1、藍(lán)光芯片型白光LED提升光效

a) 提升內(nèi)量子效率在有源區(qū)產(chǎn)生更多的藍(lán)光并減少藍(lán)光輸出時的吸收,隨著外延生長技術(shù)和多量子阱結(jié)構(gòu)的發(fā)展,超高亮度發(fā)光二極管的內(nèi)量子效率已有了非常大的改善,藍(lán)光LED已達(dá)90%以上;

b) 提升光提取效率 采用倒裝結(jié)構(gòu)避免正裝結(jié)構(gòu)的電極和金線遮擋光;平衡解決透明導(dǎo)電膜吸光與擴(kuò)散電流的矛盾;底部反射層使藍(lán)光向正面出光方向反射;表面圖型化或表面粗糙化技術(shù)避免因折射率差異大導(dǎo)致的發(fā)光被過多全反射等;接近芯片折射率的封裝材料;

c) 提升熒光粉光致發(fā)光轉(zhuǎn)換的外量子效率研發(fā)光致發(fā)光轉(zhuǎn)換效率高的熒光粉材料及配比;

d) 提升封裝的光出射效率封裝材料的折射率高有利于芯片出光的提取率,但也會使與空氣折射率差異增大;對于平面型封裝,導(dǎo)致與空氣界面之間的向內(nèi)全反射增大,從而又使出光率減小,因此,在平面型封裝之上可考慮再加一層折射率過渡的二次透明封裝層;此外,對于非平面型封裝,改進(jìn)熒光粉涂層厚度和形狀以及封裝結(jié)構(gòu)形狀,避免因折射率差異大所導(dǎo)致的出射光被過多全反射。

藍(lán)光芯片型白光LED的最高光效主要由四部分所限:

①藍(lán)光的內(nèi)量子效率估計不超過90%(較高溫影響下,而小功率常溫可達(dá)95%左右);

②外延層的光提取效率估計不超過85%(正裝結(jié)構(gòu)和垂直結(jié)構(gòu)其GaN與硅膠或環(huán)氧樹脂的材料折射率決定的全反射角約42°;倒裝結(jié)構(gòu)其GaN與Al2O3的全反射臨界角約46°;進(jìn)行圖型優(yōu)化等處理后估計不會超過75°);

③藍(lán)光轉(zhuǎn)換為白光的最高量子效率估計不超過70%(視見效率最高的為無損耗單光譜555nm綠光,藍(lán)光全部轉(zhuǎn)換至555nm單色綠光的光致發(fā)光效率不超過78%);

④熒光粉層白光出射球型封裝的效率不超過95%(平面封裝出射率將可能更低得多,這一項人們平時關(guān)注較少,因為光從硅膠或環(huán)氧樹脂出射至空氣的全反射臨界角僅約為42°)。

這四部分相乘的綜合光效率估計不超過50%;也就是說藍(lán)光芯片型白光LED的光效不會超過340Lm/W左右。

據(jù)報道,目前全球最高光效的白光LED是美國CREE公司2014年3月宣稱303Lm/W。已接近本文上面分析預(yù)計的白光LED光效的極限。

美國CREE公司實驗室碳化硅襯底白光LED光效進(jìn)展

我國目前國產(chǎn)化的LED光效也已逐步趕上國際先進(jìn)水平。多年前,我國南昌大學(xué)團(tuán)隊采用在硅晶片上預(yù)先柵格化刻蝕來緩解生長GaN后降溫過程中熱匹配差異大造成的龜裂和位錯缺陷,通過特殊措施改進(jìn)MOCVD設(shè)備關(guān)鍵部件“密布輸氣管”來改善GaN生長的均勻性等等自主專利技術(shù),突破了硅襯底高光效GaN基藍(lán)色發(fā)光二極管的關(guān)鍵技術(shù),成為繼日美之后第三個掌握藍(lán)光LED自主知識產(chǎn)權(quán)技術(shù)的國家。打破了日本藍(lán)寶石襯底、美國碳化硅襯底長期壟斷國際LED照明核心技術(shù)的局面,與日美技術(shù)形成全球三足鼎力之勢。據(jù)國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟發(fā)布的《2018中國半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)發(fā)展藍(lán)皮書》數(shù)據(jù):“2018年我國產(chǎn)業(yè)化白光LED光效水平達(dá)到180Lm/W,硅基黃光(565nm@20A/cm2)電光轉(zhuǎn)換效率24.3%,硅基綠光(520nm@20A/cm2)電光轉(zhuǎn)換效率41.6%”。這是值得可喜的,但在半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)業(yè)8寸、12寸等主流大尺寸硅晶片要想大規(guī)模應(yīng)用于LED照明產(chǎn)業(yè),在目前主流仍為6寸以下小尺寸藍(lán)寶石襯底在LED照明產(chǎn)業(yè)鏈已形成了先發(fā)優(yōu)勢的情況下,硅晶片本身的工藝成熟和低成本優(yōu)勢反而發(fā)揮不出來。預(yù)計還需等待封裝設(shè)備等產(chǎn)業(yè)鏈升級到采用6寸以上襯底成為主流時,硅基LED的大批量需求才將會不斷地回歸其原本就具有的比藍(lán)寶石和氮化鎵襯底工藝成本低很多的優(yōu)勢,這時硅基LED應(yīng)用市場前景就非常光明了。

