當(dāng)全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)進(jìn)入新一輪漲價(jià)通道,國內(nèi)下游企業(yè)正面臨著前所未有的成本壓力。近日,三星電子完成第二季度DRAM產(chǎn)品供貨合同談判,其價(jià)格較一季度再漲30%,而這已是該巨頭年內(nèi)第二次大幅提價(jià)——一季度
發(fā)表于 04-13 10:21
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、安森美、ADI等國際大廠也相繼調(diào)價(jià)。 ? 此外,包括PMIC、MCU、隔離驅(qū)動(dòng)等產(chǎn)品也在漲價(jià),部分工業(yè)與汽車料號(hào)漲幅更是達(dá)到了30%-85%。而這股漲價(jià)的浪潮也開始影響到儲(chǔ)能領(lǐng)域,不過好消息是,相比2021-2022年的全球芯
發(fā)表于 04-02 09:17
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4月1日起,AOS部分產(chǎn)品漲價(jià)安森美漲價(jià)函國內(nèi)MCU廠商峰岹科技發(fā)布漲價(jià)函德州儀器(TI)從4月1日起提高部分半導(dǎo)體產(chǎn)品的價(jià)格恩智浦NXP建滔再次漲價(jià)聯(lián)想PC相關(guān)產(chǎn)品
發(fā)表于 03-23 14:32
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大語言模型(LLM)推理顯存需求呈指數(shù)級(jí)增長,70B參數(shù)的模型需要約140GB顯存(FP16),遠(yuǎn)超單卡GPU容量。量化技術(shù)通過降低模型參數(shù)精度(從FP16到INT4),在精度損失最小的情況下減少50-75%顯存占用,使得大模型
發(fā)表于 03-13 09:45
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近期,用于個(gè)人電腦等設(shè)備的DRAM存儲(chǔ)器正經(jīng)歷歷史性漲價(jià)潮。DDR4內(nèi)存價(jià)格兩個(gè)月翻倍,2026年1月大宗交易價(jià)達(dá)13美元,同比漲幅超7倍。就在全行業(yè)被存儲(chǔ)漲價(jià)壓得喘不過氣時(shí),蘋果卻逆勢(shì)擴(kuò)產(chǎn)折首款折疊機(jī)“iPhone Fold”
發(fā)表于 03-10 17:22
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DRAM
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發(fā)布于 :2026年03月09日 18:30:40
1月29日消息,受銀錫銅原材料價(jià)格大漲影響,電子元器件行業(yè)迎來全面漲價(jià)潮。國內(nèi)外廠商已陸續(xù)發(fā)布漲價(jià)通知,漲幅區(qū)間在 5%-30%。此次漲價(jià)核心原因是銀、錫、銅三大核心金屬價(jià)格飆升:銀價(jià)
發(fā)表于 01-30 19:28
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DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)芯片作為計(jì)算機(jī)系統(tǒng)內(nèi)存的核心組成部分,承擔(dān)著臨時(shí)存儲(chǔ)CPU運(yùn)算所需數(shù)據(jù)和指令的關(guān)鍵任務(wù)。DRAM芯片憑借高存儲(chǔ)密度與成本優(yōu)勢(shì),廣泛應(yīng)用于個(gè)人電腦、服務(wù)器、智能手機(jī)及各類需要大容量緩存的電子設(shè)備中。
發(fā)表于 01-30 15:11
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電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李彎彎)過去數(shù)月,全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)風(fēng)云變幻,缺貨漲價(jià)的態(tài)勢(shì)從芯片本身逐漸蔓延至封測(cè)環(huán)節(jié)。近日,DRAM 與 NAND Flash 大廠全力沖刺出貨,為封測(cè)市場(chǎng)帶來了大量訂單。力
發(fā)表于 01-14 09:16
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方案1、分配兩個(gè)獨(dú)立顯存區(qū)——A和B,顯示A區(qū)時(shí)寫B(tài)區(qū)準(zhǔn)備,完成B區(qū)準(zhǔn)備后,設(shè)定控制器顯示B區(qū),交替循環(huán)更新
方案2、客戶MCU 的TFT控制器資源是否有類似的 “TE”信號(hào)可以監(jiān)測(cè),根據(jù)“TE
發(fā)表于 12-29 09:07
供應(yīng)鏈反饋來看第四季度預(yù)計(jì)漲價(jià)高達(dá)30%。此外我們還看到江波龍10月29日發(fā)布2025年三季報(bào),第三季度營業(yè)收入65.39億元,同比增長54.6%;凈利潤6.98億元,同比暴增1994.42%,上年同期虧損3683.8萬元。前三季度營業(yè)收入167.34億元,同比增長26.12%;凈利
發(fā)表于 11-04 14:59
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2025 年以來,全球存儲(chǔ)市場(chǎng)出現(xiàn)明顯的價(jià)格上行趨勢(shì)。受AI 計(jì)算需求爆發(fā)、上游產(chǎn)能結(jié)構(gòu)調(diào)整和傳統(tǒng) HDD 供給緊張等多重因素驅(qū)動(dòng),DRAM 與 NAND Flash 的價(jià)格全面上揚(yáng),并傳導(dǎo)至
發(fā)表于 10-16 09:01
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隨著人工智能技術(shù)的飛速發(fā)展,深度學(xué)習(xí)大模型在各個(gè)領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。然而,大模型的推理過程對(duì)顯存和計(jì)算資源的需求較高,給實(shí)際應(yīng)用帶來了挑戰(zhàn)。為了解決這一問題,本文將探討大模型推理顯存和計(jì)算量的估計(jì)
發(fā)表于 07-03 19:43
給大家?guī)硪恍I(yè)界資訊: 三星DDR4內(nèi)存漲價(jià)20%? 存儲(chǔ)器價(jià)格跌勢(shì)結(jié)束,在2025年一季度和第二季度,價(jià)格開始企穩(wěn)反彈。 據(jù)TrendForce報(bào)道稱,三星公司DDR4內(nèi)存開始漲價(jià)
發(fā)表于 05-13 15:20
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%。 ? 除了三星,SK海力士、美光此前也傳出漲價(jià)的消息。據(jù)供應(yīng)鏈人士透露,海力士DRAM(消費(fèi)級(jí))顆粒(Memory Chip/Die)價(jià)格已上漲約12%。 ? 而美光率先于2025年第二季度對(duì)DRAM內(nèi)存
發(fā)表于 05-13 01:09
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評(píng)論