哈哈哈哈哈操欧洲电影,久草网在线,亚洲久久熟女熟妇视频,麻豆精品色,久久福利在线视频,日韩中文字幕的,淫乱毛视频一区,亚洲成人一二三,中文人妻日韩精品电影

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

三星宣布全球首座專門為EUV極紫外光刻工藝打造的代工廠開始量產(chǎn)

工程師鄧生 ? 來源:快科技 ? 作者:上方文Q ? 2020-02-21 16:19 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

三星宣布,位于韓國(guó)京畿道華城市的V1工廠已經(jīng)開始量產(chǎn)7nm 7LPP、6nm 6LPP工藝,這也是全球第一座專門為EUV極紫外光刻工藝打造的代工廠。

據(jù)介紹,三星7LPP、6LPP工藝主要生產(chǎn)先進(jìn)的移動(dòng)SoC芯片,本季度內(nèi)陸續(xù)出貨,具體客戶均未披露,不過看起來7LPP會(huì)是對(duì)外代工主力,6LPP則可能是三星自用,或者僅限特定客戶。

按照三星的說法,6LPP相比于7LPP可將晶體管密度增加約10%,并降低功耗,但彼此互相兼容,針對(duì)7LPP工藝設(shè)計(jì)的IP可以直接復(fù)用,從而大大降低成本。

在路線圖上,三星還規(guī)劃了5LPE、4LPE、3GAE、3GAP等更先進(jìn)的工藝,都會(huì)使用EUV極紫外光刻,其中5nm、4nm都可以算作7nm工藝的深度升級(jí),3nm則是全新設(shè)計(jì)。

高通剛剛發(fā)布的第三代5G基帶驍龍X60就采用三星5nm工藝制造,3nm則會(huì)在今年完成開發(fā),放棄使用多年的FinFET晶體管架構(gòu)。

三星V1工廠2018年2月開工建設(shè),2019年下半年開始試產(chǎn),未來將迅速擴(kuò)大產(chǎn)能,到今年底7LPP EUV和更新工藝的總產(chǎn)能將是去年底的三倍,累計(jì)投資也將達(dá)60億美元。

責(zé)任編輯:wv

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 三星電子
    +關(guān)注

    關(guān)注

    34

    文章

    15896

    瀏覽量

    183209
  • EUV
    EUV
    +關(guān)注

    關(guān)注

    8

    文章

    615

    瀏覽量

    88948
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    俄羅斯亮劍:公布EUV光刻機(jī)路線圖,挑戰(zhàn)ASML霸主地位?

    ? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/吳子鵬)?在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局中,光刻機(jī)被譽(yù)為 “半導(dǎo)體工業(yè)皇冠上的明珠”,而紫外EUV
    的頭像 發(fā)表于 10-04 03:18 ?1.1w次閱讀
    俄羅斯亮劍:公布<b class='flag-5'>EUV</b><b class='flag-5'>光刻</b>機(jī)路線圖,挑戰(zhàn)ASML霸主地位?

    2025全球EMS代工廠50強(qiáng)(TOP 50)

    2025全球EMS代工廠50強(qiáng)(TOP 50)
    的頭像 發(fā)表于 12-10 16:12 ?1038次閱讀
    2025<b class='flag-5'>全球</b>EMS<b class='flag-5'>代工廠</b>50強(qiáng)(TOP 50)

    【新啟航】玻璃晶圓 TTV 厚度在光刻工藝中的反饋控制優(yōu)化研究

    一、引言 玻璃晶圓在半導(dǎo)體制造、微流控芯片等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛,光刻工藝作為決定器件圖案精度與性能的關(guān)鍵環(huán)節(jié),對(duì)玻璃晶圓的質(zhì)量要求極為嚴(yán)苛 ??偤穸绕睿═TV)是衡量玻璃晶圓質(zhì)量的重要指標(biāo),其厚度
    的頭像 發(fā)表于 10-09 16:29 ?887次閱讀
    【新啟航】玻璃晶圓 TTV 厚度在<b class='flag-5'>光刻工藝</b>中的反饋控制優(yōu)化研究

    白光干涉儀在EUV光刻后的3D輪廓測(cè)量

    EUV紫外光刻技術(shù)憑借 13.5nm 的短波長(zhǎng),成為 7nm 及以下節(jié)點(diǎn)集成電路制造的核心工藝,其
    的頭像 發(fā)表于 09-20 09:16 ?950次閱讀

    全球前十大晶圓代工廠營(yíng)收排名公布 TSMC(臺(tái)積電)第一

    根據(jù)集邦咨詢最新報(bào)告數(shù)據(jù)顯示,在2025年第二季度,全球前十大晶圓代工廠營(yíng)收增長(zhǎng)至417億美元以上,季增高達(dá)14.6%;創(chuàng)下新紀(jì)錄。在2025年第二季度,前十晶圓代工廠市場(chǎng)份額約達(dá)96.8%。其中
    的頭像 發(fā)表于 09-03 15:54 ?6454次閱讀

    PCBA代工廠選擇指南:四大核心標(biāo)準(zhǔn)

    無論是初創(chuàng)企業(yè)還是成熟品牌,選對(duì)PCBA代工廠都是項(xiàng)目成功的關(guān)鍵一步。那么,如何從眾多代工廠中篩選出最適合的合作伙伴?以下四大核心標(biāo)準(zhǔn)您指明方向。 一、技術(shù)匹配度 首先需確認(rèn)其是否具備特殊
    的頭像 發(fā)表于 08-08 17:10 ?1855次閱讀

