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中芯國際第二代FinFET N+1工藝已進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段

5qYo_ameya360 ? 來源:皇華電子元器件IC供應(yīng)商 ? 作者:皇華電子元器件 ? 2020-09-30 14:24 ? 次閱讀
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華為被禁之后,國產(chǎn)替代成了半導(dǎo)體企業(yè)關(guān)注的重點。作為中國最大、技術(shù)最先進(jìn)的半導(dǎo)體代工廠家,中芯國際被寄予厚望。

中芯國際于 2019 年實現(xiàn)了國內(nèi)最先進(jìn)的 14nm 工藝制程量產(chǎn),并已為華為麒麟 710A 芯片等進(jìn)行代工。 對此,中芯國際回應(yīng)稱,公司的第一代FinFET 14nm工藝已于2019年第四季度量產(chǎn),第二代FinFET N+1工藝已經(jīng)進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段,有望于2020年底小批量試產(chǎn)。在沒有使用EUV光刻機(jī)的情況下,中芯國際實現(xiàn)了14nm以下的先進(jìn)制造工藝,不能不說是一個突破性進(jìn)展。

中芯國際目前在國內(nèi)四個城市擁有多家晶圓廠,分別是上海的8英寸晶圓廠和12英寸晶圓廠,北京亦莊的12英寸晶圓廠一期和二期,天津和深圳各有一座8英寸晶圓廠。 作為一家純代工企業(yè),中芯國際目前可以向全球客戶提供從0.35微米到14納米工藝的代工生產(chǎn)服務(wù),同時,還可以為客戶提供從生產(chǎn)、封裝到測試的一體化全方位晶圓代工解決方案。 目前,中芯國際的工藝技術(shù)主要分為三類:先進(jìn)邏輯技術(shù)(14納米、在研的N+1代工藝等)、成熟邏輯技術(shù)(28nm,40nm ,65nm/55nm ,90nm,0.13/0.11μm,0.18μm,0.35μm等),特殊工藝(Analog&Power ,DDIC ,IGBT ,eNVM,NVM,Mixed Signal&RFMEMS,IoT Solutions,Automotive等)。

在中芯國際的先進(jìn)邏輯技術(shù)中,N+1代工藝是中芯國際對其第二代先進(jìn)工藝的代號,但并未明確具體數(shù)字節(jié)點。不過從中芯國際透露的數(shù)據(jù)來看,其N+1代工藝比14nm工藝性能提升了20%、功耗降低57%、邏輯面積縮小63%、SoC面積縮小55%。N+1代工藝的制程節(jié)點正在追趕7nm制程,因為從其芯片面積縮小一半這個數(shù)據(jù)來看,晶體管的集成度提升了一倍,而臺積電從14nm到7nm工藝也就提升了1倍的密度。 按照中芯國際的回應(yīng),2020年底小批量試產(chǎn)N+1工藝,高端晶圓代工的國產(chǎn)替代指日可俟矣!

原文標(biāo)題:無須EUV光刻機(jī),中芯國際N+1代工藝年底試產(chǎn)

文章出處:【微信公眾號:皇華電子元器件IC供應(yīng)商】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

責(zé)任編輯:haq

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原文標(biāo)題:無須EUV光刻機(jī),中芯國際N+1代工藝年底試產(chǎn)

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