據(jù)長沙晚報報道，2021年1月19日，湖南三安半導體項目最大單體M2B芯片廠房順利完成封頂，此次封頂標志著這座湖南省境內的首個第三代半導體產(chǎn)業(yè)園項目（一期）Ⅰ標段完成全面封頂，預計該項目在2021年中有望實現(xiàn)全面投產(chǎn)。

據(jù)了解，該項目分兩期建設，當前項目一期主要包含碳化硅長晶、襯底、外延、芯片、器件封裝等廠房及相關配套設施建設，項目全面建成投產(chǎn)后將形成兩條并行的碳化硅研發(fā)、生產(chǎn)全產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)線，產(chǎn)品為高質量、低成本、高穩(wěn)定性碳化硅襯底及各類器件，可廣泛用于新能源汽車、高鐵機車、航空航天和無線（5G）通訊等。

據(jù)集微網(wǎng)此前消息顯示，2020年12月，湖南三安半導體項目（一期）Ⅰ標段濺度廠房實現(xiàn)主體結構封頂。

據(jù)悉，長沙三安第三代半導體項目，總占地面積1000畝、投資160億元，主要建設具有自主知識產(chǎn)權的襯底（碳化硅）、外延、芯片及封裝產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)基地，項目建成達產(chǎn)后將形成超百億元的產(chǎn)業(yè)規(guī)模，并帶動上下游配套產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值預計逾千億元。

2020年7月20日，長沙三安第三代半導體項目開工活動在長沙高新區(qū)舉行。

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