日前國際高壓直流輸電會議HVDC2020在古都西安召開，英飛凌專家Jens Prazybilla作為特邀嘉賓發(fā)表主旨演講《How to Design Best-Fit Press Pack IGBT and Diode for VSC-HVDC Systems》, 獲得與會專家高度關注。首發(fā)產品4500V/3000A器件，專為電網應用定制開發(fā)，適用于MMC、直流斷路器等低頻開關應用。

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內容簡介

A

IGBT芯片技術

IGBT芯片采用領先的Trench+Fieldstop技術，業(yè)內首次將壓降芯片的工作結溫提高到150℃，并大幅降低了其導通壓降VCEsat（150℃下典型值約2.7V）。此芯片可以降低系統(tǒng)損耗提高效率，同時也擴展了系統(tǒng)安全工作區(qū)。

B

芯片子單元

創(chuàng)新采用了硅芯片+鉬片雙面銀燒結技術，每個芯片被封裝在獨立的單元內，得到很好的防護。同時銀燒結大幅降低了不同材料間的界面熱阻，并改善芯片的瞬時熱特性，提高其過載能力。

獨立的芯片子單元使得生產更為便利，一方面不再擔心芯片表面的雜質污染而導致的潛在失效風險；另一方面可以獨立進行全面的大電流動靜態(tài)測試，使芯片參數一致性篩選測試成為可能，二維碼用來追溯所有的生產測試信息。

C

封裝技術

新壓接器件采用全密封圓形陶瓷外殼，內充氮氣以保護芯片不受濕氣或其他腐蝕氣體影響，有利于提高環(huán)境適應性且降低現場失效率。采用納米銀燒結技術的芯片擁有更強的功率循環(huán)能力，器件可通過業(yè)內最嚴苛的測試條件（Tvjmax/min=150℃/50℃，100K結溫波動，50,000次循環(huán)），可滿足現場服務壽命長達30年以上的苛刻要求。

D

長期失效短路特性

得益于強健的封裝設計，即使遭遇直流支撐電容橋臂直通放電故障，該器件也可以在失效后保持在短路狀態(tài)，幫助系統(tǒng)更可靠的運行。如驗證試驗所示，預先放置一個已失效的芯片在門極端子附近，再讓該器件承受長時間的額定電流，解剖后發(fā)現芯片CE間已形成可靠的熔融狀金屬聯(lián)接，可保證失效器件擁有極低的導通阻抗。

E

組裝簡單可靠，芯片一致性高

該器件零部件僅包括正極/負極銅蓋板，PCB板，36顆芯片子單元和幾個安裝螺釘。零部件少有助于降低組裝難度，提高生產效率。

經過篩選的36顆芯片子單元的機械參數及電氣參數高度一致，以保證器件的可靠性。

F

自動化生產線

生產線采用了大量自動化設備，減少生產過程中的人為干預，可使每個器件一致性得到保障，提高生產良率。

關于英飛凌

英飛凌設計、開發(fā)、制造并銷售各種半導體和系統(tǒng)解決方案。其業(yè)務重點包括汽車電子、工業(yè)電子、射頻應用、移動終端和基于硬件的安全解決方案等。

英飛凌將業(yè)務成功與社會責任結合在一起，致力于讓人們的生活更加便利、安全和環(huán)保。半導體雖幾乎看不到，但它已經成為了我們日常生活中不可或缺的一部分。不論在電力生產、傳輸還是利用等方面，英飛凌芯片始終發(fā)揮著至關重要的作用。此外，它們在保護數據通信，提高道路交通安全性，降低車輛的二氧化碳排放等領域同樣功不可沒。

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