晶圓代工大廠格芯宣布，旗下最先進的FinFET解決方案“12LP+”，已通過技術(shù)驗證，目前準備在紐約州馬爾他的Fab 8進行生產(chǎn)，預(yù)計在今年下半年進行試產(chǎn)。

格芯表示，12LP+解決方案主要針對AI人工智能訓練以及推論應(yīng)用進行優(yōu)化。本解決方案建立于驗證過的平臺上，具有強大的制造生態(tài)系統(tǒng)，可為芯片設(shè)計師帶來高性能的開發(fā)體驗，及快速的上市時間。

為達到性能、功耗和面積的無懈組合，12LP+導入若干新功能，包含更新后的標準元件庫、用于2.5D封裝的中介板，與一個低功耗的0.5V Vmin SRAM記憶單元，以支持AI處理器與存儲器之間的低延遲和低功耗數(shù)據(jù)往復(fù)，得致專為符合快速增長之AI市場的特定需所制定的半導體解決方案。

格芯資深副總裁兼運算暨有線基礎(chǔ)架構(gòu)部總經(jīng)理Amir Faintuch表示：“AI循著脈絡(luò)已會成為我們有生之年最具顛覆性的技術(shù)。越發(fā)明顯的是，AI系統(tǒng)的性能 – 特別是能運用一瓦的功率執(zhí)行多少次運作 – 成為企業(yè)決定投資數(shù)據(jù)中心或頂尖AI應(yīng)用的關(guān)鍵因素之一。我們的全新12LP+解決方案能夠直接處理這項挑戰(zhàn)，而AI正是本解決方案在進行設(shè)計以及優(yōu)化時，不變的初衷。”

12LP+性能得以增強的特點包括：與12LP相比，將SoC級的邏輯性能提高20％，而在邏輯芯片尺寸方面則縮小10％。這些進階功能是通過12LP+的新一代標準元件庫加以達成，其中包含性能驅(qū)動的面積優(yōu)化組件、單一Fin單元、新的低壓SRAM存儲單元以及改良版類比布局設(shè)計規(guī)則。

格芯的12LP+解決方案已通過技術(shù)驗證，可以在很大程度上壓縮成本，產(chǎn)生更大價值。另外，格芯也在豐富12nmLP+的IP組合包，目標包括PCIe 3/4/5、USB 2/3主控芯片、HBM2/2e顯存、DDR/LPDDR4/4X芯片、GDDR6芯片等。目前已準備在紐約州馬爾他的Fab 8進行生產(chǎn)，預(yù)計在2020下半年進行試產(chǎn)。

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