在microLED顯示器和功率器件的驅(qū)動下，外延設備的出貨量在未來五年將增長三倍以上。

外延在半導體產(chǎn)業(yè)鏈中的位置

化合物半導體外延片正大舉進軍超越摩爾領(lǐng)域

據(jù)麥姆斯咨詢介紹，目前，外延生長用于硅基器件及III-V族化合物半導體產(chǎn)業(yè)。生長高質(zhì)量的材料是半導體器件的關(guān)鍵要素。2019年，外延片的需求超過了780萬片6英寸晶圓，這主要是由LED和功率器件驅(qū)動產(chǎn)生的。預計到2025年，外延片需求將達到至頂峰，相當于2130萬片6英寸晶圓，主要驅(qū)動力來自microLED、功率器件和激光二極管。

2019~2025年外延片市場預測

主要超越摩爾領(lǐng)域的器件

外延生長 vs.超越摩爾器件應用

在半導體襯底方面，氮化鎵（GaN）材料是繼硅襯底之后的主要外延市場，由傳統(tǒng)的LED氮化鎵器件驅(qū)動發(fā)展。然而，整個可見光LED產(chǎn)業(yè)目前正在將業(yè)務多元化，開發(fā)基于砷化鎵（GaAs）襯底的紫外LED和紅外LED產(chǎn)品。此外，LED制造商還在研發(fā)新型LED，以繼續(xù)在消費類顯示器中創(chuàng)造價值，如miniLED和microLED。有消息稱，蘋果（Apple）公司計劃在2021年的高端智能手表中采用microLED顯示技術(shù)。在理想的情況下，microLED還可以應用于智能手機中，那么這肯定會重塑外延晶圓市場。

另一方面，碳化硅（SiC）襯底等寬禁帶材料在電力電子市場上也找到了商機。盡管碳化硅襯底的市場價格較高，但是這種襯底是高（電）壓應用的重要支撐，因此被認為是一些MOSFET和二極管產(chǎn)品的技術(shù)選擇。

展望未來，紅外激光二極管（VCSEL）等光電子產(chǎn)品正在向外延生長市場進軍，它們通常需要外延砷化鎵材料。另外，砷化鎵對于射頻產(chǎn)品尤其有利，包括sub-6GHz和28GHz~39GHz范圍內(nèi)的毫米波小基站。因此，智能手機從4G向5G發(fā)展時，我們預計砷化鎵將取代CMOS，繼續(xù)成為sub-6GHz的主流技術(shù)。選擇合適的襯底將在很大程度上取決于與器件要求相關(guān)的技術(shù)性能及成本。

VCSEL和新型LED將引爆外延設備市場

2019年，超越摩爾領(lǐng)域的外延設備市場接近9.4億美元，包括硅基和非硅基應用。由于VCSEL和新型LED蓬勃發(fā)展，預計2025年外延設備市場將超過60億美元。

從技術(shù)的角度看，金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）服務于大多數(shù)III-V族化合物半導體外延產(chǎn)業(yè)，如砷化鎵和氮化鎵基器件。高溫CVD是目前主流的硅基器件和碳化硅器件。

目前的外延設備市場主要由LED和功率器件驅(qū)動。事實上，中國補貼政策導致了LED產(chǎn)線建設的過度。與實際生產(chǎn)需求相比，MOCVD市場目前處于氮化鎵LED產(chǎn)能嚴重過剩的狀況。MOCVD的投資在未來幾年難以預測，并且可能會逐年變化。如果政府決定嚴格禁止主要的LED制造商提升氮化鎵晶圓產(chǎn)能，那么情況可能會逐漸好轉(zhuǎn)。本報告考慮了傳統(tǒng)LED和新型microLED市場的不同情況。

對于傳統(tǒng)的氮化鎵LED，MOCVD的投資趨勢不會跟隨LED晶圓的需求。關(guān)于氮化鎵LED的特定優(yōu)點和缺點可能與過去一樣出現(xiàn)。但是，考慮到中國最近的競爭趨勢，普通照明和背光市場已經(jīng)商品化。因此，外延設備供應商預計這些市場不會帶來可觀的收入。然而，就缺陷和均勻性而言，對microLED的外延要求比傳統(tǒng)LED更為嚴格。可靠的技術(shù)路線圖能夠改進工具和設備，以達到約每平方厘米有0.1個缺陷（0.1 defects/cm2）或大于1μm的缺陷更少。與傳統(tǒng)的LED制造相比，潔凈室也需要更嚴格的要求，包括自動化和晶圓清洗。對于小于10μm的最小裸片來說，這點尤其正確！

同時，隨著消費類應用大量采用垂直腔面發(fā)射激光器（VCSEL）和邊緣發(fā)射激光器（EEL），激光二極管為外延設備市場提供了一個新興的增長機遇。

相比之下，微機電系統(tǒng)（MEMS）產(chǎn)業(yè)是整個外延設備的一個利基市場，因為它們的生產(chǎn)能力已經(jīng)非常成熟。

MOCVD設備市場可能會受到激光二極管、microLED和VCSEL等化合物半導體器件向分子束外延（MBE）技術(shù)過渡的影響。事實上，MBE可以在VCSEL產(chǎn)量和均勻性方面帶來更大的優(yōu)勢，也可以在高頻5G射頻應用方面帶來更大的優(yōu)勢。

就碳化硅功率器件而言，MOCVD制造商正試圖開發(fā)新型MOCVD技術(shù)，以應對主要使用高溫CVD的碳化硅市場。

顛覆性的非硅基器件引領(lǐng)更具競爭力的外延生長前景

外延生長應用及機遇

非硅基襯底類型 vs.超越摩爾器件應用

從競爭格局來看，外延設備市場被三個不同類別的外延設備制造商占據(jù)：

（1）頂級半導體設備供應商，例如來自硅基器件前端制造工藝領(lǐng)域的東京電子（Tokyo Electron）和應用材料（Advanced Materials），提供為外延工藝優(yōu)化的CVD設備，但他們通常不在MOCVD領(lǐng)域競爭。

（2）專業(yè)的MOCVD設備供應商，例如愛思強（AIXTRON）、維易科（Veeco）和中微半導體（AMEC），他們分別開發(fā)了專門用于固態(tài)照明的設備。

（3）來自功率半導體領(lǐng)域的碳化硅產(chǎn)業(yè)或高水平射頻應用的設備供應商，提供高溫CVD設備，例如LPE或Nuflare，以及開發(fā)專用MBE設備的供應商，例如Riber。

2018年，三家設備制造商占據(jù)了外延設備市場近60%的份額。AIXTRON是砷化鎵市場的領(lǐng)頭羊，在激光二極管和砷化鎵LED方面具有強大的地位。AMEC在砷化鎵LED方面的地位也較好?？紤]到中美知識產(chǎn)權(quán)（IP）糾紛的復雜關(guān)系，Veeco在中國的市場份額已經(jīng)被AMEC搶走。隨著貿(mào)易壁壘和額外稅收的增加，這種情形可能會繼續(xù)下去，從而嚴重影響Veeco的市場份額，降低Veeco在中國市場的競爭力。

外延設備供應商競爭格局

2018年全球主要外延設備供應商的市場份額