Checkra1n率先支持對(duì)iOS 13.4/13.4.1正式版的越獄
iOS 13時(shí)代的越獄變成了Checkra1n和Unc0ver“兩虎相爭(zhēng)”的局面，本周，Checkra1n（0.10.1 Beta）率先實(shí)現(xiàn)對(duì)iOS 13.4/13.4.1正式版的越獄支持。
截止發(fā)稿，Unc0ver依然停留在iOS 13.3。
不過，坦率來說，兩套工具各有優(yōu)劣，Checkra1n僅提供了macOS和Linux客戶端，無法在Windows或者iOS上操作，而且僅支持Cydia商店，但優(yōu)點(diǎn)是相對(duì)穩(wěn)定。
Unc0ver則能直接在iOS上操作越獄過程，支持的設(shè)備也更多，缺點(diǎn)就是穩(wěn)定性稍差。
當(dāng)然，兩者都是不完美越獄，一旦設(shè)備重啟需要重新走一遍越獄流程。
回到iOS 13.4上，堪稱iOS 13的一次較為重大升級(jí)，新功能包括重構(gòu)郵件APP工具欄、新的ANIMOJI表情、iCloud支持文件夾分享，實(shí)測(cè)現(xiàn)實(shí)，iPhone SE/7/8在內(nèi)的老設(shè)備，開機(jī)速度、網(wǎng)頁渲染性能也都有提升。
責(zé)任編輯：wv
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
越獄
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
9瀏覽量
7953 -
iOS
+關(guān)注
關(guān)注
8文章
3401瀏覽量
155649
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
NTBLS1D1N08X MOSFET：高性能單通道N溝道功率器件的深度解析
NTBLS1D1N08X MOSFET：高性能單通道N溝道功率器件的深度解析 在電子工程領(lǐng)域，功率MOSFET作為關(guān)鍵的電子元件，廣泛應(yīng)用于各類電源管理和功率轉(zhuǎn)換電路中。今天我們將深入探討安森美
解析NTBLS1D1N08H：高性能N溝道MOSFET的卓越表現(xiàn)
解析NTBLS1D1N08H：高性能N溝道MOSFET的卓越表現(xiàn) 在電子工程領(lǐng)域，功率MOSFET是至關(guān)重要的元件，廣泛應(yīng)用于各類電子設(shè)備中。今天，我們將深入探討安森美（onsemi）推出
解析 onsemi NTMFD1D1N02X 雙 N 溝道 MOSFET：特性、參數(shù)與實(shí)際應(yīng)用
解析 onsemi NTMFD1D1N02X 雙 N 溝道 MOSFET：特性、參數(shù)與實(shí)際應(yīng)用 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，MOSFET（金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是至關(guān)重要的元件，廣泛應(yīng)用
NTTFD1D8N02P1E：高性能N溝道功率MOSFET的卓越之選
NTTFD1D8N02P1E：高性能N溝道功率MOSFET的卓越之選 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，功率MOSFET作為關(guān)鍵元件，其性能對(duì)整個(gè)系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性起著至關(guān)重要的作用。今天，我們就來深入了解一款來自
onsemi NVMTS1D1N04C單通道N溝道MOSFET的特性與應(yīng)用解析
onsemi NVMTS1D1N04C單通道N溝道MOSFET的特性與應(yīng)用解析 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，MOSFET作為關(guān)鍵的功率器件，其性能直接影響著整個(gè)電路的效率和穩(wěn)定性。今天我們就來深入探討一下
深入解析NTTFSS1D1N02P1E：高性能N溝道MOSFET的卓越表現(xiàn)
深入解析NTTFSS1D1N02P1E：高性能N溝道MOSFET的卓越表現(xiàn) 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，MOSFET作為關(guān)鍵的功率器件，其性能直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。今天，我們將深入探討一款高性能的單
深入解析 onsemi NVBLS1D1N08H N 溝道 MOSFET
深入解析 onsemi NVBLS1D1N08H N 溝道 MOSFET 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，MOSFET 作為關(guān)鍵的功率開關(guān)器件，其性能直接影響著整個(gè)電路的效率和穩(wěn)定性。今天，我們就來深入剖析
onsemi NVMTS1D1N04C單通道N溝道MOSFET：設(shè)計(jì)利器解析
onsemi NVMTS1D1N04C單通道N溝道MOSFET：設(shè)計(jì)利器解析 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，MOSFET（金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是不可或缺的關(guān)鍵元件。今天，我們就來深入剖析
FQD1N80/FQU1N80 N-Channel QFET? MOSFET：技術(shù)特性與應(yīng)用解析
FQD1N80/FQU1N80 N-Channel QFET? MOSFET：技術(shù)特性與應(yīng)用解析 引言 在電子工程領(lǐng)域，功率MOSFET是至關(guān)重要的元件，廣泛應(yīng)用于各種電源電路和功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中。今天
MWC 2026 | 廣和通率先實(shí)現(xiàn)新一代模組功率等級(jí)1（PC1），賦能高功率FWA應(yīng)用
3月4日，在2026年世界移動(dòng)通信大會(huì)（MWC 2026）上，廣和通宣布率先實(shí)現(xiàn)基于MediaTek T930平臺(tái)以及高通X85/X82平臺(tái)模組功率等級(jí)1（Power Class 1, 簡(jiǎn)稱PC
1N5283 - 1至1N5314 - 1電流調(diào)節(jié)二極管：設(shè)計(jì)與應(yīng)用指南
1N5283 - 1至1N5314 - 1電流調(diào)節(jié)二極管：設(shè)計(jì)與應(yīng)用指南 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，電流調(diào)節(jié)二極管是一種重要的元件，它能在不同的電壓和溫度條件下穩(wěn)定電流，為電路的穩(wěn)定運(yùn)行提供保障
網(wǎng)關(guān)服務(wù)器 GS1-N1：支持邊緣計(jì)算模組選配
Firefly推出網(wǎng)關(guān)服務(wù)器GS1-N1，采用單核心模組設(shè)計(jì)，可選配多平臺(tái)邊緣計(jì)算模組。支持最高8K視頻解碼，內(nèi)置SAS/SATA硬盤位、M.2PCIe接口，配置2個(gè)千兆網(wǎng)接口、多組RS232
摩爾線程GPU率先支持Qwen3全系列模型
近日，阿里云正式發(fā)布Qwen3系列的8款開源混合推理模型。摩爾線程團(tuán)隊(duì)在模型發(fā)布當(dāng)天，率先完成了Qwen3全系列模型在全功能GPU上的高效支持。這一成果充分展現(xiàn)了MUSA架構(gòu)及全功能GPU在生
CY7C65215使用IOS中的USB CDC UART類驅(qū)動(dòng)程序是否可以與IOS一起工作？
我知道 CY7C65215 沒有適用于 IOS 的驅(qū)動(dòng)程序。但是，使用 IOS 中的 USB CDC UART 類驅(qū)動(dòng)程序是否可以與 IOS 一起工作？
我們正在考慮在我們的設(shè)備中安裝 CY7C65215 而不是 FTDI US
發(fā)表于 04-30 07:57
評(píng)論