    三星最新消息:三星將在美國(guó)工廠蘋果生產(chǎn)芯片 三星和海力士不會(huì)被征收100%關(guān)稅

    給大家?guī)?b class='flag-5'>三星的最新消息: 三星將在美國(guó)工廠蘋果生產(chǎn)芯片 據(jù)外媒報(bào)道,三星電子公司將在美國(guó)德克薩斯州奧斯汀的芯片
    的頭像 發(fā)表于 08-07 16:24 ?1519次閱讀

    3D 共聚焦顯微鏡 | 芯片制造光刻工藝的表征應(yīng)用

    光刻工藝是芯片制造的關(guān)鍵步驟,其精度直接決定集成電路的性能與良率。隨著制程邁向3nm及以下,光刻膠圖案維結(jié)構(gòu)和層間對(duì)準(zhǔn)精度的控制要求達(dá)納米級(jí),傳統(tǒng)檢測(cè)手段難滿足需求。光子灣3D共聚焦顯微鏡憑借非
    的頭像 發(fā)表于 08-05 17:46 ?1381次閱讀
    3D 共聚焦顯微鏡 | 芯片制造<b class='flag-5'>光刻工藝</b>的表征應(yīng)用

    中芯國(guó)際 7 納米工藝突破:代工龍頭的技術(shù)躍遷與拓能半導(dǎo)體的封裝革命

    流轉(zhuǎn)。這家全球大晶圓代工廠,正以每月 3 萬片的產(chǎn)能推進(jìn) 7 納米工藝客戶驗(yàn)證,標(biāo)志著中國(guó)大陸在先進(jìn)制程領(lǐng)域的實(shí)質(zhì)性突破。 技術(shù)突圍的底層邏輯 中芯國(guó)際的 7 納米
    的頭像 發(fā)表于 08-04 15:22 ?1.3w次閱讀

    中科院微電子所突破 EUV 光刻技術(shù)瓶頸

    紫外光刻(EUVL)技術(shù)作為實(shí)現(xiàn)先進(jìn)工藝制程的關(guān)鍵路徑,在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域占據(jù)著舉足輕重的地位。當(dāng)前,LPP-EUV 光源是
    的頭像 發(fā)表于 07-22 17:20 ?1305次閱讀
    中科院微電子所突破 <b class='flag-5'>EUV</b> <b class='flag-5'>光刻</b>技術(shù)瓶頸

    Cadence擴(kuò)大與三星晶圓代工廠的合作

    楷登電子(美國(guó) Cadence 公司,NASDAQ:CDNS)近日宣布擴(kuò)大與三星晶圓代工廠的合作,包括簽署一項(xiàng)新的多年期 IP 協(xié)議,在三星晶圓代工
    的頭像 發(fā)表于 07-10 16:44 ?1228次閱讀

    三星代工大變革:2nm全力沖刺,1.4nm量產(chǎn)延遲至2029年

    全球半導(dǎo)體代工領(lǐng)域的激烈競(jìng)爭(zhēng)中,三星電子的戰(zhàn)略動(dòng)向一直備受矚目。近期,有消息傳出,三星代工業(yè)務(wù)在制程技術(shù)推進(jìn)方面做出重大調(diào)整,原本計(jì)劃于2
    的頭像 發(fā)表于 07-03 15:56 ?991次閱讀

    光刻工藝中的顯影技術(shù)

    一、光刻工藝概述 光刻工藝是半導(dǎo)體制造的核心技術(shù),通過光刻膠在特殊波長(zhǎng)光線或者電子束下發(fā)生化學(xué)變化,再經(jīng)過曝光、顯影、刻蝕等工藝過程,將設(shè)計(jì)在掩膜上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底上,是現(xiàn)代半導(dǎo)體、微
    的頭像 發(fā)表于 06-09 15:51 ?3316次閱讀

    詳談X射線光刻技術(shù)

    隨著紫外光刻EUV)技術(shù)面臨光源功率和掩模缺陷挑戰(zhàn),X射線光刻技術(shù)憑借其固有優(yōu)勢(shì),在特定領(lǐng)域正形成差異化競(jìng)爭(zhēng)格局。
    的頭像 發(fā)表于 05-09 10:08 ?1805次閱讀
    詳談X射線<b class='flag-5'>光刻</b>技術(shù)

    三星在4nm邏輯芯片上實(shí)現(xiàn)40%以上的測(cè)試良率

    似乎遇到了一些問題 。 另一家韓媒《DealSite》當(dāng)?shù)貢r(shí)間17日?qǐng)?bào)道稱,自 1z nm 時(shí)期開始出現(xiàn)的電容漏電問題正對(duì)三星 1c nm DRAM 的開發(fā)量產(chǎn)造成明顯影響。三星試圖通
    發(fā)表于 04-18 10:52
    丽水市| 鲁甸县| 张北县| 怀安县| 岫岩| 织金县| 稻城县| 沅江市| 仙游县| 元江| 黔江区| 新余市| 健康| 丰顺县| 武宁县| 囊谦县| 南漳县| 宁城县| 岳池县| 南通市| 察隅县| 长宁区| 长宁县| 抚宁县| 郴州市| 乐都县| 泰来县| 凌云县| 吉木乃县| 霍邱县| 澄江县| 永年县| 嘉祥县| 武定县| 阜城县| 乐平市| 叙永县| 英吉沙县| 渑池县| 荥经县| 观塘区|