(jù)IHS的資料，按2016年銷售收入總額計(jì)算，集團(tuán)是全球第二大200mm純晶圓代工廠。集團(tuán)生產(chǎn)的半導(dǎo)體被應(yīng)用于不同市場(chǎng)（包括電子消費(fèi)品、通訊、計(jì)算機(jī)、工業(yè)及汽車）的各種產(chǎn)品中。利用自身的專有工藝及技術(shù)，集團(tuán)為多元化的客戶制造其設(shè)計(jì)規(guī)格的半導(dǎo)體。通過位于上海的3座晶圓廠，集團(tuán)目前的200mm晶圓加工能力在中國(guó)名列前茅，截至2017年9月30日合計(jì)約為每月166,000片。同時(shí)，考慮到工藝的性能、成本及制造良率，集團(tuán)亦提供設(shè)計(jì)支持服務(wù)，以便對(duì)復(fù)雜的設(shè)計(jì)進(jìn)行優(yōu)化。

華虹半導(dǎo)體有限公司現(xiàn)時(shí)主要業(yè)務(wù)透過位于上海的子公司上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司（“華虹宏力”）開展。而華虹宏力由原上海華虹NEC電子有限公司和上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司新設(shè)合并而成。