據(jù)彭博社報道，三星全力發(fā)展晶圓代工業(yè)務，規(guī)劃投入1160億美元（約合人民幣7608億元），目標實現(xiàn)3納米制程2022年量產(chǎn)，與臺積電同步，是兩強近年先進制程競逐賽中，最接近的一次。業(yè)界認為，若三星發(fā)展3納米進程順利并提升良率，與臺積電的搶單大戰(zhàn)也將隨之引爆。

對于相關(guān)報導，臺積電17日表示，不評論競爭對手。不過，在技術(shù)上，先前臺積電已設(shè)定的技術(shù)藍圖，目前計劃并未改變。

臺積電因先進制程領(lǐng)先，獨攬?zhí)O果處理器代工大單，并囊括高通、聯(lián)發(fā)科、AMD、英偉達等大廠高端芯片訂單，三星雖然努力追趕，但在高階制程訂單斬獲仍有限。

業(yè)界人士指出，三星集團近期動作頻頻，除了上周甫發(fā)表采用自家5納米制程生產(chǎn)的5G芯片，本周又積極宣傳3納米技術(shù)藍圖，公司密集發(fā)布消息，宣示性意味濃厚。

臺積電在7納米與5納米順利量產(chǎn)至逐步放量都領(lǐng)先三星約兩年。臺積電先進制程量產(chǎn)計劃早已底定，在持續(xù)擴展5納米制程基礎(chǔ)上，推出增強版的4納米制程，預訂2021年第4季風險試產(chǎn)，2022年投入量產(chǎn)。同時也著手3納米研發(fā)，目標2021年試產(chǎn)，2022年下半年量產(chǎn)。

臺積電總裁魏哲家在今年10月發(fā)布會上提到，臺積電3納米制程采用FinFET（鰭式場效電晶體）架構(gòu)，以提供客戶最成熟、同時效能和成本最佳的技術(shù)選項，看好3納米制程推出后，將具備最佳的PPA（效能、功耗及面積），并為最先進的制程技術(shù)。

據(jù)報道，三星晶圓代工部門高層主管在一場未對外公開的活動上，對出席者表示，三星將在2022年量產(chǎn)3納米芯片。

三星這個先前未曾曝光的目標，代表在臺積電預期將于2021年試產(chǎn)3納米、2022年投入量產(chǎn)之際，三星也努力開始要撼動晶圓代工產(chǎn)業(yè)，希望能爭取到與臺積電一樣，在2022年量產(chǎn)3納米，若成局，將是三星與臺積電近年先進制程競逐賽當中，雙方最接近的一次。

報道稱，三星電子晶圓代工設(shè)計部門執(zhí)行副總裁樸在弘當時說，三星正與重要合作伙伴開發(fā)初始設(shè)計工具。如果三星成功，對于該公司的遠大目標將是一大突破。三星期望借由采用環(huán)繞閘極技術(shù)（GAA）來精進制程，該技術(shù)和臺積電3納米采用FinFET不同。

韓國仁荷大學材料科學與工程教授崔林諾表示：“三星非常迅速地追趕臺積電，并且尋求借由首度采用新技術(shù)來邁向主導地位。然而，如果三星無法在初期階段快速改善先進節(jié)點的生產(chǎn)良率，可能會虧錢?！?/p>

原文標題：7608億！三星投入3nm芯片量產(chǎn)

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