近幾個(gè)月來，有關(guān)下一代DDR內(nèi)存的討論一直沸沸揚(yáng)揚(yáng)，因?yàn)橹圃焐虃円恢痹谡故靖鞣N各樣的測(cè)試模塊，為推出完整的產(chǎn)品做準(zhǔn)備。計(jì)劃使用DDR5的平臺(tái)也在迅速興起，在消費(fèi)者中廣泛使用之前，預(yù)計(jì)將在企業(yè)端首次亮相。同樣，開發(fā)也是分階段進(jìn)行的：內(nèi)存控制器、接口、電氣等效測(cè)試IP和模塊。SK Hynix已經(jīng)進(jìn)行到了最后一個(gè)階段，或者至少是這些模塊中的芯片。

DDR5是下一代用于大多數(shù)主要計(jì)算平臺(tái)的平臺(tái)內(nèi)存。該規(guī)范（于2020年7月發(fā)布）將主電壓從1.2 V降至1.1 V，將最大硅芯片密度提高了4倍，最大數(shù)據(jù)速率翻倍，存儲(chǔ)數(shù)量翻倍。簡(jiǎn)而言之，JEDEC DDR規(guī)范允許在DDR5-6400上運(yùn)行128 GB無緩沖模塊。在電源允許的情況下，RDIMM和LRDIMM應(yīng)該能夠更高。

DDR領(lǐng)域中的每個(gè)方面都需要從四個(gè)角度進(jìn)行迭代。容量是最明顯的一個(gè)，但內(nèi)存帶寬在我們看到的大型核計(jì)數(shù)服務(wù)器中常見的多核工作負(fù)載的性能擴(kuò)展中也發(fā)揮著關(guān)鍵作用。另外兩個(gè)是功耗和延遲，是體現(xiàn)性能的一個(gè)關(guān)鍵指標(biāo)。

使用DDR5，實(shí)現(xiàn)這一功能的主要更改之一是系統(tǒng)查看內(nèi)存的方式。DDR5不是每個(gè)模塊一個(gè)64位的數(shù)據(jù)通道，而是每個(gè)模塊兩個(gè)32位的數(shù)據(jù)通道（在ECC中是40位）。脈沖長(zhǎng)度增加了一倍，這意味著每個(gè)32位通道仍然會(huì)為每個(gè)操作提供64字節(jié)，但是可以以一種更加交錯(cuò)的方式來實(shí)現(xiàn)。這意味著標(biāo)準(zhǔn)的“雙64位通道DDR4”系統(tǒng)將轉(zhuǎn)變?yōu)椤八奈?2位通道DDR5”結(jié)構(gòu)，這樣每個(gè)記憶模塊就以一種更加可控的方式提供了64位。這也使得雙倍的數(shù)據(jù)速率（增加峰值帶寬的一個(gè)關(guān)鍵因素）變得更容易，并且具有更細(xì)粒度的存儲(chǔ)體刷新功能，該功能允許在使用內(nèi)存時(shí)進(jìn)行異步操作，從而減少了延遲。

電壓調(diào)節(jié)也從主板移到了內(nèi)存模塊，允許模塊根據(jù)自己的需要調(diào)節(jié)。DDR4采用了每個(gè)芯片的Vdroop控制，但這將整個(gè)想法推進(jìn)到更嚴(yán)格的電源控制和管理階段。它還將電源管理交給了模塊供應(yīng)商而不是主板制造商，允許模塊制造商確定更快內(nèi)存所需的容量，看看不同的固件如何應(yīng)對(duì)肯定會(huì)超出規(guī)范的非JEDEC標(biāo)準(zhǔn)游戲內(nèi)存也是一件趣事。

SK-Hynix宣布，他們已經(jīng)準(zhǔn)備好向模塊制造商提供DDR5-ECC內(nèi)存，特別是16個(gè)基于其1Ynm流程構(gòu)建的千兆芯片，支持1.1伏的DDR5-4800到DDR5-5600。SK-Hynix表示，如果采用正確的封裝技術(shù)（如3D-TSV），合作伙伴可以制造256gb的lrdimm。為了提供比JEDEC更快的速度，額外的芯片裝箱必須由模塊制造商自己完成。SK Hynix似乎也有自己的模塊，特別是DDR5-4800上的32GB和64GB RDIMM，并承諾提供高達(dá)DDR5-8400的內(nèi)存。

SK Hynix沒有提供這些模塊的子定時(shí)信息。JEDEC規(guī)范為DDR5-4800定義了三種不同的模式：

DDR5-4800A： 34-34-34

DDR5-4800B： 40-40-40

DDR5-4800C： 42-42-42

尚不清楚SK Hynix使用的是哪一種。模塊上寫著“4800E”，但是這似乎只是模塊命名的一部分，因?yàn)镴EDEC規(guī)范沒有超過DDR5-4800的CL值42。

對(duì)于帶寬，其他內(nèi)存制造商已經(jīng)引用了DDR5-4800每個(gè)模塊理論上38.4 GB/s的數(shù)據(jù)，他們已經(jīng)看到有效數(shù)字在32 GB/s范圍內(nèi)。這比DDR4-3200上每個(gè)通道的20-25GB/s有效速率更高。其他內(nèi)存制造商已經(jīng)宣布，他們將從今年年初開始提供給客戶試用DDR5。

公告中提到，英特爾是這些模塊的主要合作伙伴之一。英特爾已承諾在其Sapphire Rapids Xeon處理器平臺(tái)上啟用DDR5，預(yù)計(jì)將于2021或2022年末首次發(fā)布。聲明中沒有提到AMD，也沒有任何Arm合作伙伴。

SK Hynix表示，預(yù)計(jì)在2022年DDR5將占全球市場(chǎng)的10%，2024年將增至43%。在這一點(diǎn)上，消費(fèi)者平臺(tái)的交叉點(diǎn)有些模糊，因?yàn)槲覀兛赡苤煌瓿闪薉DR4周期的一半（或不到一半）。通常，當(dāng)新舊技術(shù)的市場(chǎng)份額相等時(shí)，它們之間可能會(huì)出現(xiàn)成本攔截，但是DDR5要求的額外電壓調(diào)節(jié)成本很可能會(huì)推高模塊成本，從JEDEC模塊的標(biāo)準(zhǔn)電源供應(yīng)擴(kuò)展到超頻模塊的更強(qiáng)大的解決方案。然而，在這方面，它應(yīng)該使主板更便宜。

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