2、RGB型白光LED提升光效

早期因為紅光,特別是綠光LED的光效不高,所以由三個紅綠藍(lán)的LED組成的RGB型只限于顯示或裝飾照明用途,隨著綠光LED光效的逐步提升,RGB型白光LED進(jìn)入實用化照明。RGB型白光LED的主要優(yōu)點是:首先,不需熒光粉來轉(zhuǎn)換光,單這一點從理論上來說就可減少藍(lán)光芯片型白光LED中至少20-30%的光致發(fā)光能量轉(zhuǎn)換損失;其次,可方便調(diào)節(jié)色溫和顏色,這在智能智慧照明應(yīng)用中很重要。但是RGB型白光LED其主要缺點是綠光LED的光效仍不高,導(dǎo)致總的發(fā)光效率目前比藍(lán)光芯片型白光LED低較多;另RGB三個LED需嚴(yán)格選配光度和色度分布,使紅綠藍(lán)三個LED所發(fā)光的光色分布曲線應(yīng)該平滑完全一致且投射方向一致,否則在不同距離和方向上的光度和色度不均勻性嚴(yán)重;還有需要紅綠藍(lán)三種LED的三套供電系統(tǒng),使驅(qū)動電路復(fù)雜化、成本增加。

3、紫外芯片型白光LED提升光效

光度和色度分布不均勻是藍(lán)光芯片型白光LED和RGB型白光LED一定存在的固有缺陷,只是程度不同而已。由于人眼對紫外線沒有感知,利用紫外LED芯片發(fā)出的紫外線被封裝涂層中的紅綠藍(lán)三基色熒光粉吸收并轉(zhuǎn)換成白光,所以紫外芯片型白光LED與傳統(tǒng)熒光燈一樣都不存在色度分布不均勻問題,光度均勻性也比藍(lán)光芯片型和RGB型要好得多,這是其最大的優(yōu)點。紫外線芯片型白光LED的主要缺點是,一般來說在熒光粉光致發(fā)光轉(zhuǎn)換出的光譜包絡(luò)與藍(lán)光型白光的連續(xù)光譜相似情況下,紫外線芯片型白光LED的發(fā)光效率比藍(lán)光芯片型要更低,其紫外線波長越短,轉(zhuǎn)換效率就越低(254nm紫外線下的熒光粉光轉(zhuǎn)換效率不超過50%),且制作難度成倍地增加,所以從理論上來說照明不可能使用短波紫外線芯片來制作白光LED。此外,還需研發(fā)針對長波紫外線激發(fā)的高效熒光粉。而且筆者建議其熒光粉轉(zhuǎn)換后發(fā)射的光譜應(yīng)像節(jié)能熒光燈的三基色那樣紅綠藍(lán)三色形成分離狀的不連續(xù)光譜,各自為窄光譜,綠色波峰還應(yīng)靠近光效最高的555nm,這樣的綠光搭配紅藍(lán)光后就可能輕易超過340 Lm/W的藍(lán)光芯片型白光LED的極限光效。當(dāng)然即使熒光粉能做到這樣,不改進(jìn)目前LED芯片的發(fā)光波長半寬度太寬的現(xiàn)狀,不能象傳統(tǒng)熒光燈中低氣壓放電產(chǎn)生的254nm工作紫外線其非常窄的波長半寬度去配合熒光粉,其效果可能仍然不太佳。

審核編輯：符乾江