我國幾乎以1500億美元的投資表明了其在存儲芯片領域自給自足的決心，并且最有可能實現(xiàn)其目標。這些內存計劃之一就是合肥長鑫和長江存儲分別在DRAM和NAND FLASH技術工藝的擴展和發(fā)展。

根據(jù)長江存儲和合肥長鑫的產品發(fā)展路線圖。到2021年，二者分別在NAND FLASH和DRAM的產品研發(fā)進度上取得突破，后者將完成17nm的研發(fā)。到2020年，長江存儲直接跳躍到128層3D NAND的目標，并消除從64層到128層的過程，且繞開主要NAND制造商生產的96層閃存芯片。

內存芯片為何如此重要？

對于存儲器市場，國內主要幾家存儲廠商發(fā)展正勁。因為我國是半導體的主要市場，大部分靠進口。2018年，我國在進口半導體組件上花費了3120億美元。內存芯片構成最大的組件，價值1240億美元，幾乎占比40％。

作為半導體的核心組件，我國盡量希望減少對外資半導體的依賴。同時，希望通過增加自身的的研發(fā)生產能力來減少進口此類產品的費用。

另外，最近與美國的貿易爭端加劇了我國方面減少對進口芯片（特別是來自美國公司的芯片）的需求。美國政府決定將華為列入其實體名單，并在其重要需求芯片領域對其“掐咽喉”。眾多事情讓我們意識到，如果不發(fā)展自己的芯片，將來又會發(fā)生什么。

國產內存芯片正取得進展

根據(jù)<電子發(fā)燒友>記者掌握的信息，目前全球存儲NAND FLASH市場由六家公司控制。三星，東芝，美光，西部數(shù)據(jù)，SK海力士和英特爾。DRAM市場更加集中，只有三家公司生產幾乎所有的DRAM芯片。它們分別是三星，SK海力士和美光。

反觀國內，長江存儲著力于NAND FLASH的生產，合肥長鑫致力于DRAM的生產。福建晉華曾經是第三家，但由于美國商務部對其DRAM設備、器件的禁售，導致其暫陷入困境。

國內的存儲芯片生產研發(fā)起步較晚。在NAND FLASH產品方面，2018年第二季度，長江存儲才正式推出32層的3D NAND閃存芯片，今年8月該公司的64層3D NAND已啟動量產。令人驚喜的是，合肥長鑫DRAM產品19nm級第一代8Gb DDR4也開始投產。

目前的產量很低，每月約有20,000個12英寸晶圓，但兩家公司應該能夠在明年之前將月產量提高到100,000至150,000個晶圓。兩家公司在工藝技術方面也落后，但他們有雄心勃勃的計劃來縮小差距。

例如，長江存儲的目標是在2020年實現(xiàn)128層QLC芯片的批量生產，這與其他打算生產128層芯片的NAND制造商相吻合。該公司聲稱其Xtacking架構為其NAND芯片提供了更高的性能，并具有更快的讀寫速度，更高的存儲密度和更短的產品制造周期。

合肥長鑫的平爾萱博士在CFMS2019上的一次演講中指出，該公司正在研究包括EUV，HKMG和GAA在內的技術，這將使其能夠改善其當前的10nm級制造工藝。他聲稱自己的技術與同行相近，目標是盡快趕上。

存儲企業(yè)內存生產計劃龐大

更重要的是，國產存儲企業(yè)打算將在產線生產能力上提高到多少。除武漢和合肥外，我國另外三個城市也正在建設存儲器工廠。同時，晉江也可能會開始DRAM生產，但是目前由于法律問題，參與其中的公司福建晉華目前處于困境。

表1：國產存儲芯片五大研發(fā)生產基地。 來源/電子發(fā)燒友制表

就投資工程而言，已撥出100到1500億美元的資金來幫助在這些城市中啟動內存生產。晶圓廠的產能將分階段上線，但五個城市中的每個晶圓廠最終將具有每月200,000至300,000片12英寸晶圓的產能。

如果一切按計劃進行，國產存儲芯每月的內存生產能力將在1,000,000至1,500,000晶圓之間。根據(jù)筆者查詢到的相關數(shù)據(jù)顯示，目前全球DRAM和NAND存儲器的月生產能力分別約為1,200,000和1,500,000片晶圓。

這些數(shù)字清楚地表明，從現(xiàn)在起甚至可能更快的幾年內，國產存儲芯片將能夠在存儲器市場的供應方面發(fā)揮很大的影響力。