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CCD的結(jié)構(gòu)參數(shù)及動態(tài)范圍

電子工程師 ? 來源:騰訊網(wǎng) ? 作者:騰訊網(wǎng) ? 2020-08-21 15:15 ? 次閱讀
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本文介紹了CCD的結(jié)構(gòu)、工作參數(shù)和外部信號處理電路如何影響CCD成像硬件可以捕獲的最大亮度變化的。

我們已經(jīng)了解了動態(tài)范圍的一般概念,也知道了動態(tài)范圍作為成像系統(tǒng)中的性能規(guī)格。在本文中,我們將探討半導體和電路級的CCD動態(tài)范圍。我們將考慮以下問題:是什么決定了CCD及其相關信號處理電路所能記錄的亮度范圍?

最大信號和本底噪聲

在CCD中,輸入信號是電磁輻射,輸出信號是電荷包,其數(shù)量與該電磁輻射的強度相對應。

輸入信號的動態(tài)范圍本質(zhì)上是無限的:亮度可以從零變化(這意味著完全沒有光子)到宇宙中最亮的物體產(chǎn)生的強度。但是,輸出信號的動態(tài)范圍是有限的。

由于噪聲,零亮度不會產(chǎn)生零電荷。由于具有完整的阱容量,亮度增加到某個點以上將不再產(chǎn)生相應的電荷增加。因此,CCD的動態(tài)范圍是滿阱容量與本底噪聲的比值,即像素可以產(chǎn)生的最大輸出信號電平除以即使像素沒有入射光也將產(chǎn)生的信號電平。

如果你一直在關注圖像傳感器技術,就會知道CCD中的主要噪聲源是暗噪聲,光子噪聲和讀取噪聲。但是,在計算動態(tài)范圍時,我們僅考慮暗噪聲和讀取噪聲。我發(fā)現(xiàn)有兩個原因:首先,光子噪聲不是CCD或隨附的讀出電路的特性-它是光的本質(zhì)所固有的,并且在一個系統(tǒng)之間不存在差異。其次,光子噪聲不會影響最小的輸出信號電平,因為入射光為零時,光子噪聲也為零。這使我們得出以下公式:

其中NSATURATION是滿阱容量(即,輸出信號飽和的電子數(shù)),而NNOISE是暗噪聲和以電子RMS表示的讀取噪聲之和。如果你更喜歡使用分貝或止損而不是普通比率,則我們具有以下公式:

CCD的滿阱容量

影響滿阱容量的重要因素是像素的面積,或者如果只有一部分像素對光敏感的話,則是光電二極管的面積。較大的光敏元件對應于其中可以集成電荷的較大的硅部分。因此,我們可以通過增加像素大小來擴展動態(tài)范圍。鑒于在不改變傳感器的總面積的情況下,這樣做會導致分辨率降低,因此,如果要增加動態(tài)范圍并保持分辨率,則需要更大的傳感器。

物理上較大的光電二極管為光生自由電子的積累提供了更多空間。當前市場上的CCD在滿阱容量上具有廣泛的變化。例如,牛津儀器的器件范圍從25,000個電子(像素面積=100μm2,動態(tài)范圍=64dB)到510,000個電子(像素面積=676μm2,動態(tài)范圍=94dB)。

有效滿阱容量

工作條件可能會影響滿阱容量。例如,ONSemi公司的KAI-2020CCD的滿阱容量為20,000電子或40,000電子。實際的物理容量接近40,000電子,但是輸出放大器在40MHz的全讀出速度下無法處理40,000電子。因此,在計算動態(tài)范圍時,我們需要考慮有效的滿阱容量,而不是僅與像素的物理特性相對應的電子容量。同樣,KAI-2020光電二極管的有效滿阱容量取決于所施加的基板電壓。較低的基板電壓會產(chǎn)生較大的滿阱容量(因此會產(chǎn)生較大的動態(tài)范圍),但同時也會使傳感器更容易出現(xiàn)光暈。

動態(tài)范圍和模數(shù)轉(zhuǎn)換

盡管CCD的動態(tài)范圍取決于滿阱容量和噪聲,但我們必須記住,相機必須先對CCD的數(shù)據(jù)進行數(shù)字化處理,然后再對其進行處理。CCD信號通過ADC到達系統(tǒng)的其余部分,因此,我們需要確保模數(shù)轉(zhuǎn)換器提供足夠的動態(tài)范圍。

如果你花錢買了具有90dB動態(tài)范圍的高性能CCD,然后將其與8位ADC配對,則圖像數(shù)據(jù)的最終動態(tài)范圍就是ADC的動態(tài)范圍,只有8位分辨率,實際上約為48dB。你損失了42dB。幸運的是,從ADC獲得足夠的動態(tài)范圍通常不是主要挑戰(zhàn)。許多CCD的動態(tài)范圍約為60–70dB,你可以通過12位ADC分辨率來保持這種動態(tài)范圍性能。ADI公司和德州儀器(TI)銷售高度集成的CCD信號處理器,支持12位A/D轉(zhuǎn)換。

結(jié)論

我們已經(jīng)看到,動態(tài)范圍是由CCD的滿阱容量和噪聲特性決定的。但是,需要記住的一點是,動態(tài)范圍并不總是最關鍵的性能指標。動態(tài)范圍可幫助相機捕捉高對比度場景,但有時候,我們可能對阱容量或低噪聲更感興趣,而不是去追求最大的動態(tài)范圍而需要兼顧噪聲性能和滿阱容量。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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