重慶郵電大學(xué)已成功研發(fā)第三代半導(dǎo)體氮化鎵功率芯片
據(jù)重慶郵電大學(xué)光電工程學(xué)院副教授黃義表示，目前實(shí)驗(yàn)室已成功研發(fā)第三代半導(dǎo)體氮化鎵功率芯片，主要應(yīng)用在汽車電子、消費(fèi)電源、數(shù)據(jù)中心等方面，其具備體積小、效率高、用電量少等特點(diǎn)。電量能節(jié)省10%以上，面積是硅芯片的1/5左右，開(kāi)關(guān)速度提升10倍以上。目前該項(xiàng)目已經(jīng)到了試驗(yàn)性應(yīng)用階段，未來(lái)有望在各種電源節(jié)能領(lǐng)域和大數(shù)據(jù)中心使用。
此外，由重慶郵電大學(xué)規(guī)劃的‘重慶集成電路設(shè)計(jì)創(chuàng)新孵化中心’現(xiàn)已入駐西部（重慶）科學(xué)城。該中心將著力建設(shè)集成電路公共設(shè)計(jì)、測(cè)試分析、半導(dǎo)體工藝等為一體集成電路中試平臺(tái)，提供低成本、高效率的集成電路公共服務(wù)與專業(yè)技術(shù)支持。
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